微电机换向器用内氧化法AgCuONiO电接触材料的结构及性能研究

内氧化银基合金具有优良的导电性和耐磨性,已成为一种重要的电接触材料并成功应用于微电机换向器领域。本文利用x射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、显微硬度仪（MHT）以及寿命试验分别对微电机换向器用AgCu4Ni0-3合金内氧化前后的结构及性能进行了研究。结果表明,AgCu4Ni0．3合金在700℃、0．5arm氧分压下氧化3h后完全氧化,氧化产物CuO、NiO颗粒均匀弥散分布于氧化层基体中,增强了合金的热稳定性;AgCu4Ni0．3合金的软化温度由氧化前的250℃提高到400℃。寿命试验表明,相比AgCuNi／TUl材料,AgCuONiO／TUl复合材料制成的换向器具有更高的耐磨损性能,在电接触材料领域具有广泛的应用前景。     

内氧化法制备银氧化锡电接触材料

AgSnO2电接触材料具有优良的抗电弧侵蚀性和抗熔焊性,在交直流接触器、功率继电器和低压断路器等领域已经部分或全部取代了AgCdO材料。内氧化法是制造AgSnO2电接触材料工艺最成熟、应用最广泛的一种方法。本文计算了Ag-Sn合金的内氧化热力学条件参数,论述了内氧化过程中SnO2颗粒的形核、长大和粗化过程,并采用合金粉末成形-内氧化-热挤压新工艺制备了SnO2颗粒细小弥散、性能优越的AgSnO2电接触材料。     

AgZnO电接触材料内氧化热力学和动力学研究

研究了Ag_Zn合金内氧化的热力学和动力学问题。热力学计算结果表明:Ag_Zn合金内氧化在热力学上是可行的。采用氧化增重实验测出了Ag_Zn合金氧化动力学曲线,结果表明:Ag_Zn合金快速氧化增重温度区间为600~800℃,且随着温度的升高,Ag_Zn合金的氧化越充分。内氧化法制备的AgZnO材料组织呈连续的网状分布,ZnO颗粒弥散分布于Ag基体中,Ag和ZnO结合紧密。     

AgCuONiO电接触复合材料物理性能与颗粒粗化机制研究

以Ag板、Cu板和Ni板为原料,经合金冶炼工艺制得的AgCuNi合金采用内氧化法制备了AgCuONiO电接触复合材料.主要考察了氧分压、氧化温度等工艺参数对AgCuONiO材料的氧化率、硬度和电阻率的影响,并探究其微观机制.采用扫描电镜、维氏硬度计和电导率仪等对AgCuONiO材料的微观结构和物理性能进行了表征.结果表明:随着氧压从0.021 MPa增加至1.0 MPa,样品氧化层厚度及氧化率呈先上升至波峰而后下降并趋于平缓的变化趋势,而氧化层的电阻率性能变化规律呈近似"V"型分布态;氧化温度为600℃～800℃时,随着氧分压的增加,氧化层硬度呈平缓上升趋势.内氧化法制备AgCuONiO电接触复合材料的最优工艺参数:氧化温度区间为750℃～800℃、氧分压0.5 MPa.微观组织分析结果表明,随着氧化温度的升高,氧化层出现由氧化物颗粒偏析构成的大量晶界网络,形成晶界偏析效应.当氧化温度升至800℃或850℃时,氧化层微观组织中小晶界合并消亡并长大形成大晶界组织;当氧化温度850℃时,大晶界组织内部存在较多呈弥散分布的氧化物析出颗粒,同时在界面处出现了Ag成分富集区,导致整个氧化层的硬度分布不均匀.AgCuONiO材料的内氧化机制是由内氧化前端氧化物形核与沉淀颗粒长大之间相互竞争的结果,沉淀析出相在浓度梯度等扩散因素驱动下发生颗粒粗化.     

合金内氧化法AgCdO(17)触点材料组织改善研究

为研究Ag Cd合金的加工工艺对内氧化后的Ag Cd O触点材料组织的影响,改善高Cd含量的Ag Cd O触点材料的组织和性能,本文采用两种不同的工艺制备了Ag Cd O(17)触点材料。结果表明,新工艺制备的Ag Cd O触点较常规工艺具有组织均匀、复银界面良好的特点。这两种工艺加工触点材料组织变化源于其加工原理和组织形成机理存在着差异:常规工艺热轧发生动态再结晶,组织均匀细小,易冷轧细化和内氧化粗化;新工艺组织由大量粗大的退火孪晶组成,不易冷轧细化,内氧化过程中长大也缓慢。此外,新工艺中的退火处理分散了内氧化前与氧逆扩散富集于复银界面处的Cd原子,从而使Ag Cd O触点获得了良好的复银界面。     

