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介绍了一种基于单片机STC12C2052。用于低压无功补偿装置中的复合开关。该复合开关采用晶闸管和继电器并接,充分融合了晶闸管和交流接触器的优点。结合同步检测电路,通过软件等待方式实现过零投切,很好地解决电网中因电容组的投切而造成的电流冲击与电压振荡问题。 相似文献
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基于单片机(AT89C52)无功补偿复合开关的研制 总被引:5,自引:0,他引:5
针对电磁开关和电力电子开关投切电容器在无功补偿装置应用中存在的问题,研制了一种基于单片机(AT89C52)并应用于低压无功补偿装置的复合开关。该复合开关与接触器、晶闸管投切电容器(TSC)相比,其主要优点在于它既有晶闸管过零投切电容器时电网浪涌电流小的优点,又有接触器闭合时晶闸管无功耗节能的优点。 相似文献
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智能式动态无功补偿装置的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
介绍一种智能式动态无功补偿装置,分析其工作原理。装置采用MOTOROLA单片机系统作为控制器的核心,从无功补偿的原理出发,建立电容器自动补偿的最优控制方法,设计控制器的软硬件,并且采用晶闸管无触点开关实现电容器组的快速自动投切,通过检测晶闸管无触点开关(SCR)两端电压为零作为SCR触发的必备条件,具有硬件闭锁保护,避免了误触发造成的冲击电流损坏元件,不会产生无功倒送,实现了无功补偿装置的优化运行和高可靠性及自动化,有很强的现场控制能力和适应能力。 相似文献
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智能式动态无功补偿装置的研究 总被引:11,自引:2,他引:11
介绍了一种智能式动态无功补偿装置,分析了装置的工作原理,装置采和MOTOROLA单片机系统作为控制器的核心,从无功补偿的原理出发,建立了电容器自动补偿的最优控制方法,设计了控制器的软硬件,并且采用晶闸管无触点开关实现电容器组的快速自动投切,它通过检测晶闸管无触点开关(SCR)两端电压为零作为SCR触发的必务条件,具有硬件闭锁保护,避免了误触发造成的冲击电流损坏元件,并且不会产生无功倒送,实现了无功补偿装置的优化运行和高可靠性及自动化,有很强的现场控制能力和适应能力。 相似文献
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超小型智能复合开关的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种超小型智能复合开关,在电路选材方面采用多种微型贴片与精简元器件,布局方面应用合理、安全的强弱隔离电路,空间结构方面则是尽量利用高度空间,减少长宽,缩小了体积与重量。电路设计方面采用晶闸管与磁保持继电器相结合的方式,能实现电压过零时投切,电流过零时断开;利用微型单片机芯片对电路进行智能控制,能达到电路多种通信模式与灵活制定工作方式的目的,并添加安全性能极高的保护电路和信号反馈电路。介绍了其在无功补偿方面的应用。与多种电容器经多种连接方式且长时间进行试验,验证了所研制设备的可靠性。 相似文献
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由于晶闸管耐压等级高,在高压动态无功补偿装置中广泛使用,由晶闸管串联构成的晶闸管阀,是晶闸管控制电抗器(TCR)的核心器件,在高电压下晶闸管阀驱动电路以何种方式获取能量是高压动态无功补偿装置必须考虑的问题.为了增加晶闸管串联运行的可靠性,设计了一种电压电流取能电路,能够满足TCR在各触发角下均能取到能量,给驱动电路供电,实现晶闸管阀高位系统自供电.利用PSPICE软件建立各取能电路仿真模型,仿真结果表明:高位取能电路能够减少开关损耗,提高晶闸管运行效率,而且能向驱动电路提供电能,为晶闸管阀的驱动电路稳定供电提供了理论基础. 相似文献
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用微机控制的晶闸管投切电容器补偿装置 总被引:1,自引:0,他引:1
用微机控制的晶闸管投切电容器补偿装置以工业PC机作为控制核心,采用了新颖的快速无功功率检测方法和独特的晶闸管控制技术。它可满足低压配电网基波无功补偿的快速性和实时性要求。笔者介绍了该装置的主回路控制方式和控制电路构成,并通过模拟负荷投切试验验证了其投切的正确性。 相似文献
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微机控制晶闸管投切电容器补偿装置以80C320单片机为控制核心,采用新颖的快速无功功率检测方法和独特的晶闸管控制技术,实现了对多组电容器快速自动分级投切,可满足低压配电网基波无功补偿的快速性和实时性要求。介绍了该装置主回路控制方式和控制电路构成,并通过模拟负荷投切试验中的有关数据验证了其投切的正确性。 相似文献
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ABSTRACT In this paper a thyristor voltage controller suitable for high power loads is presented. A load voltage higher than that of the supply can be obtained without difficulty. Thyrsitor switches are used in a secondary circuit such that voltage control is achieved via flux level variation of an output coil. The load voltage is varied in steps which can be made as narrow as desired but distortion and switching transients in the load circuit are avoided. Theoretical and experimental results of a prototype are presented and compared. If the load is an inductor, the proposed arrangement can be used as a variable reactive power compensator without harmonic current injection into the mains supply. 相似文献
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Mitsuhide Maeda Takuji Keno Yuji Suzuki Toshiro Abe 《Electrical Engineering in Japan》1996,116(3):107-115
A static induction (SI) thyristor using a normally-off planar-gate structure in a low power class has been developed to be used as a power switching device in a three-phase inverter circuit. A 600 V-15 A class SI thyristor with very fast switching time (tgt, tgq) and low forward voltage drop (VTM) was designed and created. This design was performed with a reasonable wafer structure (n?/n/p+), an n? base carrier concentration and thickness, and a gate structure (gate diffusion length and gate-gate pitch). Microscopic processing was used to obtain this SI thyristor. The performance trade-off between turn-off time and forward voltage drop is controlled by a lifetime control process using proton irradiation that results in a very fast switching time with tgt of 500 ns and tgq of 500 ns with VTM of 1.5 V (at IT= 18 A). At a current level of IT = 18 A, the current density in the active area becomes 200 A/cm2, which indicates that the performance of the SI thyristor is superior to that of conventional IGBTs and MOSFETs. 相似文献