单粒子瞬态效应硬件注入模型实现和仿真

基于量化组合逻辑门延迟思想和扫描测试的方法,提出了一种适用于FPGA硬件模拟单粒子瞬态效应的门级注入模型.该模型考虑了电气掩蔽效应对脉冲传输的影响,通过该模型可以对组合电路任意逻辑门进行错误注入.基于该模型对ISCAS’85基准电路进行单粒子瞬态的研究,实验结果表明该脉冲产生方法高效,注入速度达到105 faults/s.     

纳米器件单粒子瞬态仿真研究

利用计算机辅助设计软件,研究了不同条件下28 nm体硅器件的单粒子瞬态（SET）效应,分析了不同器件间距、线性能量转移值和粒子入射角度对器件SET效应的影响。随着器件漏极间距的减小,SET脉冲幅度和脉冲宽度随之减小。与垂直入射的情况相比,倾角入射下SET脉冲幅度和宽度的减小程度更加明显,电荷共享效应更加显著。仿真结果表明,合理调节反相器相异节点的器件间距,利用器件间的电荷共享可以有效减弱重离子产生的SET脉冲,减少单粒子效应的反应截面。     

集成电路单粒子瞬态效应与测试方法

随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与测试结构。     

集成电路单粒子瞬态效应与测试方法

随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与测试结构。     

基于CMOS工艺的差分放大器单粒子瞬态效应研究

基于0.35μm CMOS工艺,研究了辐射条件下,单粒子瞬态效应对差分放大器的影响。经过仿真分析发现:差分放大器中偏置电路输出节点对单粒子瞬态效应敏感,偏置电路输出电流大小决定了放大器输出信号抗单粒子瞬态效应的能力。为提高差分放大器的抗单粒子瞬态效应的能力,采取增加偏置电路输出驱动能力以及引入电阻/电容等加固设计技术。经过Hspice仿真及单粒子辐照实验证明,辐射加固后的放大器抗单粒子瞬态扰动能力从未加固的18 MeV·cm2/mg增加到37 MeV·cm2/mg,抗单粒子辐射性能提高了一倍以上。加固后的放大器能够满足航天应用的需求。     

深亚微米CMOS反相器的单粒子瞬态效应研究

针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究。选取一种CMOS双反相器作为研究对象,确定器件的关键尺寸,并进行二维建模,完成器件的单粒子瞬态效应仿真,得到单粒子瞬态效应的阈值范围。同时,开展脉冲激光模拟单粒子瞬态效应试验,定位该器件单粒子瞬态效应的敏感区域,捕捉不同辐照能量下器件产生的单粒子瞬态脉冲,确定单粒子瞬态效应的阈值范围,并与仿真结果进行对比分析。     

一种瞬态大电流、大功率厚膜混合集成电路的设计

给出了一种瞬态大电流、大功率厚膜混合集成电路的设计思路及方法。     

14 nm SOI FinFET器件单粒子瞬态的复合双指数电流源模型

单粒子瞬态(SET)的电路仿真通常是注入双指数电流源来模拟,然而,纳米FinFET器件的SET采用单个双指数电流源模拟会带来较大误差。TCAD仿真结果较准确,但耗时较长,为了较为准确地电路仿真SET,提出了一种SET的复合双指数电流源模型。利用TCAD对电学特性校准的14 nm SOI FinFET器件的SET进行仿真,通过分析瞬态电流波形,对比双指数模型特点,提取特征参数,并利用遗传算法对模型参数进行优化处理,得到了关于线性能量转移(LET)的复合双电流源参数的解析模型。利用此复合双指数电流源模型与TCAD得到的瞬态电流波形、峰值和收集电荷量进行对比检验。结果显示,本文模型得到的SET电流波形与TCAD的基本吻合,与TCAD相比,模型的峰值电流的平均误差和最大误差分别为3.00%、5.06%;收集电荷量的平均误差和最大误差分别为4.02%、7.17%。     

65 nm体硅工艺NMOS中单粒子多瞬态效应的研究

针对NMOS场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象,参考65 nm体硅CMOS的单粒子瞬态效应的试验数据,采用TCAD仿真手段,搭建了65 nm体硅NMOS晶体管的TCAD模型,并进一步对无加固结构、保护环结构、保护漏结构以及保护环加保护漏结构的抗单粒子瞬态效应的机理和能力进行仿真分析。结果表明,NMOS器件的源结和保护环结构的抗单粒子多瞬态效应的效果更加明显。     

基于模型检验技术的源程序分析研究

提出并实现了一种基于模型检验的源程序分析方法,该方法的主要步骤是将C/C++源代码转换为与控制流图等价的Kripke结构,用CTL公式描述源程序待验证的性质,通过使用NuSMV模型检验工具实施对源程序分析,实验验证表明,该方法能够给实现对源程序分析的目标.     

