电子隧穿问题的数值算法

文中给出了计算电子隧穿问题的一种新的数值方法，该方法适用于任意形状的一维势垒。在该算法中，首先用Ｎｕｍｅｒｏｖ算法注解薛定谔方程，然后再利用所得结果计算电子透射系数，为检测算法的精度，计算了电子对矩形双势垒及三角形势垒的透射系数，并与相应的精确解做了比较，结果表明该方法具有很高的精度。     

任意势垒隧穿几率的一种高精度数值算法

基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情形.利用该方法计算了多种结构的隧穿几率,如抛物线型势垒及双势垒,获得了高精度的隧穿几率.同时计算了MOS结构的隧穿电流密度,结果与Fowler-Nordheim隧穿完全吻合,表明了该方法的适用性.     

任意势垒隧穿几率的一种高精度数值算法

基于龙格-库塔算法求解薛定谔方程,并对获得的数值结果进行分析得出精确的量子隧穿几率.通过适当的处理,该方法适用于任意势垒的情形.利用该方法计算了多种结构的隧穿几率,如抛物线型势垒及双势垒,获得了高精度的隧穿几率.同时计算了MOS结构的隧穿电流密度,结果与Fowler-Nordheim隧穿完全吻合,表明了该方法的适用性.     

共振隧穿二极管电流密度-电压曲线数值计算中积分方法的改进

提出了一种基于黄金分割法和二分法寻查思想的一维积分来实现二维积分的方法,此方法能迅速而精确地计算ＲＴＤ电流密度－电压曲线适用于ＲＴＤ及其电路的计算机辅助设计。     

磁势垒构中隧穿现象的研究

本用转移矩阵方法研究了具有纳米尺度的非对称磁势垒结构中电子隧穿效应。结果表明和电子穿越对称双磁势垒结构相比，电子隧穿非双磁势垒结构和传输几率和电导都强烈减小，并且非对称磁势垒结构具有重强的波矢过滤特性。     

隧穿问题的数值算法

本文给出一种新的数值方法，用以计算隧道效应中的透射系数和相移。这个方法适用于任意形状的势垒，不仅可以计算透射系数，还可以计算透射波和反射波的相位。分析表明该方法具有很高的精度。     

多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响

文中通过求解薛定谔方程得到由Ｎ个矩形势垒构成的量子系统的变换矩阵和电子透射系数的精确解，研究了多量子阱系统结构变化对电子共振隧穿的影响。     

单电子隧道结隧穿特性研究与仿真

基于单电子隧道结电压特征公式[1],借助Matlab拟合其隧穿特性曲线,给出了时不变和时变偏置电流作用下的I-V特性震荡曲线,并就仿真结果进行分析,将该模型应用于单电子盒进行仿真验证,出现了明显的库仑台阶,仿真曲线印证了理论分析结果.利用Matab强大的计算功能进行单电子器件特性仿真对单电子器件的应用研究有重要意义.     

共振道穿二极管电流密度—电压曲线数值计算中积分方？…

提出了一种基于黄金分割法和二分法寻查思想的一维积分来实现二维积分的方法,此方法能迅速而精确地计算ＲＴＤ电流密度－电压曲线适用于ＲＴＤ及其电路的计算机辅助设计。     

GaAs-AlxGa1-xAs双势垒结构中电子共振隧穿寿命

采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrodinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现,隧穿寿命随阱宽和垒厚的增加而迅速增大.     

