N^＋、O^＋共注入形成SOI绝缘埋层的计算机模拟

将不同能量和注量的N+和O+离子依次注入于<100>硅片并高温退火,形成具有SiO2/SiOxNy/Si3N4埋层的SOI结构.本文使用在TRIM的基础上发展起来的IRIS模拟程序,并对IRIS模型进行了改进,对N+、O+离子共注入形成的SIMON结构进行了计算机模拟,并与实验制作的样品所做截面透射电镜(TEM)测试结果进行了比较,发现模拟结果与实验所得数据吻合.     

N+辐照非注入因素对微生物存活率的影响

低能N 辐照Escherichia coli LE392前非注入因素如干燥、真空及菌悬液室温静置时间对其存活率的影响在本文中进行了研究.结果表明,样品干燥过程中E.coli存活率并非稳步下降,而存在一个瞬间急剧降低的现象;干燥样品放入真空靶室的瞬间,真空对E.coli的致死作用最大,随真空处理时间的增加E.coli存活率虽有下降但不显著;E.coli菌悬液室温放置过程中随时间延长其真空的耐受力也相应增加,分批培养的方法为研究提供了状态一致的新鲜样品,避免了由于注入样品间状态差异所引起的试验误差.在控制非注入因素的条件下,将N 1×1014 cm-2和3×1015 cm-2注入E.coli后,相同剂量不同批次间E.coli的存活率无显著差异.     

V+C共注入对不锈钢表面机械

采用改进的MEVVA源阴极对不锈钢进行了V+C共注入,并做了X射线衍射分析,硬度和磨损实验.V+C共注入剂量为1×1017-8×1017cm-2,能量为80keV.实验结果表明,V+C共注入后不锈钢表面的机械性能得到了改善,表面硬度增加了16%-82%,而耐磨性则是未注入样品的1.4-2.2倍,最好的结果均从剂量为4×1017cm-2的样品中得到.X射线分析表明,V+C共注入后在不锈钢表面形成了新相FeV,Cr2VC2,VC,Cr23C6和Fe5C2.这些新相在提高表面硬度和耐磨性方面起了重要作用.这些结果与V+C双注入同种不锈钢所得结果进行了比较,比较结果表明共注入方法对材料表面改性比双注入方法更有效.     

N+注入对甘草多糖及耐渗透胁迫的影响

为研究N 注入对植物耐旱性的影响,实验以甘草为试材,以15%聚乙二醇(Polyethylene glycol,PEG)为渗透胁迫培养条件,研究不同能量的低能N 注入对甘草耐渗透胁迫的影响.结果表明,对甘草干种子注入总剂量为4.68×1016/cm-2,在15%PEG的渗透胁迫下,20keV的N 注入与对照相比,甘草株高生长增加40.2%(p＜0.01),叶内多糖含量增加84.8%(p＜0.01);在渗透胁迫下,株高生长和叶内多糖含量呈极显著正相关(r=.7166,p＜0.01).这一N 的注入参数可供提高甘草耐旱性种植,发挥当代刺激效应,对甘草进行离子束注入时参考.     

低能N+注入诱导大肠杆菌的16S rRNA遗传进化

为了探究低能N⁺注入对大肠杆菌16S rRNA遗传进化与耐药表征的作用,本研究利用低能N⁺注入诱变筛选耐药大肠杆菌,通过基因组de novo测序获得其16S rRNA基因序列,通过K-B法检测诱变菌株的耐药特征。结果共诱变获得了25株耐药菌株,其中5株诱变菌16S rRNA基因分别出现片段缺失,点突变(A257C),GC%含量增高,二级结构变异,并获得多药耐药特性。结果提示：低能N⁺注入可以驱动大肠杆菌16S rRNA基因的随机突变和进化,进而调节耐药基因从头合成或变异,使大肠杆菌耐药性改变。     

Ar+注入对UHMWPE摩擦学性能的影响

采用离子注入技术对超高分子聚乙烯（UHMWPE）进行了Ar＋注入表面改性,采用光学显微镜（OM）、原子力显微镜（AFM）和傅里叶变换红外光谱（FT-IR）观察和测定了Ar＋注入UHMWPE表面特性。采用万能磨损试验机考察了不同剂量Ar＋注入后UHMWPE的摩擦磨损性能。结果表明：Ar＋注入改变了UHMWPE表面颜色、形貌和微观的分子结构,提高了表面硬度和弹性模量。在干摩擦及去离子水润滑条件下,Ar＋注入后UHMWPE耐磨性能得到了明显的提高,且效果随剂量的增加而增强,然而伴随着摩擦系数增大。     