基于RSSI的对数距离路径损耗模型研究

分析基于RSSI的对数距离路径损耗模型,通过对对数距离路径损耗模型进行相应的修正,以提高距离测量模型的准确度。最后对对数距离路径损耗模型及其修正进行了仿真。     

基于标准模型文件的建筑物三维数据模型

三维城市模型 ( 3DCM)的研究是近年来 GIS领域内的一个研究热点 ,在交通、地质、矿山、城市测绘、环保等方面有着十分重要的研究意义。对 3DCM而言 ,目前还缺少一个统一、完备的数据模型 ,作者对 GIS的数据进行了建模 ,以三维城市建筑物可视化模型为例 ,提出了基于 OBJ标准模型文件的面向对象建筑物三维数据模型。用实例论证了模型的正确性和高效性     

基于Internet的远程教育系统模型研究

随着计算机网络技术的发展，远程教学系统的结构发生了重大的变化，逐步由原来的客户机／服务器(C／S)结构转变为基于Internet的浏览器／服务器(B／S)结构。本文提出了基于CORBA技术的B／S结构系统模型。分析了其运行过程，并与传统的结构进行了比较，指明了其优越性。在本文的结尾。指出了使用这种技术的一个具体例子。     

基于可控电流源的太阳电池模型参数测试方法

太阳电池等效模型参数测试是太阳电池生产应用与光伏研究的必备环节,针对传统太阳电池测试系统不但成本高,而且无法测试交流模型参数,提出了一种基于可控电流源的太阳电池等效模型参数测试方法,并成功搭建微型测试系统.实验结果表明,基于该方法搭建的微型测试系统不但可以精确测量太阳电池的直流模型参数(并联电阻Rsh,串联电阻Rs,开路电压Voc,短路电流Isc,填充因子FF,最大功率Pmax,转换效率η),而且可以测量电池的交流模型参数(寄生结电容Ci),同时还可以用于判断电池组件的内部结构.该系统测试相对误差小于4％,实验数据表明了该系统在太阳电池光电特性研究中的科学性与可靠性.     

基于功率运算放大器的恒流源技术研究

恒流源在现代工农业及科研生产的运用中正朝着体积小、精度高、稳定性好、使用灵活的方向发展。文章就压控恒流源的技术和原理进行了分析,提出了使用功率运算放大器获得高稳定恒流源的技术方案,并使用Pspice进行了较为详细的模拟和理论分析。     

电流源变频器电流补偿仿真研究

针对电流源型变频器中存在的大量谐波.在电流型变频器的基础上加入一个电压型逆变电路,提出了一种谐波电流的补偿方法。该方法首先通过滤波电路检测谐波电流.然后补偿电路产生与谐波电流相位相反的电流注入负载.以减小负载电流谐波.此外.补偿电路还可以提高变频调速系统运行性能以及可靠性.仿真结果说明了分析的正确性     

基于Wilson电流镜的精密压控电流源

将正负Wilson电流镜组合在一起,读取由运算放大器构成的电压跟随器的电源引线电流,得到高精度的压控电流源。通过仿真手段研究互补Wilson电流镜组合的电流跟随特性;用通用集成运算放大器和分立BJT(bipolar junction transistors)构成实验测试电路,给出精度、输出阻抗以及频率响应特性的实验测试结果。电路的带宽大大优于运算放大器的单位增益带宽积,体现了电流模电路的优势。当采用CB(complementary bipolar)工艺实现单片集成时,电路的性能更好。还给出了电路的几种改进方案,实验证明,方案是可行的。     

基于二维投影点集的三维模型检索算法研究

本文给出一种基于二维投影点集的三维模型检索算法.该算法利用二维投影点集边界点,给出一种结合夹角信息的二维投影轮廓特征提取算法,简单有效地刻画三维模型外围轮廓;同时还利用二维投影点集内部点,给出一种剖面特征提取算法,反映三维模型空域信息.实验结果表明该算法在保证检索效率的同时,显著提高三维模型的检索准确性.     

基于自偏置结构的参考电流源电路

在传统参考电流源的基础上,设计了一种结构更为简单,与电源电压、温度无关的参考电流源,并在此基础上进一步优化了自偏置电路镜像电流的精度,更好地提高整个电路的性能。该电路基于SMIC 0.18μm BCD CMOS工艺,使用Cadence仿真软件进行电路仿真。结果表明,在-55~125℃的温度范围内,该电路的输出电流变化不超过3%,并且优化后的电流源镜像精度也得到了大幅度的提高。