Cu-Al合金内氧化热力学与动力学研究

研究了Cu-Al合金内氧化热力学与动力学。热力学计算结果表明,Cu-Al合金内氧化在热力学上是可行的,并绘制了合金内氧化热力学区位图。经氧化实验获得Cu．1．0％AI合金氧化增重图。Cu-1．0％Al合金快速氧化的温度区间为700-900℃。铜基复合材料的导电率、硬度和密度均随着内氧化温度升高而增大。当内氧化温度超过900℃以后,材料的性能变化趋于平缓。     

新工艺制备AgZnO电接触材料的组织与性能研究

采用气体雾化-烧结内氧化-热锻(atomization-internal oxidation-foring,缩写为AIOF)工艺制备AgZnO触头材料。用X射线衍射、金相显微镜和扫描电镜等研究了气体雾化法制备AgZn合金粉的粒度、形貌及成分,分析了AIOF工艺制备的AgZnO触头材料的相组成、显微组织和物理性能,并探讨了AgZn合金粉末压坯烧结内氧化的过程。结果表明:气体雾化法制备的AgZn合金粉末中,粒度小于125μm的粉末占总量的82%,颗粒多数为不规则形状;AIOF工艺制备的AgZnO材料组织均匀,电阻率为1.87μΩ.cm,相对密度为98%,硬度HV为102.8,其性能优于传统粉末冶金法制备的材料。AgZn合金粉末压坯烧结内氧化开始在粉末颗粒边界进行,然后逐渐深入颗粒内的晶界和晶粒内部,且ZnO的长大也首先发生在颗粒边界,因此颗粒边界上的ZnO比较粗。     

Cp／CuCd电接触材料大气氧化动力学研究

１．０ｗｔ．％镉对铜基材料氧化膜的生长具有明显的抑制作用。０．１ｗｔ．％镧对铜基材料的抗氧化性能的提高也起到积极的促进作用。金刚石的加入急剧加速了Ｃｐ／ＣｕＣｄ材料氧化膜的生长速度。Ｃｐ／ＣｕＣｄ系材料的氧化膜生长规律不遵循抛物线定律，而呈立方规律生长。实际条件下氧化膜的生长规律是复杂的。     

合金内氧化法在制备银氧化铜(AgCuO)电触头材料中的应用

介绍了合金内氧化法的发展及其特点，探讨了合金内氧化法在制备银氧化铜电触头材料中的应用。     

Cp／CuCd电接触材料氧化膜组元的确定

本文利用射线光电子能谱（ＸＰＳ）对Ｃｐ／ＣｕＣｄ电接触材料表面氧化膜的组成进行了研究。结果发现,当氧化膜较薄时,氧化物为氧化亚铜（Ｃｕ２Ｏ）;只有在氧化膜很碍时,才有氧化铜（ＣｕＯ）出现,Ｃｐ／ＣｕＣｄ电接触材料原始太表面氧化膜厚度约为１０ｎｍ,主要由氧化亚钢＊（Ｃｕ２Ｏ）和铜（Ｃｕ）构成。     

预合金粉末内氧化法生产高性能AgMeO触头材料

采用预合金粉末内氧化及后续热加工法(AF法)生产AgMeO触头材料,工艺过程简单,产品质量可靠,综合性能好,经济效益佳,是生产高性能AgMeO触头材料合理、高效的工艺方法之一。适合在我国电工材料行业大力推广。     

电触点材料接触电阻分析

分析了电触点材料接触电阻产生的原因、影响因素以及电触点材料常用金属元素的腐蚀行为。概述了降低电触点材料接触电阻、防止触点元件失效的方法。     

热压法制备AgSnO2电触头材料性能的研究

为了解决采用合金内氧化工艺难以氧化透较厚产品的问题,采用粉末冶金、内氧化和热压相结合的工艺制备AgSnO2电触头材料,研究了初压密度对材料制备过程的影响以及热压对材料性能的影响。研究结果表明,采用合金粉末压制烧结、内氧化和热压相结合的工艺可以生产出性能良好的AgSnO2电触头材料;经过热压后,氧化物颗粒细小并均匀分布在银基体上;最终产品的密度达到9.89g/cm3,电阻率小于2.8μΩ.cm。     

内氧化法AgSnO_2In_2O_3电触头材料研究现状

介绍了内氧化的理论基础,从工艺流程、组织、性能及添加剂方面综述了内氧化法银氧化锡氧化铟(AgSnO_2In_2O_3)电触头材料的研究现状,并展望了内氧化法AgSnO_2In_2O_3电触头材料的发展趋势。