锌膜氧化制备氧化锌薄膜的紫光发射

通过锌膜在金属锌熔点(419℃)以上温度和50Pa的氧气压力下退火氧化的方法制备ZnO薄膜,研究了退火温度对ZnO薄膜组织结构及发光性能的影响.ZnO薄膜的室温光致发光谱是由发光中心在424nm处的单一紫光组成.随着退火温度的升高,紫光的强度增加,当温度超过600℃时紫光的强度反而降低.在50Pa氧气压力下,紫光的发射归因于电子从价带到锌间隙原子(Zni)缺陷之间的跃迁.     

Ni2+掺杂ZnO薄膜及粉体的结构和发光性能研究

采用激光脉冲沉积法,用XeCl准分子激光器在Si (100)基片、真空和5Pa氧气气氛下制备了Ni2+(0.8％(原子分数))掺杂的呈六角纤锌矿结构的ZnO薄膜.氧气气氛下制备的薄膜沿(002)取向生长,表面比较平整,平均颗粒尺寸为80nm.真空条件下制备的薄膜出现Zn2SiO4杂相,平均颗粒尺寸为150nm.和真空条件下制备的薄膜相比,氧气气氛下制备的薄膜具有较强的ZnO本征发光,在425nm附近出现由于填隙Zn缺陷引起的较宽的蓝光发光带,并且在482nm处出现了由于氧空位和氧间隙间的转换引起的较强的蓝光发光峰,同时由于氧缺陷引起的449nm附近的蓝光发光峰强度明显降低.     

ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性研究

ZnO薄膜中可见光的发射与缺陷有关,为了研究ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性,将不同Zn缓冲层厚度的ZnO薄膜沉积在Si衬底上,且所有样品在400℃下真空中退火1 h,采用X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构和光学特性。结果表明,随着Zn缓冲层溅射时间的增加,ZnO薄膜中的紫光峰向长波段发生了红移,且所有的发光峰强度逐渐增加;缓冲层和真空中退火都使得样品中有过量的Zn原子缺陷出现,薄膜中所有的发光峰与Zn原子缺陷相关。     

PLD工艺制备高质量ZnO/Si异质外延薄膜

采用脉冲激光沉积工艺在不同条件下以Si(111)为衬底制备了Zno薄膜.通过对不同氧压下(0～50Pa)沉积的样品的室温PL谱测试表明,氧气氛显著地提高了薄膜的发光质量,在50Pa氧气中沉积的ZnO薄膜具有最强的近带边UV发射.XRD测试说明在氧气氛中得到的薄膜结晶质量较差,没有单一的(002)取向.利用-低温(500℃)沉积的ZnO薄膜作缓冲层,得到了高质量的ZnO外延膜.与直接沉积的ZnO膜相比,生长在缓冲层上的ZnO膜展现出规则的斑点状衍射花样,而且拥有更强的UV发射和更窄的UV峰半高宽(98meV).对不同温度下沉积的缓冲层进行了RHEED表征,结果表明,在600～650℃之间生长缓冲层,有望进一步改善ZnO外延膜的质量.     

衬底温度对低功率直流磁控溅射ZnO薄膜特性的影响

采用低功率直流反应磁控溅射法,在Si衬底上成功制备出了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪、荧光分光光度计研究了沉积温度对ZnO薄膜微观结构及光致发光特性的影响.结果表明,合适的衬底温度有利于提高ZnO薄膜结晶质量;在室温下测量样品的光致发光谱(PL),观察到波长位于440nm左右和485nm左右的蓝色发光峰及527nm左右微弱的绿光峰,随衬底温度升高,样品的PL谱中蓝光强度都明显增大,低功率溅射对其蓝光发射具有很重要的影响.综合分析得出440nm左右的蓝光发射应与Zni有关,485nm附近的蓝光发射是由于氧空位形成的深施主能级上电子跃迁到价带顶的结果,而527nm左右的较弱的绿光发射主要来源于导带底到氧错位缺陷能级的跃迁.生长温度主要是通过改变薄膜中缺陷种类及浓度而影响着ZnO薄膜的发光特性的.     

