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《电子科技文摘》2003,(10)
Y2002-63198-1899 0322368采用部分放电的高阻抗 IGBT 模块技术=IGBT mod-ule technology with high partial-discharge resistance[会,英]/Mitic,G.& Licht,T.//2001 IEEE Industry Ap-plications Conference,Vol.3 of 4.—1899~1904(ME)Y2002-63198-1912 0322369电力周期对于 IGBT 半导体电源组件的可靠性研究=Reliability of power cycling for IGBT power semiconduc-tor modules[会,英]/Morozumi,A.& Yamada,K.// 相似文献
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《电子科技文摘》2003,(6)
Y2002-63196-359 0311943碳化硅门电路关断晶闸管(GTOs):静态与动态特性=Silicon carbide GTOs:static and dynarnic characterization[会,英]/Elasser,A.& Park,J.//2001 IEEE IndustryApplications Conference,Vol.1 of 4.—359~364(ME)Y2002-63209-175 0311944硅电力半导体器件的电压控制能力和关断方法=Voltage handling capability and termination techniques ofsilicon power samiconductor devices[会,英]/Charitat,G.//2001 IEEE Proceedings of the 2001 Bipolar/BiC-MOS Gircuits and Technology Meeting.—175~183(TE) 相似文献
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《电子科技文摘》2001,(9)
Y2001-62724-164 0114820无线频率 IC 应用的金属栅 MOSFET 模拟=Metal-over-gare MOSFET modeling for radio frequency IC ap-plications[会,英]/MacEachern,L.& Manku,T.//2000 IEEE International Symposium on Circuits and Sys-terns.Vol.2.—164~167(HC)本文分析了高频特性的金属栅(Metal-Over-gate)MOSFET.研究了栅和金属栅的分布特性,给出小信号参数分析,依据全面分析推导了简化小信号 Y 参数,并用来构成等效小信号抽运电路模型,说明与常用MOSFET 比较,金属栅 MOSFET 育较高 Gmax。参11 相似文献
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《电子科技文摘》2000,(12)
Y2000-62448 00200521999年 IEEE 亚太地区微波会议录,卷1=1999 IEEEproceedings of Asia pacific microwave conference,Vol.1of 3[会,英]/MTT/AP/EMC Chapter,IEEE SingaporeSection.-IEEE,1999.-213P.(EC)本会议录收集了于1999年11月30日至12月3日在新加坡召开的亚太地区微波会议上发表的54篇论文(本书为第一卷),内容涉及微波电路,固体器件与电路,相位与有源阵列技术,计算机辅助设计,微波天线,电磁兼容与计算电磁学。 相似文献
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《电子科技文摘》2003,(5)
Y2002-63371 03094772001年西伯利亚俄罗斯电子器件与材料专题会议录=2001 Siberian Russian student workshop on electrondevices and materials proceedings[会,英]/NovosibirskState Technical University.—149P.(E)本会议录收集了在阿尔泰 Erlagol 召开的电子器件与材料会议上发表的57篇论文,内容涉及半导体电子器件模拟及电子材料中的物理现象,工业电子学,宽带晶体管放大器,现代控制技术与信息传输,企业运作用因特网,交通灯微处理控制器,钻床控制与检验系统。 相似文献
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《电子科技文摘》2003,(4)
Y2002-63306-541 0307160扫描扩展电阻显微术检测 InP 基器件可靠2维载流子轮廓=Reliable 2-D carrier profiling with SSRM on InP-based devices[会,英]/Xu,M.W.& Hantschel,T.//2001 IEEE International Conference on Indiurn Phos-phide and Related Materials.—541~544(E)Y2002-63352 0307161第4届 Kharkov 国际会议录:物理学与毫米波、亚毫米 相似文献
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《电子科技文摘》2002,(10)
0219655用荧光粉转换方法制备纯绿色 LED[刊]/蒋大鹏//发光学报.—2002,23(3).—311~313(E)采用荧光粉转换的方法制备了纯绿色 LED,所制备的纯绿光 LED 的发光峰值在520nm,其半峰宽约为30nm,法向光强为600mcd。参20219656高亮度发光二极管中的电注入和光输出过程的理论分析[刊]/邓云龙//发光学报.—2002,23(3).—255~260(E)通过对典型结构的高亮度发光二极管(HB-LED)的注入电流扩展以及器件的光输出的理论分析,计算了 LED 的电流密度分布和光输出效率与顶层厚度的关系,结果表明顶层厚度对器件光电特性的影响很大, 相似文献
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《电子科技文摘》2001,(2)
Y2000-62474—731 0101959超薄氧化物中的低压隧道效应:界面态与衰降监视器=Low voltage tunneling in ultra-thin oxides:a monitorfor interface states and degradation[会,英]/Ghetti,A.& Sangiorgi,E.//1999 IEEE International Electron De-vices Meeting.—731~734(PC)Y2000-62185-179 0101960镉砷化物薄膜器件的介质击穿和电沉淀现象=Dielec-tric breakdown and electrofoming phenomenon in thecadmium Arsenide thin films devices[会,英]/Din,M.B.H.& Gould,R.D.//1998 IEEE International Con-ference on Semiconductor Electronics.—179~183(E) 相似文献
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《电子科技文摘》2006,(7)
0617063宽禁带半导体器件的发展〔刊,中〕/毕克允//中国电子科学研究院学报.—2006,1(1).—6-10(G)概要介绍了宽禁半导体器件的近期发展情况。AlGaN/GaN微波功率HEMT、蓝光激光器和紫外探测器在军用电子系统中具有特殊重要的应用价值,同时在民用领域也有良好的应用前景和广阔的市场。简要描述了它们的技术特点,以及在相控阵雷达、电子战系统、精确制导、水下光通信和探测系统中的应用前景。界面电荷耐压模型:SOI高压器件纵向耐压新理论〔刊,中〕/郭宇锋//固体电子学研究与进展.—2006,26(1).—11-15(D)基于求解二维Poisson方程,分析了… 相似文献
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《电子科技文摘》2001,(1)
SPIE-Vol.3621 01002411999年 SPIE 会议录,卷3621:发光二极管研究、制造与应用(3)=1999 Proceedings of SPIE,Vol.3621:light-emitting diodes:research,manufacturing,and ap-plications Ⅲ[会,英]/SPIE-the International Society forOptical Engineering.—1999.—260P.(PC)本会议录收集了于1999年1月27~28日在美国加州圣何塞召开的发光二极管研究、制造与应用专题讨论会上发表的27篇论文。内容涉及Ⅲ-氮化物发光二极管.Ⅲ-氮化物与相关材料.有机与聚合物发光二极管(LED).Ⅲ-As 与Ⅲ-PLED,以及新结构与材料等。 相似文献
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《电子科技文摘》2002,(9)
Y2002-63209 02173252001年 IEEE 双极/双极互补 MOS 电路与技术会议录=2001 IEEE proceedings of the 2001 bipolar/BiCMOSOrcuits and technology meeting[会,英]/IEEE ElectronDevices Society.—2001.—199P.(E)本会议录收集了于2001年9月30~10月2日在明尼苏达州 Minneapolis 召开的双极互补 MOS 集成电路及技术会议上发表的40篇论文,内容涉及双极技术进展,硅与锗硅晶体管建模0.25μm与0.18μm 双极互补 MOS 技术,双极器件与器件物理,射频系统与元件,信息时代的模拟设计,高速电路设计。 相似文献