溅射工艺及底层对SmCo薄膜磁性能的影响

用多靶射频磁控溅射系统在玻璃基片上制备了SmCo磁性薄膜。并采用控制变量法研究了溅射功率、溅射时间以及溅射气压等工艺参数对薄膜磁性能的影响。结果发现，当磁性层溅射功率为60W,溅射气压为0.5Pa，溅射时间为8min；底层溅射功率为125W，溅射气压为0．5Pa，溅射时间为4min时，薄膜的矫顽力高达2．79×10^5。底层对SmCo薄膜的磁性能也有影响，振动样品磁强计测量结果表明：相比Cr、Ti底层，以Cu作为底层所得到的SmCo薄膜磁性能更好，薄膜矫顽力分别比用Cr、Ti作底层时高出56％，40％。     

溅射SmCo基永磁薄膜的结构和磁性能研究

以Sm(Co0.62Fe0.25Cu0.1Zr0.03)7.5合金为靶材,采用磁控溅射工艺在单晶Si基片上沉积了SmCo基永磁薄膜。研究了溅射工艺参数对薄膜的晶体结构、微观结构和磁性能的影响。结果表明:溅射气压和溅射功率的改变引起了永磁相变,这主要依赖于溅射工艺条件对薄膜Sm含量的影响。高的溅射压强和溅射功率都会引起薄膜晶粒的粗大化和薄膜表面的粗糙化。薄膜的晶体结构和微观结构随溅射参数的变化决定了薄膜的面内磁学行为。当溅射压强为0.3 Pa和溅射功率为5.1 W/cm2时,制备的退火态SmCo基薄膜为TbCu7单相晶体结构,其面内永磁性能良好。     

ZnCoMnO薄膜的制备、结构和磁性研究

在200～500℃的衬底温度范围,用电子束蒸镀法制备了具有室温铁磁性的ZnCoMnO薄膜.400℃制备的薄膜饱和磁化强度和剩磁最大.X射线分析表明,除200℃制备的薄膜结晶和取向较差外,其它温度的薄膜都沿C轴高度取向,(002)面间距和衍射峰半高宽(FWHM)接近相等.讨论了衬底温度对薄膜晶体结构和磁性的影响.     

退火温度对SmCo永磁薄膜微结构及磁性能的影响

采用直流磁控溅射法制备SmCo薄膜,研究了退火温度对薄膜微结构及磁性能的影响。XRD分析结果表明,当退火温度为600℃时,SmCo5相析出,而Sm2Co17相在700℃析出。SEM照片可看出,退火温度高于900℃时,六方柱状的SmCo5相和菱方状的Sm2Co17相全部析出。随着退火温度的升高,晶粒尺寸增大,当温度达940℃时,晶粒尺寸减小,而在980℃时,晶粒尺寸又将增大。VSM测试表明,与制备态的薄膜相比,退火后的薄膜在垂直于膜面方向的矫顽力、剩余磁化强度及最大磁能积都增大。960℃时得到矫顽力和剩余磁化强度的最大值,800℃时得到最大磁能积的最大值。     

溅射法制备Mn-Zn铁氧体薄膜的磁性与微结构

以交替真空溅射的方法使用成分分别为MnFe2O4与ZnFe2O4的双靶制备了成分变化的系列Mn1-xZnxFe2O4铁氧体薄膜,衬底为Si(100)。薄膜的成分通过控制不同靶的溅射时间来进行调整。沉积态的薄膜呈非晶结构,在真空炉中以适当的温度对薄膜进行退火之后能够得到多晶Mn-Zn铁氧体薄膜。组成成分为Mn0.5Zn0.5Fe2O4的薄膜呈现了相对最高的饱和磁化强度。同时还研究了制备条件对薄膜结构与磁性的影响,如溅射氧分压,退火真空度,退火温度及薄膜厚度等等。制备的薄膜相对于块状材料具有较高的矫顽力,进而讨论了应力对薄膜矫顽力的影响。     

Fe/Pt磁性薄膜的研究进展

Fe/Pt合金薄膜是重要的磁性材料.介绍了Fe/Pt合金的晶体结构以及磁控溅射法、真空电弧离子法、机械冷变形法和化学合成法4种主要制备Fe/Pt合金薄膜的方法,并对影响Fe/Pt合金薄膜磁性能的重要因素进行了评述,包括改变热处理工艺参数和添加掺杂元素.最后指出,Fe/Pt纳米结构材料具有良好的化学稳定性和较高的磁晶各向异性,因而在超高密度信息存储领域有着巨大的应用潜力.     

