类氢类氦类锂镁离子双电子复合的旁观电子角动量研究

类氢类氦类锂镁离子经中间双激发态进行的双电子复合过程在研究惯性约束聚变电子温度中占有很重要的地位.用准相对论方法计算了双电子复合经不同Rydberg态跃迁通道的复合速率系数,并给出不同离化度离子的双电子复合速率系数随电子温度的变化规律.显示出离子的相关能对峰值的电子温度有很大影响,当类氢离子跃迁通道的旁观电子角动量为1时双电子复合系数最大,而类锂离子是旁观电子角动量为3时最大. 关键词： 双电子复合 镁离子 角动量     

类硼氧离子基态双电子复合速率系数的研究

由于氧广泛存在于星际物质中,对氧等离子体的诊断十分重要。双电子复合速率系数是对等离子体平衡状态诊断的重要参数。本文采用全相对论Flexible atomic code(FAC)研究了类硼氧离子从基态2s22p1(J=1/2)俘获电子,经过2s12p2 n′l′双激发态通道的双电子复合速率系数。忽略贡献很小的辐射级联效应,考虑组态相关,细致计算了n′≤9,l′≤n′-1的所有组态。使用了n′-3标度规律采用组态-组态外推法计算,计算了n′≤1000的所有组态总双电子复合速率系数。分析了双电子复合速率系数与不同被俘获轨道主量子数n′和轨道量子数l′的关系,认为对双电子复合其主要贡献的是n′=3和n′=5,且DR系数在l′=2时出现峰值。即基态通过2s2p2 n′l′的双电子复合伴线光谱中最强的光谱线对应跃迁为2s2p23d的双电子复合过程。该通道总的DR系数随温度升高而先增后减,在0.5eV左右出现最大值,认为此温度下双电子复合效率最高。低温时对于n′较大的组态可以忽略,高温时则需要考虑。     

Ti、Cr类氦双电子复合速率系数的量子力学计算

本文用全量子力学方法计算了Ti、Cr类He总双电子复合速率系数和态-态双电子复合速率系数,给出了Ti、Cr类He态-态双电子复合速率系数与旁观主量子数、与原子实耦合对称性,以及与谱项多重性、对称性和角动量之间的关系.计算结果显示1s2pnp→1s2np和1s2pnd→1s2nd两衰变通道的双电子复合速率系数占总双电子复合速率系数的75%,成为对总双电子复合速率系数贡献最大的两个复合通道.本文得到了能用于冕区等离子体诊断目的的Ti、Cr类 He双电子复合数据.     

Au激光等离子体的双电子复合速率系数

基于准相对论多组态HartreeFock理论和扭曲波近似,采用组态平均的方法,从头计算了类铁金离子类镓金离子的双电子复合速率系数,计算中包含了大量稠密的自电离能级,由于宽广的自电离能级分布和极其复杂的级联效应,造成高Z材料Au的双电子复合速率系数不同于低Z元素的特征,与现有文献的类镍金离子比较,结果表明,在“神光Ⅱ”实验装置诊断的电子温度约为2keV,电子密度约为6×1021cm-3,Au激光等离子体不同理论之间的双电子复合速率系数误差不到10%.这对于使用超组态碰撞辐射模型模拟Au的激光等离子体M带细致 关键词： 双电子复合 类铁金离子类镓金离子 复合速率系数     

类铍钛离子和类铍钼离子双电子复合系数研究

研究了类铍钛离子和类铍钼离子的三类双电子复合过程,基于多组态准相对论ＨａｒｔｒｅｅＦｏｃｋ方法和扭曲波方法,计算了这些离子在电子温度０．０１～２．０ｋｅＶ范围内的双电子复合系数,并讨论了它们随电子温度、复合类型及原子序数的变化。     