低能N+注入油脂降解菌株的诱变选育及降解条件的初步研究

通过N^＋注入解脂耶罗威亚酵母（Yarrowia lipolytica）DC-3-2,筛选出一株油脂降解率提高了11．09％的高效菌株DC．3．2．50,经10次传代实验表明该菌株遗传稳定向良好。对DC-3-2-50的降解条件进行了初步研究,结果表明,在最佳条件：初始pH9．0、接种量3．0％、温度为25--28℃、摇床转速为180-200rpm、碳源为大豆油时,其降解率最高,可达87．7％。     

惰性气体离子辅助产生Ca~+、He~+离子及其注入钛膜和纳米钛膜的微结构分析

介绍由弗里曼离子源在惰性气体辅助下产生Ca+、He+离子的研究及其分别注入钛膜与纳米膜的微结构分析。Ca+注入Ti膜样品的XPX分析表明 :在 1× 10 18注入剂量下 ,Ca的含量达 33% ,注入Ca在钛表面主要形成CaTiO3、CaO和TiO2 的化学结合的方式与钛基体连接 ;He+注入纳米钛样品的XRD的衍射谱在 15°—4 0°范围内明显分裂及变得较为尖锐 ,由谢乐公式计算出XTA0 5 - 4的纳米膜的平均晶粒粒度已增大为190nm ,证明纳米膜内层晶粒度确有一定长大。而AFM在微米视场下观察到纳米钛膜的表层粒子粒度虽有所长大 ,但在纳米视场却观察到大量的亚结构 ,表明在高剂量注入下 ,存在纳米钛膜表层粒子同时又被碎化成微晶的重要现象。     

低能N+注入对小麦反转录转座子WIS2-1A表达活性的影响

本实验采用不同剂量低能N^＋注入小麦种子,研究种胚在萌动的不同阶段反转录转座子WIS2-1A的表达活动,分析低能N^＋注入对WIS2-1A表达的时间效应和剂量效应。结果显示种子培养初始的60 h内,室温对照组、真空对照组、0.5&#215;10^17 N^＋/cm^-2注入组和1.0&#215;10^17 N^＋/cm^-2注入组的种胚中,反转录转座子WIS2-1A始终维持低水平的表达,且随着种子培养时间延长,表达活性显著下降。经过0.5&#215;10^17N^＋/cm^-2处理的小麦,在培养30 h时,种胚内WIS2-1A的相对表达量最高,达到对照的138倍。该发现表明反转录转座子WIS2-1A可能在低能离子束对当代小麦的诱变效应中起一定作用。掌握WIS2-1A对不同剂量低能N^＋注入的敏感性和它的表达活动规律,能够为低能离子注入生物有机体产生诱变效应的理论研究提供基础。     

N+注入对甘草叶片腺体和腺体分泌多糖及叶片多糖的影响

甘草叶片上生长有能分泌多糖的腺体,腺体分泌的多糖液累积于腺体头部呈透明"球状",功能叶上所有的腺体均向腺体头部分泌多糖液,枯黄衰老叶上的腺体头部仍然具有完整的呈"球状"的多糖液.对甘草干种子注入总量为4.68×1016/cm2、能量为10-25keV的N 对甘草叶片腺体数、腺体分泌多糖、叶内多糖、叶片总多糖均有刺激效应.其中15 keV的N 注入叶片腺体分泌多糖比对照提高44.1%(P＜0.01);甘草叶面腺体数和腺体分泌多糖呈明显的正相关(r=0.4537,P＜0.1).20keV的N 注入甘草叶片总多糖含量比对照提高31.8%(P＜0.01).这些N 注入甘草干种子的能量、注量参数可供对甘草进行离子束育种时参考.     

Reduction of self-heating effect in SOI MOSFET by forming a new buried layer structure

An inherent self-heating effect of the silicon-on-insulator (SOI) devices limits their application at high current Ievels. In this paper a novel solution to reduce the self-heating effect is proposed, based on N+ and O+ co-implantation into silicon wafer to form a new buried layer structure. This new structure was simulated using Medici program, and the temperature distnbution and output characteristics were compared with those of the conven-tional SOI counterparts. As expected, a reduction of self-heating effect in the novel SOI device was observed.     

