半导体器件失效率的讨论

1.失效率定义 失效率是表征半导体器件可靠性的最重要指标之一。它以字母λ(t)表示,它表示半导体器件工作到时刻t的条件下,单位时间内的失效概率。失效率有三种表示单位:一是每小时10的负几次方,例如1×10~(-6)/小时,国内常以此单位表示;二是每小时的百分数(％/小时)或每千小时的百分数(％/千小时);三是Fit(菲特),1Fit=1×10~(-9)/小时,即10亿个元器件每小时内只允许1个半导体器件失效,国     

塑料封装对半导体器件质量的影响

本文论述了半导体器件失效的原因,并就如何提高器件的质量,尤其是可靠性的提高,从工艺角度和材料要求方面作了分析和探讨。     

温度循环对半导体分立器件气密性影响研究

阐述了影响器件气密性的各种因素和质量一致性检验中所存在的问题 ,给出了摸底试验条件的制定思路 ,并对实验结果进行了分析 ,最后就有关检漏工作问题提出了几点建议。     

内部水汽对半导体器件可靠性影响的研究

由于各种原因,国内对器件内腔水汽的危害还没给予充分重视和有效控制,器件内部水汽含量较高,使之在环境温度低于封装内水汽露点温度的条件下工作与贮存时容易发生失效,对器件可靠性直接造成威胁,是个急待解决的问题。本研究目的在于了解国产军用密封半导体器件内部水汽现状及其对可靠性的影响,探讨揭示内部水汽问题的有效试验方法,寻求降低水汽影响,提高器件可靠性的主要途径。     

美国半导体器件的失效率及其计算方法

本文用美国哈里斯半导体器件公司的实例数据介绍了如何采用新概念计算半导体失效率的方法，并收集了近年来发表的部分半导体器件失效率的数据（其中早期失效率数据是利用６０％置信度计算出来的，长期失效率是利用激活能和６０％置信度计算出来的），同时还分析了自１９９５年以来美国半导体失效率的变化趋势或可靠性改进的情况，以供参考。     

降低半导体器件失效率的有效措施

要提高电子产品的可靠性水平,必须加强对元器件的质量管理。本文系统地介绍了采用优选生产厂家、高温贮存、功率老化、质量信息反馈、改善检测手段等方法来降低半导体器件的失效率,提高整机的可靠性。实践证明,这些措施简单有效。     

侧风扩散对半导体器件模拟结果的影响

SG方法内在地具有侧风扩散现象。为了分析它对半导体器件模拟结果的影响，文中提出了一种精度高于SG方法的离散方法，然后将该方法插入到MINIMOS4．0中。离散方程采用ILUCGS方法求解。数值结果表明，半导体器件模型中的漂移项必须用高精度的离散方法离散，否则得到的数值结果不能体现物理模型的真实解。     

高功率微波和电磁脉冲对半导体器件辐射损伤的研究

主要讨论高功率微波和电磁脉冲对半导体分立器件和集成电路的辐射损伤机理，在此基础上提出有关对策，以便提高器件抗ＨＰＭ和ＥＭＰ的能力。     

晶体管非工作期失效率预计

本文根据晶体管非工作期可靠性统计数据建立了我国晶体管非工作期失效率预计模型，经验证，预计失效率与现场失效率相吻合．通过预计模型可预计晶体管在各类环境下的非工作期失效率，尤其给出了我国晶体管普通库房贮存失效率和贮存有效期．     

IC失效率的预测研究

前几篇论文中,曾对我厂多年来生产的IC进行了长达七千多小时的可靠性试验。经数据处理得出了重要的可靠性参数失效率λ、平均寿命等。可以看出我厂生产的IC可靠性已达到了较高水平。这里,再对若干电路进行了失效率的预测研究,得出的失效率λ值与试验数据处理得出的失效率λ值相比较,均在同一数量级。证明此方法可省人力、物力和财力,既能提供可靠信息,又可为厂增加经济效益。     

半导体分立器件断腿分析

本文对半导体分立器件的断腿问题作了一些分析,对断腿产生的原因及清除缺陷的途径提出了一些见解.     

行波管可靠性失效率模型的研究

本文以行波管现场使用数据和失效模式为基础，根据可靠性理论对真空电子器件失效率或平均寿命考核可靠性指标的方法，参照美国军标ＭＩＬ－ＨＤＢＫ－２１７Ｅ，Ｆ，结合我国具体实际，对行波管失效率的数学模型，采用数理统计回归分析后，定一得出我国行波管可靠性的水平，并用现场数据对失效模型进行验证，提出我国行波管总体可靠性水平与美国之间的差距。