类铷W37+离子双电子复合速率系数的理论研究

 利用全相对论组态相互作用理论方法,研究了类铷W³⁷⁺离子从基组态3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁶4d经过双激发态(3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p⁶4d)^-1nln′l′(n,n′=4,5)的双电子复合过程,得到了该离子在温度为1~5×10⁴ eV范围内的总双电子复合速率系数。分析比较了不同电子激发的双电子复合速率系数,结果表明:4p电子激发的双电子复合速率系数在低温时给出了主要贡献,而3d的贡献在高温时突出。由于强组态相互作用,两电子一光子跃迁对双电子复合速率系数的贡献不可忽略,其中辐射跃迁4p⁵4d5d5f-4p⁶4f5d的贡献是双激发态4p⁵4d5d5f总的双电子复合速率系数的5%。对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数的比较表明,在所研究的温度范围内双电子复合速率系数最大。     

氙激光等离子体的双电子复合过程研究(英文)

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍氙的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

Gd激光等离子体的双电子复合过程研究

在自旋-轨道劈裂阵模型下,通过类铜的内壳层激发组态计算了类镍Gd的双电子复合速率系数,其中考虑了共振和非共振辐射平衡跃迁对自电离能级的影响,而忽略了因碰撞跃迁引起的电子俘获,非共振辐射平衡跃迁在低电子温度条件下主要影响双电子复合过程;本文讨论了双电子复合系数及双电子伴线强度比随电子温度的变化.     

Ni27+离子Ka和Kβ型衰变的双电子复合速率系数的计算

用HFR波函数对低密度类氢Ni27+等离子体与电子相互作用的KLn和KMn共振激发的双电子复合过程进行了细致的理论计算研究.根据可能的重要辐射衰变通道,分析了Ni27+等离子体Ka型和Kβ型辐射衰变的双电子复合速率系数随旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数1与电子温度的变化行为,计算了Ni27+等离子体双电子复合过程的总速率系数.研究结果表明,在低密度条件下,Ka型和Kβ型辐射衰变的分支双电子复合速率系数与旁观电子主量子数n和轨道角动量量子数1有重要关系,前者的分支速率系数远大于后者.     

类Ne铜离子双电子复合过程辐射跃迁几率的MCDF计算

在组态相互作用的ｊ－ｊ耦合下，用相对论多组态Ｄｉｒａｃ－Ｆｏｃｋ（ＭＣＤＦ）方法计算类Ｎｅ铜离子（２９Ｃｕ１９＋）双电子复合过程的辐射跃迁几率。在计算中涉及了大量的双激发态的和单激发态的相对论组态函数，得出了所有可能的跃迁几率，精选得出最可能的跃迁结果。文中所使用的相对论ＭＣＤＦ方法克服了其他方法诸如在相对论效应、组态相互作用等方面的缺陷，从而获得了很好的结果。所得的结果可用于进一步计算类Ｎｅ铜离子的双电子复合系数     

W44+ 离子双电子复合速率系数的理论研究

利用全相对论组态相互作用方法,详细研究了W44+ 离子从基组态3s23p63d104s2俘获一个电子形成双激发态(3s23p63d104s2)nln′l′(n = 4 ~ 6,n′= 4 ~7) 的双电子复合(DR) 过程。通过比较不同壳层电子激发的DR 速率系数,得知4s 电子激发和3d 电子激发的DR 速率系数分别在低温和中高温度时给出了主要贡献,得到了主要的电子激发DR通道。在1 eV~50 keV 温度范围内,计算了n = 4~18 的DR速率系数,并外推到了n= 100,得到总DR 速率系数。比较总DR 速率系数、三体复合(TBR) 以及辐射复合(RR) 速率系数,结果表明DR 速率系数在研究的温度范围内远大于TBR 和RR 速率系数,其将明显地影响ITER 等离子体的电离平衡和离化态布居。Based on the fully relativistic configuration interaction method, theoretical calculations are carried out to research the dielectronic recombination (DR) processes, in which W44+ ions in the ground state 3s23p63d104s2 trap an electron to form doubly excited states (3s23p63d104s2)nln’l’(n =4~6,n′= 4~7). The comparison of the DR rate coefficients of different shells shows that DR approach is as follow: the 4s subshell excitation dominates to DR at low temperature, but 3d subshell excitation attributes to DR at high temperature. Total DR rate coefficients from n=4~18 are evaluated directly, and the results are extrapolated up to n = 100 in the temperature range from 1 to 5×104 eV, and thus get the total DR rate coefficients. Compared total DR rate coefficients to three-body recombination (TBR) rate coefficients and radiative recombination (RR) rate coefficients, it showed that the total DR rate coefficients obviously significantly greater than other two recombination rate coefficients, and thus it obviously influence ionization equilibrium and ionization state population of ITER plasma.     