SOI NMOSFEET单粒子效应的3-D模拟

随着SOI器件尺寸不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于其敏感区域的机理研究显得越来越重要.本文利用软件对SOI MOSFET的敏感区域进行了3-D空间模拟,阐述了敏感区域的机理:截止NMOSFET的反偏漏结迫使单粒子轰击产生的电子空穴对分离,漏极迅速收集电子产生瞬时电流,空穴向体区漂移并在体区堆积,使体电势升高导致寄生三极管开启产生较长时间的放大电流.良好的体接触能够快速抽走堆积的空穴,抑制体电位的升高,降低漏极收集电流.     

6—30keVB^＋,C^＋,N^＋,O^＋与H2碰撞单电子剥离的实验研究

用增长率方法首次测量６－３０ｋｅＶＢ＾＋、Ｃ＾＋、Ｎ＾＋、Ｏ＾＋与Ｈ２碰撞的单了截面，给出的Ｂ＾＋和Ｃ＾＋和６－３０ｋｅＶ能区截面随离子能量的趋势与已有的１００－２５００ｋｅＶ能区截面的变化趋势衔接很好。根据截面随入射离子能量和核电荷数的变化，对碰撞机理作了分析，Ｂ＾＋、Ｎ＾＋、Ｏ＾＋与Ｈ２碰撞的单电子剥离截面的变化规律由分子轨道模型得到很好的解释。     

离子注入SOI薄膜材料的制备及性能

ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功能、抗辐照等优点。用氧、氮离子注入硅中,得到性能良好的ＳＩＭＯＸ和ＳＩＭＮＩ薄膜材料。用扩展电阻、霍耳效应和深能级瞬态谱等多种方法研究了ＳＯＩ材料表面界面的电学性能。并对各种方法进行了讨论。结果显示,用分步注入和分步退火制备的ＳＯＩ材料大大地改善了材料的电学性能。     

基于SOI微剂量实验测量技术的研究现状与展望

对目前微剂量测量中常用的组织等效正比计数器(TEPC)和基于绝缘体上硅(SOI)技术的微剂量计的特点和研究现状进行了分析,对比了二者的优缺点,指出TEPC在微剂量实验测量方面存在的缺陷。重点分析了SOI微剂量计的研究现状,对五代SOI微剂量计的物理设计结构作了详细说明,并对其在中子、质子和重离子微剂量测量方面以及组织等效转换方面的研究现状进行了详细分析,指出该技术目前存在的问题,并在此基础上对其发展前景进行了展望。     

Effects of total dose irradiation on the threshold voltage of H-gate SOI NMOS devices

This work researched the impact of total dose irradiation on the threshold voltage of N-type metal oxide semiconductor field effect transistors(nMOSFETs) in silicon-on-insulator(SOI) technology.Using the subthreshold separation technology,the factor causing the threshold voltage shift was divided into two parts:trapped oxide charges and interface states,the effects of which are presented under irradiation.Furthermore,by analyzing the data,the threshold voltage shows a negative shift at first and then turns to positive shift when irradiation dose is lower.Additionally,the influence of the dose rate effects on threshold voltage is discussed.The research results show that the threshold voltage shift is more significant in low dose rate conditions,even for a low dose of100 krad(Si).The degeneration value of threshold voltage is 23.4%and 58.0%for the front-gate and the back-gate at the low dose rate,respectively.     

注N~+高速钢表面层精细组织结构的电镜分析

本文对N离子注入W18Cr4V高速钢前后的表面层精细组织结构用透射电镜进行了比较分析。N离子注入能量为100keV,注入剂量为1.7×10~(17)/cm~2和2×10~(17)/cm~2。电镜分析发现,经注N~+的高速钢表面层组织形貌发生了显著变化,α-Fe基体中产生了很多辐照损伤区域,孪晶结构消失,α-Fe出现多晶化的倾向,位错密度明显降低,而且残余碳化物破碎呈现龟裂状形貌。文章对上述变化的机理作了初步分析。     

Multi-effects and Mechanism of Broad Beau M_1 Root-tip Cells Implanted by Low Energy N~+ Beam

1. IntroductionThe biotechnolbgy of low energy ion beam (LEIM)has progressed rapidly in recent years. It has beenfirst focused into applied research on induced effects11], and now) many studies on mechanisms of LEIM'sbioeffects have been also reported [2,3]. These studies were mostly centralized in partial effects of variations of MI or MZ vigor of germination, chromosome distortion, cell surf are structure changes andDNA damage et al. Here, we reported the systematicstudy of a higher di…