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采用离子注入的方法制备了Eu3+,Tm3+离子共掺杂GaN薄膜。通过温度依赖光致发光光谱研究了GaN:Eu3+薄膜中Eu3+的发光特性,发现了三类具有不同温度依赖特性的Eu3+发射峰。利用阴极荧光光谱探究了GaN:Eu3+,Tm3+薄膜的光谱性质,发现随着Tm3+剂量的增加,Eu3+发射强度以及Tm3+的I480/I806强度比值均发生降低,分析表明存在Eu3+→Tm3+离子的能量传递,并通过计算分析证明其能量传递机制主要为电偶极子-电偶极子相互作用。通过改变Eu3+、Tm3+离子在GaN薄膜中的剂量比例,实现了材料发光颜色的有效调控。 相似文献
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Eu2+在磷酸镧中的发光及Ce3+→Eu2+的能量传递 总被引:5,自引:2,他引:5
采用高温固相反应合成了LaPO4:Eu2+和LaPO4:Ce3+,Eu2+样品,报道了Eu2+在LaPO4中的发光性质和Ce3+→Eu2+的能量传递现象。文中探讨了Ce3+→Eu2+的能量传递机理,根据Dexter电多极相互作用的理论证明其为偶极子偶极子相互作用的共振能量传递。 相似文献
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采用燃烧法制备了不同Ln3+(Ln=Eu或Tb)掺杂浓度和不同平均粒径的Y2O3:Ln纳米晶体粉末和体材料样品。研究发现随着粒径的减小,Y2O3:Eu电荷迁移带的位置发生红移;并且,由于存在于近表面低结晶度环境中的Eu3+数量的增加,小粒径样品(5nm)的电荷迁移带还向长波方向发生了明显的展宽。实验中还观察到Y2O3:Tb纳米晶激发谱中4f5d(4f8→4f75d1)跃迁吸收对应激发峰(带)的谱线形状随样品粒径变化存在较大的差异,这是由于Tb3+存在于近表面的低结晶度和颗粒内部的高结晶度两种不同环境中,Tb3+的4f5d跃迁在两种环境中对应的吸收峰位置不同,当样品粒径发生变化时Tb3+处于两种环境中的比例随之变化,造成相应吸收跃迁对应的激发峰(带)强度发生变化,并改变了激发谱的谱线形状。实验中还发现,随着Tb3+(或Eu3+)浓度的减小,Y2O3基质激子跃迁吸收的激发峰对比4f5d跃迁(或电荷迁移带)激发峰的相对强度随之增强。 相似文献
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采用高温固相法合成Sr3B2O6:Eu3+,Li+红色荧光粉,考察了激活剂Eu3+和电荷补偿剂Li+浓度对Sr3B2O6:Eu3+,Li+荧光粉发光性能的影响。结果表明:适量掺杂Eu3+、Li+离子并不改变Sr3B2O6的结构。当Eu3+掺杂量为4%、Li+的掺杂量为8%时,在900 ℃下灼烧2 h可以得到发光性能最佳的Sr2.9B2O6:0.04Eu3+,0.08Li+红色荧光粉。以394 nm的近紫外光激发时,Sr3B2O6:Eu3+,Li+荧光粉发射出红光,对应于Eu3+的4f-4f 跃迁,其中以614 nm附近的5D0→7F2跃迁发光最强,是一种有潜力用于白光LED的红色荧光粉。 相似文献
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采用高温固相法在1 350 ℃弱还原气氛下制备了Sr1-xBaxAl2O4 : Eu2+ ,Dy3+ (x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)长余辉材料,并对其微观结构和发光特性进行了分析。X射线衍射结果表明,当钡的掺杂摩尔分数x<0.4时,样品晶体结构为SrAl2O4单斜晶系结构;当x≥0.4时,样品晶体结构为BaAl2O4六角晶系结构;而且随着钡对锶的取代,两种晶体结构的晶格常数都发生了一定程度的膨胀。光致发光测试结果表明,当x从0增大到1.0时,样品发射波长峰值也相应由515 nm逐渐蓝移到494 nm。通过热释光谱测试表明, SrAl2O4结构的样品的热释光峰所对应的温度比BaAl2O4 结构的要高,且对应SrAl2O4结构的样品的余辉时间更长,初始亮度更高。 相似文献
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采用熔融法制备了Tb3+掺杂的Bi2O3-B2O3系统玻璃,使用激发、发射及拉曼光谱分析了光学碱度与玻璃结构及发光性能的关系,同时绘制了Tb3+、Bi3+和Bi2+的能级图。研究结果表明:Tb3+掺杂的Bi2O3-B2O3玻璃由[BO3]、[BiO3]、[BO4]及[BiO6]共同组成,且随着光学碱度由0.63增加到0.93,玻璃的结构逐渐疏松。高的光学碱度使部分Bi3+变为Bi2+,发出571 nm(2P3/2(2)→2P1/2)的光,Bi3+→Tb3+的能量降低。在光学碱度及Tb3+、Bi3+和Bi2+离子的共同作用下,随着光学碱度的提高,玻璃的发光颜色由黄绿色变为白色。 相似文献
