类锂钛离子电子碰撞激发截面和速率系数

在Ｚ标度类氢模型下，用Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｏｒｎ交换近似计算了‘水窗’波段类锂钛离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。为了更好地考虑碰撞过程中电子的关联效应和相对论效应，在计算过程中对有效核电荷的计算作了修改。     

离子与原子碰撞中多电子转移的经典描述

讨论了几各地独立电子模型（ＩＥＭ）描述离子与原子碰撞中电子转移的经典模型，即Ｂｏｈｒ－Ｌｉｎｄｈａｒｄｔ模型，过垒模型ＯＢＭ和分子库仑垒模型ＭＣＢＭ。较详细阐述了描述碰撞过程的经典物理图象，着重讨论了ＭＣＢＭ描述的多电子转移过程，分析了几各模型的特点和适用性，最后在考虑了入射离子量子数亏损和出射过程电子束缚能移动的修正后，给出了修正后的ＭＣＢＭ的计算结果，并与Ｎｉｅｈａｕｓ的计算结果玫实验结果进行     

Mn^22＋电子碰撞激发截面和速率系数

采用Ｃｏｕｌｏｍｂ－Ｂｒｏｎ交换近似，在Ｚ标度类氢模型下计处了“水窗”波段Ｍｎ＾２２＋离子精细结构能级的电子碰撞激发截面和速率系数。为了更有效地考虑碰撞过程中电子的关联和相对论效应，在计算中对有效核电荷的计算作了修改。     

磁场对直流辉光放电阻极鞘层中电子输运过程的影响

采用Ｍｏｎｔ－Ｃａｒｌｏ模拟方法研究了磁场对直流辉放电阴极鞘层中电子输运过程的影响，磁场垂直于阴极鞘层中电场的方向，模型中，电子与中性粒的碰撞过程有三种。电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率来决定，计算了电子的密度分布，电子与中性粒的非弹性碰撞速率，以及电子能量和电子通量分布等，结果表明，横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程，磁场中电子与中性粒子的非性弹碰撞速率被增强，这一结     

低能非裸核高离化态离子与氢原子碰撞的电子俘获

基于单通道ＬａｎｄａｕＺｅｎｅｒ模型给出的电子俘获的反应窗口，分析了低能裸核离子与氢原子碰撞和非裸核离子与氢原子碰撞的电子俘获过程。结果表明：如果初、末态间的非绝热势能曲线的交点落在相应的反应窗口内，则多通道ＬａｎｄａｕＺｅｎｅｒ方法仍然能够给出较好的结果。用该方法对低能Ｃ３＋＋Ｈ，Ｃ４＋＋Ｈ和Ｏ５＋＋Ｈ碰撞的电子俘获截面进行了计算，其结果与我们的分析是一致的。     

类氢离子电子碰撞电离截面的扭曲波计算

在扭曲波库仑玻恩交换似近下用编制的计算程序计算了类氢离子Ｈｅ，Ｃ，Ｎｅ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｆｅ的电子碰撞电离截面，并将结果与Ｙｏｕｎｇｅｒ的扭曲波结果作了比较。在２％以内本文的结果与Ｙｏｕｎｇｅｒ的结果一致。并详细研究了半经典交换势对电子碰撞电离截面的效应以及沿等电子数序列变化的规律     

周期量级超短激光脉冲作用下导带电子的光吸收与碰撞电离

激光照射下光学材料的损伤过程中，导带电子的加热和碰撞电离是非常重要的过程，影响着导带电子的产生、晶格能量的沉积和破坏.分析了Drude模型的局限性，从经典力学出发求解了周期量级激光场中导带电子的运动方程，计算了导带电子的光吸收和碰撞电离，分析了激光强度、载波相位等对碰撞电离的影响. 关键词： 周期量级超短激光脉冲 导带电子 碰撞电离     

ECR微波放电氩离子输运过程的研究

建立了电子回旋共振（ＥＣＲ）微波放电等离子体中离子输运过程的蒙特卡罗模型，考虑了离子与中性原子的电荷交换碰撞和弹性碰撞，以及精确依赖于离子能量的电荷交换和动量转移截面，模拟了源于氩气ＥＣＲ微波放电的氩离子向衬底输运的过程，得到与实验报道相符的模拟结果。     

电子碰撞离化H（1s）末态波函数动量相关效应

考虑电子碰撞离化Ｈ（１ｓ）末态波函数中电子动量相关效应对三重微分散射截面（ＴＤＣＳ）的影响，结果发现在中，高入射能情况下，采用本文提出的电子有效核电荷表达式，ＴＤＣＳ计算结果与实验值符合得非常好。     

电子与类锂离子碰撞激发截面和速率系数

用自编的扭曲波程序ＡＣＤＷ（９）和拟合程序ＦＩＴ（９），计算了一系列类锂离子的碰撞激发过程．找出了约化碰撞强度Ω_ｒｅｄ是约化电子能量ε_ｒｅｄ的慢变函数，约化速率系数因子γ_ｒｅｄ是约化电子温度Ｔ_ｒｅｄ的慢变函数．对某种离子的一个激发过程，可用１０个参数描述，由这１０个参数可以得到任意电子能量下的碰撞强度和激发截面，以及任意温度下的速率系数 关键词：     

