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现在,变换器与变频器等功率变换设备的技术开发正面临一个转折点,要提高这类设备的性能,就必须利用几个领域的综合技术。所谓几个领域的技术,包括构成功率变换设备的半导体器件相关技术,及其封装和控制技术。 相似文献
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介绍了IEC/TC100 2008年年会中音视频设备标准化领域拓展与更新、设备节能和易用性等热点议题.讨论了国际标准化工作的技术更新,领域交叉、组织合作等几个特征,介绍了DRA和家庭网络等中国提案的进展情况. 相似文献
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本文扼要介绍了缓冲电路的产生与发展.今天无损缓冲电路已成为实现软开关的重要技术之一.本文以单管功率变换电路为例,介绍了几种典型无损缓冲电路拓扑,介绍了缓冲原理与电路的特点.在此基础上总结了几点网络组成的方法. 相似文献
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功率合成器在射频领域有着广泛的应用,尤其在大功率发射机中功率合成器的重要性更加突出,几千瓦至几十千瓦的射频功率是靠功率合成技术得到的,功率合成技术是大功率发射机的关键技术之一,我们有必要搞清楚功率合成的原理和计算方法。 相似文献
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理论分析了光子晶体光纤中孤子自频移(Soliton Self-Frequency Shift,SSFS)这一光纤的非线性效应,研究了利用SSFS实现波长变换的薛定谔方程求解问题,讨论了输入功率、PCF的长度、非线性系数等参数对波长变换范围及转换效率的影响,指出输入功率与PCF的长度相对于波长变换的输出中心波长从几纳米到几十纳米基本呈线性变化,当使用较长的PCF时,光纤中的高阶孤子和孤子分裂效应将限制波长变换的效率.基于高非线性PCF的SSFS波长变换是一种简单可行且高效的方案. 相似文献
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参与了26年PCIM(功率变换与运动智能控制)会议,离开之前,我(1994-2004年的欧洲PCIM会议董事长编者)愿意与大家共享我的最后一篇文章,它是关于对PCIM的三个领域的认识:功率变换,运动智能控制,电能质量和能源管理,还有未来趋势。 相似文献
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高功率窄线宽光纤激光器具有光束质量好、结构紧凑等优点,在相干合成、光谱合成以及非线性频率变换等领域具有广泛的应用前景,基于窄线宽光纤激光相干合成、光谱合成的激光系统性能指标已经超越单束激光的最高性能,基于窄线宽光纤激光非线性频率变换的激光也实现了同类波段激光的最高性能。分析窄线宽光纤激光功率提升同时保持光束质量过程中产生的物理机制和面临的技术挑战,详细介绍学校课题组在高功率窄线宽光纤激光方面取得的代表性成果,特别是高光束质量的7 kW级非线偏振窄线宽激光和5 kW级线偏振窄线宽激光,不仅是同类激光的最高功率值,也逼近了同等条件下非窄线宽光纤激光的功率极限。根据近年来理论研究和技术攻关结果,结合国内外研究现状,对高功率窄线宽光纤激光未来几个发展趋势进行预判。 相似文献
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前言有几个不同的工作模式、而且每个模式对电源有不同功率电平要求的高功率微波设备是十分常见的。例如在雷达、电子对抗、通讯等领域内,设备具有下列工作模式:高或低的脉冲重复频率、正常的或扩展的距离、脉冲或连续波工作等。当几个这样的设备共用一个电源时,一个设备的工作模式会影响其余设备的工作模式。而且,对大波动的供电电压的调节有一个严格的要求,特别是在有限供电系统的场合,例如装在飞机上在机动系统中,尺寸小和重量轻的要求对调节的实现方法加有限制。本文评论改变变压器抽头的技术在高频率高功率可控硅逆变器中的应用。表明电子 相似文献
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开关电源技术在20世纪80年代引入我国,如今已广泛应用于通信领域。由于通信电源的性能直接影响着通信系统的可靠性,因此正确判别开关电源的优劣也就显得尤为重要。仅从电源的输入、输出特性指标来衡量开关电源的优劣,显然是不够的,还应该从下列几方面着手。 一、功率器件 开关电源技术属于电力电子技术,它运用功率变换器进行电能变换,因而从功率器件的类型上很容易推断出产品大致的研发年代。我们知道,大功率硅整流管和晶闸管出现于20世纪60年代;大功率逆变用的晶闸管、巨型功率晶体管(GTR)和门极可关断晶闸管(GT… 相似文献
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在功率半导体器件中,比较成熟,应用较广泛的主要是功率仅极晶体管、晶闸管和功率MOSFET.无论在电力控制、还是功率放大应用中,各自均具有其特色和局限性.随着VLSI工艺的发展,微细加工技术的成熟,特别是近年来在技术发展的基础上,人们设计思想的解”放,产生了双极/MOS复合为一体,取其所长,补其之短,在结构上集成,在工艺上兼容的新型复合器件.这些复合器件,较之分立的功率MOSFET功率双极器件,在性能上大有突破;促进了功率半导体器件向更广的应用领域渗透.本文在粗略分析功率MOSFET,功率双极晶体管、晶闸管现状的基础上,讨论和介绍了几种新型的双极/MOS功率复合器件,并估计了这方面的发展. 相似文献