衬底温度对PLD方法生长的ZnO薄膜结构和发光特性的影响

在不同的衬底温度下, 通过脉冲激光淀积的方法在Si衬底上生长出c轴高度取向的ZnO薄膜. ZnO薄膜的结构和表面形貌通过X射线衍射和原子力显微镜表征. 同时以He-Cd激光和同步辐射作为激发源来测试样品的发光特性. 实验结果表明, 在衬底温度为500℃时生长的ZnO薄膜具有非常好的晶体质量, 并且表现出很强的紫外发射. 在用同步辐射为激发源的低温(18K)光致发光谱中, 还观察到了一个位于430nm处的紫光发射, 我们认为这个紫光发射与存在于晶粒间界的界面势阱所引起的缺陷态有关, 这个势阱可能起源于Zn填隙(Zn _i)     

MOCVD方法在Si衬底上低温生长ZnO薄膜

采用二乙基锌(DEZn)和氧化亚氮(N2O)作为锌源和氧源,在低温300℃,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法在Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜.通过优化氧锌比,ZnO薄膜为高度单一c轴方向生长.由光致发光谱和反射谱得知,ZnO薄膜的紫外发光峰位于388nm,具有很好的光透性,且其PL谱半峰宽为80meV.     

氧氩流量比对ZnO薄膜的微结构及其发光特性的影响

在室温下,利用射频磁控反应溅射法分别在硅片和石英玻璃上制备ZnO薄膜。通过控制O2/Ar流量比,研究O2/Ar流量比对ZnO薄膜的微结构、表面形貌及其光致发光特性的影响。X射线衍射仪和原子力显微镜结果显示,当O2/Ar流量比为3∶4时,所得薄膜结晶度最佳,表面粗糙度为0.725 nm;荧光光谱显示,ZnO薄膜在波长407 nm附近出现紫光发光峰,该发光峰源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁,发射强度随O2/Ar流量比的增加先减小后增加。     

沉积气压对磁控溅射制备ZnO薄膜的结构与光学性能影响

采用CS-400型射频磁控溅射仪在Si(111)和石英基底上成功的制备了ZnO薄膜,分别用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计和荧光分光光度计表征样品的结构和光学性质.实验表明,采用射频磁控溅射制备的ZnO薄膜具有六角纤锌矿结构的(002)峰和(101)峰的两种取向.在沉积气压>1.0Pa时所制备的ZnO薄膜具有(002)择优取向,并且十分稳定.SEM图表明,ZnO薄膜颗粒大小较为均匀,晶粒尺寸随着气压升高而变小,沉积气压不同时,薄膜样品的生长方式有所差异.在400～1000nm范围内,可以看出除O.5Pa下制备的ZnO薄膜外,其余ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80%,吸收边在380nm附近,所对应的光学带隙约为3.23～3.27eV,并随着沉积气压上升而变大.ZnO薄膜的PL谱上观察到了392nm的近紫外峰和419nm的蓝峰;沉积气压对Zno薄膜的发光峰位和峰强有影响.     

ZnO薄膜的电沉积制备及其荧光特性研究

以Zn(NO3)2水溶液为电解液,用阴极电沉积法分别在透明导电玻璃ITO和FTO衬底上制备了ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析结果表明ZnO薄膜属六角纤锌矿结构,ZnO颗粒均匀,大小约1μm;在室温光致发光谱(PL)中(激发波长为385和390nm)分别观察到了波长位于439和442nm处的较强的蓝光发射峰.本文讨论了样品蓝光峰的发光机理,并指出蓝光峰与样品中由锌填隙引起的潜施主能级上的电子到价带的跃迁有关.     

