低N2压下Si3N4／SiC复相粉末的自蔓延合成初探

探讨了硅粉与碳粉混合料在0．5－0．6MPa的低氮气压下自蔓延高温合成（SHS）的可行性，起始原料中加入适量的Si3N4作稀释剂，可促进Si粉向Si3N4转变。C粉量增加时产物粒度减小；体系的燃烧温度降低。     

Si—C—O—N系统相稳定性和相稳定性图

对Si-C-O-N系统进行了平衡状态下的相稳定性计算，绘制了在1473K和1573K下的Si3N4、SiC、Si2N2O和SiO2相稳定性与N2分压的O2分压的关系图以及N2分压和SiO分压的关系图，Si3N4/Si2N2O/SiC、SiO2/Si2N2O/SiC两个三固相平衡点与N2分压、O2分压和SiO分压以及温度的函数关系图，并以此确定C纤维-SiC纤维转变和C纤维上涂层SiC过程中，为获得稳定SiC相的气体分压。     

纳米SiC和SiC(N)粉体的微波介电特性及其与微波的作用机理

研究了纳米SiC粉体和纳米SiC(N)复相粉体在8.2-12.4GHz频率范围的介电特性及其与微波的作用机理，发现纳米SiC(N）复相粉体介电常数的实部（ε′）和虚部（ε′′）在8.2-12.4GHz范围内随频率增大而减小，介电损耗（tgδ=ε′′/ε′）较高，是较为理想的微波吸收材料。纳米SiC粉体的ε′、ε′′和tgδ明显小于纳米SiC(N)复相粉体的，对微波的吸收不理想。提出了纳米SiC(N)复相粉体对微波的吸收机理。纳米SiC(N)复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子，在纳米SiC(N)复相粉体中形成大量的带电缺陷，这些带电缺陷在电磁波交变电场作用下产生极化耗散电流，强烈的极化驰豫过程导致大的介电损耗。