微机械电子隧道传感器研究进展

说明了微机械电子隧道传感器的工作原理，分析了电子隧道传感器的优点。较系统地介绍了几种典型的微机械电子隧道传感器包括微机械电子隧道加速度计、红外探测器和磁强计等，并简要介绍了国际上在这个领域的研究机构     

Electron diffraction through an aperture in a potential wall

We study the diffraction of a two-dimensional Gaussian wavepacket through a rectangular aperture in a finite potential wall (one slit experiment). For wavepacket with incident wavevector k₀ satisfying the diffraction condition, k₀ = 2π/w, w being the slit width, the near field (Fresnel-like) diffraction pattern behind the slit can be clearly seen for small time duration (<0.2ps). At later time steps, the diffracted beam is fragmented into lobes (perpendicular to the direction of incidence of the wavepacket) as a result of the multiple reflections of the wavepacket inside the slit (assumed to be of finite thickness). At later time, no far-field Fraunhoffer diffraction pattern is observed in our numerical simulations.     

金属粒子-介质复合薄膜中非平衡态电子瞬态弛豫的研究

利用飞秒脉冲激光和泵浦－探测技术测量了贵金属－介质复合薄膜（Ｃｕ－Ｂａ－Ｏ、Ａｕ－Ｂａ－Ｏ）的瞬态光学透过率随延迟时间的变化曲线，观察到了薄地光的吸收迅速增大并在皮秒时间内的状的现象，该现象是薄膜中超微粒子内费米能级附近电子被飞秒激光脉冲激光，产生非平衡态电子而经历瞬态弛豫造成的，本文从理论上给出了复合薄膜中Ａｕ超微粒子的电子声子相互作用常数ｇ的数值。     

电子在双垒二极管中的共振隧穿

本文对双垒二极管中的电子隧穿作了数值分析。引入隧穿矩阵，建立了透射系数的公式；利用该公式，计算了隧道电流。此外，本文还分析了势垒结构对伏－安特性的影响。     

电磁理论中复超越方程的数值解法研究

简要介绍Ｋｕｈｎ法，并以多个数值计算实例研究如何应用Ｋｕｈｎ法来解决电磁场与微波领域中遇到的复超越方程的数值求解问题。     

硅微机械电子隧穿红外探测器

介绍了一种新型的非制冷高灵敏度硅微机械电子隧穿红外探测器的工作原理 ,详细描述了这种红外探测器的设计思想和制作工艺 ,采用微机械体硅加工的三层硅结构制作出探测器原理样品 ,通过和反馈电路 (包括前置放大电路 )连接测试表明 :电子隧穿位移传感器部分的分辨率可达 10 -4 nm/ Hz,红外探测器样品已能敏感红外信号。     

RL电子枪结构模拟分析

利用电子枪数值模拟软件对RL电子枪进行模拟计算，分析枪内场分布和电子轨迹以及四个功能系统的工作原理，了解RL电子枪的结构、交叉截面位置、像散特性等，以掌握电子枪的分析方法。     

一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型

提出了一种精确求解隧穿电流的模型。通过自洽求解一维薛定谔方程和泊松方程,得到NMOS器件的半导体表面电势分布、反型层二维电子气的量子化能级以及对应的载流子浓度分布。为计算隧穿电流,采用了多步势垒逼近方法计算栅氧化物势垒层的隧穿几率,从而避免了WKB方法在突变边界处波函数不连续带来的缺陷。通过考虑(100)Si衬底的导带多能谷效应和栅极多晶硅耗尽效应,讨论了不同栅氧化层厚度下隧穿电流与栅压的依赖关系。模拟结果与实验数据吻合。     

LiNbO3衬底上电子束蒸发集成光学钛薄膜

钛扩散铌酸锂（Ｔｉ－ＬｉＮｂＯ３）光波导是最基本的集成光学器件之一。文章报道了在ＬｉＮｂＯ３衬底上，用自动电子束蒸发技术淀积Ｔｉ薄膜。对各种淀积条件下的结果测试分析表明：用０．５～１．１ｎｍ／ｓ的淀积速率和２．７×１０－４Ｐａ以下的残余气压，可以得到较好的Ｔｉ薄膜。用这种Ｔｉ薄膜已研制出了光波导、薄膜偏振器、相位调制器、光开关、光耦合器和光纤陀螺芯片等集成光学器件。