自持金刚石厚膜上沉积ZnO薄膜的研究

ZnO/金刚石结构的表面声学波滤波器的性能主要取决于沉积ZnO薄膜的质量.本文用金属有机化合物气相沉积两步生长法在自持化学气相沉积金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,扫描电子显微镜和室温光荧光谱对薄膜质量进行了表征.结果表明得到的ZnO薄膜取向一致,表面较均匀,光学质量良好.     

透明聚酰亚胺薄膜

高技术材料透明聚酰亚胺薄膜具有广阔的应用前景。本文介绍了它的结构特征、性能指标和应用领域,描述了一些专利发明的技术要旨,介绍了采用不同技术路线制作透明聚酰亚胺薄膜的方法。指出全面提高我国聚酰亚胺的整体产业化水平应加大研发投入力度,尤其是信息资源的投入。重中之重是强化对专利技术信息的了解与运用。     

国际纸包装业发展的新趋势

近日,业内有关人士就当前国际纸包装业的发展动向及趋势作出分析,概括起来主要表现为以下六个方面：一,包装工艺趋于简化现代科技应用于包装领域,使很多包装工艺得以简化,更加科学合理。如过去塑料包装的挤压、热压、冲压等成型工艺已逐渐用到纸板包装的成型上,使过去不能用纸包装的产品也用上了纸类包装。     

Nanostructured Carbon Films

By periodic variation of the deposition conditions nanometer multilayers of amorphous carbon films of varying density are deposited. Such carbon–carbon multilayers can be used for the preparation of X‐ray mirrors of extreme irradiation stability and the optimization of tribological carbon coatings. Combining these techniques with concepts demonstrated in the preparation of fullerenes and nanotubes leads to graphitic films of very high hardness. Potential applications involve such different fields as field emission cathodes for flat panel displays and low‐friction wear‐protecting films.     

无公害塑料薄膜

"民以食为天,食以质为先",而近年来由食品包装而引发的安全事故一次又一次的将食品安全包装问题推向时代的风口浪尖。社会各界开始广泛关注食品包装的安全情况,提高食品安全管理水平、增强民众对食品安全的信任和信心已经成为构建社会主义和谐社会的重要课题之一。本文从与食品接触最近的膜类物质入手,介绍一些关于无公害塑料薄膜的知识,帮助消费者依靠自己所了解的知识有效的屏蔽掉食品包装膜类安全隐患。     

通过氧化Cu膜制备Cu_2O薄膜

通过热蒸镀Cu膜并在空气中退火制备Cu2O薄膜,利用X射线衍射(XRD)、能量分散X射线谱(EDX)和原子力显微镜(AFM)研究了已沉积和不同温度退火薄膜的晶体结构、成份和表面形貌。结果表明,Cu膜在200℃退火30分钟可以得到具有单一成份的Cu2O薄膜。四探针测量得到所制备的Cu2O薄膜电阻率为0.22Ωcm。用紫外可见光分光光度计(UV-vis)研究了Cu2O薄膜的光学特性,得出其光学带隙为2.4eV。     

双层预制膜对CIGS薄膜结构和形貌的影响

采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上依次沉积了Mo、CuIn、CuGa薄膜,制备了CuInGa（CIG）双层预制膜,采用固态硒化法制备获得了Cu（In1-xGax）Se2（CIGS）吸收层薄膜,考察了CuGa层制备过程中工作气压的改变,对CIGS薄膜结构和形貌的影响。采用SEM和EDS观察和分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征了薄膜的组织结构。结果表明,改变溅射制备CuGa层的工作气压,所获得的CIG双层预制膜均由Cu11In9、CuIn和CuGa组成。在溅射制备CuGa层的工作气压为1．0Pa的条件下所获得的CIG双层预制膜经过硒化后,获得的CIGS薄膜致密。采用不同结构的双层预制膜,在不同的硒化时间下制备的CIGS薄膜,均具有黄铜矿相结构,薄膜具有（112）面的择优取向。