Cr底层对DyCo薄膜磁性能与结构影响研究

采用磁控溅射法制备了DyCo/Cr非晶垂直磁化膜.振动样品磁强计(VSM)测试结果显示,有无Cr底层的DyCo薄膜都具有垂直磁各向异性,加入Cr底层能将DyCo薄膜的矫顽力从163kA/m提高到290kA/m.薄膜断面扫描电镜(SEM)照片可以看出,Cr底层能够诱导上层的DyCo薄膜形成柱状结构.这一柱状结构导致了薄膜矫顽力的提高.     

Fe-Ni-N薄膜的结构及磁性

用双离子束溅射法在玻璃基片上制得了Fe-Ni-N薄膜，研究了Ni含,源气氛及退火温度对Fe-Ni-N薄膜的结构，磁性及热稳定性的影响。选择合适的工艺条件，可制得在（100）面方向有100％晶粒取向度的单一γ′（Fe,Ni)4N相，Ni含量为6．7％（摩尔分数）的Fe-Ni-N薄膜具有较的软磁性能，其饱和磁化强度Ms为2．04T，矫顽力Hc为0.68kA/m。但是随着Ni含量的提高，Fe-Ni-N薄膜的热稳定下降，在主源气压比PN2／PAr较低时，有利于氮含量较低的γ′相的形成，在较高的PN2／PAr条件下，则形成氮含量较高的ε-（Fe,Ni)2-3N相和ξ－（Fe,Ni)2N相。     

高饱和磁化强度FeCoN薄膜的制备

制备条件对ＦｅＣｏＮ薄膜的结构与磁性有重要的影响。选择合适的基片温度和退火方式,可以用溅射方法制备出具有高饱和磁化强度的ＦｅＣｏＮ薄膜。     

脉冲激光沉积技术在磁性薄膜制备中的应用

脉冲激光沉积制膜（PLD）是近年来迅速发展起来的制膜新技术，首先简要介绍了脉冲激光沉积技术的原理、特点和优势以及在磁性功能薄膜研究中的应用，最后说明了该技术的最新发展趋势。     

平面射频磁控溅射法制备YSZ薄膜及性能

研究了应用射频磁控溅射法在不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明,在清洁的基板上制备的ＹＳＺ 薄膜经６００ ℃以上热处理后,薄膜表面致密均匀,无裂纹,薄膜与基板的结合紧密。薄膜具有较高的电导率,完全可以作为固体电解质使用。     

透明导电氧化锌薄膜的制备

简单回顾了透明导电氧化锌薄膜的发展历程，着重介绍了各种氧化锌薄膜的制备方法和各自的优缺点，以及改进方案和在实际生产中的应用，分析了透明导电氧化锌薄膜存在的问题和解决问题的思路，最后对于氧化锌这种极具替力的材料进行了展望。     

水溶液中Sm-Co薄膜的制备及其磁学性质

在以甘氨酸为络合剂的水溶液中,利用恒电位技术成功制备出了高Sm含量(质量分数为62.2%)的Sm-Co合金薄膜。循环伏安曲线表明,甘氨酸在电化学沉积Sm-Co合金薄膜的过程中具有重要作用。络合物[CoⅡ-SmⅢ(Gly-)2(HGly±)]3+的形成有利于Sm和Co在相对低电位下的共沉积。X射线衍射仪(XRD)分析结果表明,镀态合金膜为非晶态,经过退火处理后,合金膜由非晶态转化为多晶态结构,出现了永磁相Sm2Co17,合金膜的矫顽力明显增大。     