Au~(34+)离子双电子复合过程的理论研究

复杂结构离子的双电子复合(DR)速率系数在核聚变、极紫外光刻光源等应用研究的等离子体谱模拟中具有重要的价值.利用基于全相对论组态相互作用理论的FAC程序包,详细计算了Au~(34+)离子的双电子复合速率系数.研究分析了激发、辐射通道,组态相互作用,级联退激对DR速率系数的影响.其中,级联退激对DR速率系数的贡献必须予以考虑.对双电子复合、辐射复合以及三体复合速率系数做了比较,在温度大于1 eV范围,双电子复合都大于辐射复合以及三体复合速率系数,相应的DR过程对于等离子体离化态分布和能级布居以及光谱模拟都极为重要.对基态和第一激发态的DR速率系数进行了参数拟合,拟合值与计算值的偏差小于1.73%.研究结果将为复杂结构离子双电子复合过程的进一步研究提供参考.     

Co-like Au52+离子双电子复合的理论研究

基于准相对论Hatree-Fock理论,采用Cowan程序详细计算了Co-like A u52+离子的双电子复合速率系数、自电离几率以及自电离能级.计算结果表明:由于径向波函数的穿透效应使得该离子自电离能级3d84l5s(l=s、 p、d、f)升高,造成能级间隔不随外层激发电子轨道角动量的增加单调减小的异常现象,即Δ(E3d8 4l5d-E3d84l5p)＞Δ(E3d84l5p-E3d84l5s)＞Δ(E 3d84l5f-E3d84l5d);双激发自电离态平均自电离几率具有特定的变化关系;双电子复合速率系数随着电子温度逐渐增加具有共振、高温收敛等特点,且双激发态轨道角动量大且宇称为奇的通道复合速率系数较大,其中辐射衰变通道为3d84fnd-3d9nd 的复合过程占优势,在Te=0.49*"KeV时共振峰αDR=1.01×10-11(cm 3sec-1).     

Rapid evaluation for dielectronic recombination rate coefficients of Ni－like ions Gd and Ta

ＲａｐｉｄｅｖａｌｕａｔｉｏｎｆｏｒｄｉｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｒａｔｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｓｏｆＮｉ－ｌｉｋｅｉｏｎｓＧｄａｎｄＴａ￥ＴＥＮＧＨｕａｇｕｏ；ＸＵＺｈｉｚｈａｎ；ＺＨＡＮＧＷｅｎｑｉ（ＣＣＡＳＴ（Ｗｏｒｌｄｌａ...     

类镍钆(Gd36+)离子的双电子复合系数研究

 在自旋轨道劈裂阵模型下,通过类铜组态理论计算出类镍Gd³⁶⁺的双电子复合速率系数,得出其在电子温度 0.02~5keV 范围内的变化规律,并分析了影响双电子复合速率系数的主要因素是相应的自电离系数和离化势,这为等离子体的诊断提供了一种新的方法。     

Dielectronic recombination rate coefficient for Cu-like Au^50＋ ion

The rate coefficients α^{DR} of dielectronic recombination (DR) for Cu-like Au^{50+} ion collided with the incident free electron are calculated based on the quasi-relativistic multi-configuration Hartree－Fock theory. The results clearly show that the α^{DR} of all recombination channels exhibits resonance characters with electron temperature. At lower temperatures, the recombination for electrons caused by 4s excitation is dominant through outer electron radiative transitions among the intermediate doubly excited autoionizing levels, in which the most components come from 3d^{10}5pns states, whereas with increasing electron temperature, DR caused by 3d excitation turns out to be dominant, and the contribution from the 3d^94s4fnf state to the total rate coefficient of electron 3d is the largest with α^{DR}=1.15×10^{- 11} cm^3·s^{-1} at an electron temperature of T_e=0.35 keV. Under this condition, there exists a strong competition between the two types of recombination channels.