电子束泵浦氩中高能电子分布的理论计算

 改进了文献中报导的Boltzmann基本方程。与Boltzmann基本方程相比，改进后的Boltzmann方程更全面地描述了电子与基态氩原子碰撞的物理过程，并能计算出整个能量区间的电子分布。利用Boltzmann基本方程和改进的Boltzmann方程，对电子束泵浦氩中能量大于氩原子第一激发态能量(11.56eV)的高能电子分布函数进行了理论计算。计算中，选取了电子碰撞氩的微分电离截面和激发截面的解析表达式。对计算所得的稳态电子分布函数以及达到稳态分布所需的特征时间进行了分析和讨论。     

短脉冲激光辐照下SiO2损伤微观机理简化模型

 从电子密度速率方程出发，建立短脉冲激光辐照下SiO₂材料中导带电子增长简化模型，计算了SiO₂中光致电离速率和电子雪崩速率，得到SiO₂激光损伤阈值与脉冲宽度的关系，计算分析了光致电离和碰撞电离两种电离机制在导带电子累积过程中的不同作用。结果表明：脉冲较长，碰撞电离几乎能提供全部的导带电子，激光损伤阈值与脉宽的0.5次方成正比；脉冲较短时，导带电子主要由碰撞电离产生，光致电离提供碰撞电离的初始电子，激光损伤阈值随着脉宽的减小，先增加后减小。     

O5+离子与H原子碰撞时电子俘获概率的计算

利用原子轨道作基函数展开系统波函数，附加电子转移因子修正O５＋离子和H原子相互作用时的边界条件，计算了初始通道的势能.在得出的理论值与实验值符合很好的情况下，验证了计算参数的可靠性.在碰撞参数b=80a.u.,碰撞速度v=2200a.u.的条件下，利用心核近似方法完成了O５＋离子和H原子碰撞过程中8个Σ状态的随时间变化电子俘获概率的理论计算. 关键词： O５＋离子 H原子 碰撞 电子俘获     

类硼离子N^2＋的电子碰撞电离—单通道截面的共振增加

使用Ｒ－矩阵方法，在库仑－玻恩非交换近似下（ＤＣＢＮＸ）采用三态密耦图象，计算了类硼离子Ｎ２＋的电子碰撞电离截面，并给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面。计算结果揭示了明显的Ｒｙｄｂｅｒｇ系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Ｃｈｉｄｉｃｈｉｍｏ的结论一致。     

磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响

采用MonteCarlo模拟方法研究了磁场对直流辉光放电阴极鞘层中电子输运过程的影响.磁场垂直于阴极鞘层中电场的方问.模型中,电子与中性粒子的碰撞过程有三种(弹性碰撞;激发碰撞和电离碰撞).电子的自由飞行步长由电子与中性粒子的碰撞频率来决定.计算了电子的密度分布,电子与中性粒子的非弹性碰撞速率,以及电子能量和电子通量分布等.结果表明,横向磁场能在一定程度上改变直流放电中电子的输运过程.磁场中电子与中性粒于的非弹性碰撞速率被增强,这一结果与实验结果符合较好.     

混合模拟方法模拟电子在固体表面的背散射

将电子输运的直接模拟方法和压缩历史方法相结合,建立能量为50 eV~1 GeV范围的电子在介质中输运的混合模拟蒙特卡罗方法.通过调整散射角参数和损失能量参数控制单次碰撞发生的次数,输运过程中单次碰撞采用直接模拟,在两次直接碰撞之间使用压缩历史方法模拟发生的多次小碰撞过程.利用该方法模拟电子在固体表面的背散射过程,探讨不同计算参数对计算效率和结果的影响,计算不同能量电子在固体表面的背散射系数和出射电子能量分布,计算结果与实验数据符合较好.     

A^z^＋—H（1s）碰撞中的电荷交换和电离

本文采用与经典轨道蒙特卡罗方法（ＣＴＭＣ）不同的方法，利用精确的量子力学氢原子的波函数，抽样氢原子中电子的位置及动量分布，而不是用经典轨道抽样的办法。仔细计算了Ｈ＾＋，Ｈｅ＾２＾＋，Ｌｉ＾３＾＋，Ｃ＾６＾＋，Ｏ＾８＾＋，Ｎｅ＾１＾０＾＋，Ｓｉ＾１＾４＾＋等全裸离子与氢原子碰撞过程中的电子俘获及电离截面，并给出被俘获后的电子在入射裸离子中的壳层分布图象，实际计算表明，其结果是令人满意的，特别是俘获截     

中高能α粒子与类氦离子和Li原子碰撞中电子俘获截面的计算

用两态原子轨道展开方法研究计算了中高能α粒子与类氦离子（Ｂｅ２＋，Ｂ３＋，Ｃ４＋，Ｎ５＋，Ｏ６＋）和Ｌｉ原子碰撞中电子俘获截面。结果表明，在中高能区的结果与实验较好地符合。     

0^3＋与H2碰撞中解离电子俘获过程的全量子计算

利用全量子的分子轨道强耦舍方法。我们研究了基态的O^3（2s^22p^2P）与氢分子碰撞的解南电荷转移过程．分子轨道强耦合计算中采用了自旋耦合价带理论计算的三原子分子势能面和径向耦合矩阵元．对氢分子的自身转动，我们采用无限阶的冲量近似方法，在入射离子能量为0．1 eV／u到500 eV／u的能量区间。我们得到了非解离碰撞过程的振动态选择单电子俘获截面和解离碰撞过程的单电子俘获微分截面，发现解离碰撞截面大约占非解离过程的10％．这表明在实际的应用中。必须包含解离俘获过程的贡献．     

He^2＋离子与氢原子碰撞电离的扭曲波计算

应用程函近似的连续扭曲波方法研究He^2 离子与氢原子的碰撞电离过程，计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和速度变化的一阶、二阶微分截面。计算结果展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机制。