末端形状对磁纳米薄膜自旋波模式特性的影响

基于微磁学模拟方法研究了磁纳米膜末端形状对自旋波模式特性的影响。获得了多种不同的局域化、量子化自旋波模式特性,以及末端形状对自旋波模式特性的调制规律。通过裁剪纳米膜的末端形状可有效调控边缘模式自旋波特性,存在一临界裁剪参数h0。当裁剪度hh0时,随着h的增大,边缘模式频率快速增加,局域于磁薄膜两末端的磁振荡区域向中央扩展。当h≥h0时,局域于磁薄膜两末端磁振荡在磁体中央合并为一致振荡模式自旋波,边缘模式被抑制。薄膜末端边缘形状对别的自旋波模式特性影响较小。最后,基于近似色散关系理论模型对研究结果进行了解释。     

高频脉冲电沉积Fe-Co合金组织和磁性能研究

用纯Fe片做阳极,研究在纯Cu基体上采用高频(20-140kHz)脉冲电流获得的Fe-Co合金薄膜组织和性能与沉积参数的关系,分析了阳极在沉积过程中对镀层组织和性能的作用机理.电子探针(EPMA)照片表明,提高占空比,镀层粗糙度增加.扫描电镜(SEM)结果进一步表明,提高脉冲频率可以显著增加沉积速率,使镀层变厚,因此可...     

沉积膜厚度对NdFeB薄膜形貌和磁性能的影响

采用直流磁控溅射法,以P型单晶硅为基体材料,通过调整溅射时间制备出不同厚度的NdFeB薄膜.然后对不同厚度的薄膜运用相关仪器进行表征,结果表明,NdFeB薄膜厚度随着溅射时间的延长呈现近似线性增加,不同溅射时间段的沉积速率近似相同.矫顽力随着薄膜的厚度和Nd含量的增加而增加,薄膜中F的含量由84.01％降至81.65％,Nd含量由10.73％升至13.10％,B含量在5.25％～5.38％范围内浮动.     

复凝聚法制备磁性微胶囊及其磁响应特性

采用复凝聚法,以亲油改性的纳米Fe3O4为磁性颗粒,白油为分散介质,明胶、阿拉伯胶为壁材,在不同工艺条件下制备磁性微胶囊.通过激光粒度分析仪测试微胶囊的粒径及粒径分布,采用光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察微胶囊的表面形貌及分散状态,借助磁铁和振动样品磁强计(VSM)测试微胶囊的磁响应性能.结果表明,反应溶液pH=3.8、芯壁比1∶1时,微胶囊收率最高;搅拌速率为600r/min时,微胶囊的粒径分布最均匀;在pH=3.8、芯壁比1∶1、搅拌速率600r/min条件下制备的微胶囊形状规整性及单分散性好,且囊壁透明、表面光滑,具有良好的磁响应性能,可应用于磁泳显示和靶向药物传输领域.     

添加AlN对FePt薄膜结构和磁性的影响

采用射频磁控溅射制备了FePt(50nm)和[FePt(2,3,5nm)/AlN(1nm)]n膜,之后在550℃退火30min,研究了周期数(n)和AlN含量对[FePt/AlN]_n系列多层膜结构及磁性的影响.结果表明,多层膜的矫顽力和矩形比均在n=8时出现较大值;周期数的增大会引起晶粒尺寸的长大;AlN的加入不但可以抑制FePt粒子的长大,使晶粒体积(V_grain)和磁激活体积(V*)趋于一致,而且还能有效地降低晶粒间交换耦合作用,并且AlN含量越大,晶粒间交换耦合作用的程度越弱.     

纳米晶La_(1-x)Sr_xFeO_3薄膜的制备与表征

采用Sol－gel工艺在石英玻璃和硅衬底上成功地制备了纳米晶La1-xSrxFeO3（x=0～0．4）系列薄膜，薄膜为钙钛矿结构，平均粒度在30nm左右。XPS结果表明，随着Sr含量的增大薄膜表面吸附氧含量增大。