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采用射频磁控溅射和N2气氛退火处理制备了多晶Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜.用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪对Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜的结构和光学性能进行了表征.结果表明,Cu掺杂后Ga2O3薄膜的结晶质量变差,透过率明显降低,吸收率增加,光学带隙减小.本征Ga2O3薄膜在紫外、蓝光和绿光出现了发光带,Cu掺杂后紫外和蓝光发射增强,且在475 nm 处出现了一个新的发光峰. 相似文献
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Cu掺杂Ga2O3薄膜的光学性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用射频磁控溅射和N2气氛退火处理制备了多晶Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜.用X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计、荧光光谱仪对Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜的结构和光学性能进行了表征.结果表明,Cu掺杂后Ga2O3薄膜的结晶质量变差,透过率明显降低,吸收率增加,光学带隙减小.本征Ga2O3薄膜在紫外、蓝光和绿光出现了发光带,Cu掺杂后紫外和蓝光发射增强,且在475nm处出现了一个新的发光峰. 相似文献
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在还原气氛中采用高温熔融法制备了Eu2+-Dy3+共掺硅酸盐玻璃,热处理后得到了Eu2+-Dy3+共掺透明SrSiO3微晶玻璃。测试了样品的激发光谱和发射光谱,研究了不同Eu2+-Dy3+物质的量比下微晶玻璃发光的变化并计算了对应的色坐标。研究发现,样品发射光谱范围在400~600nm,其中400~550nm(绿光)的宽发射谱带来自Eu2+的5d→4f跃迁,而位于483nm(蓝光)和575nm(黄光)的尖峰则来自Dy3+的4F9/2→6 H15/2和4F9/2→6 H13/2跃迁;在紫外(UV)光(365nm)激发下通过调控Eu2+-Dy3+物质的量比可得到发白光的微晶玻璃,当Eu2+-Dy3+物质的量比为1∶8时,Eu2+-Dy3+共掺SrSiO3透明微晶玻璃所发白光最佳,对应的色坐标(0.268,0.356)位于CIE标准色坐标图的白光区域且最接近理想白光。结果表明,Eu2+-Dy3+共掺SrSiO3透明微晶玻璃可作为一种潜在的白光发光二极管用基质材料。 相似文献
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通过控制Dy3+的掺杂浓度,制备出了不同浓度的Eu2+,Dy3+单掺和共掺高硅氧发光玻璃,测试其激发和发射光谱,讨论了Dy3+浓度对Eu2+,Dy3+共掺样品发光性质的影响。结果表明,Eu2+,Dy3+共掺高硅氧发光玻璃中存在Dy3+向Eu2+的无辐射能量传递现象,且Dy3+的引入会使高硅氧发光玻璃中Eu—O的共价作用减弱,造成Eu2+发射峰蓝移;随着Dy3+浓度的增加,Dy3+→Eu2+能量传递增强,Eu2+发光增强;Dy3+含量继续增加,则Dy3+发光出现浓度猝灭,且Dy3+→Eu2+能量传递减弱。 相似文献
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在还原气氛下, 采用高温熔融法制备了Eu2+/Ce3+共掺的高钆氧化物玻璃. 荧光性能测试显示, Ce3+能够有效地敏化Eu2+的发光, 使Eu2+的发光强度增强了2.3倍; 测试对比了Ce3+ 发光的荧光寿命随Eu2+的掺入前后的变化情况, 计算得出Ce3+→Eu2+ 的能量传递效率可达61.5%, 并进一步探讨了其能量传递机理. 研究表明: 在高钆氧化物玻璃中, 采用Eu2+ 和Ce3+ 共掺的方法可有效地增强Eu2+ 的发光性能和闪烁性能.
关键词:
发光玻璃
能量传递
荧光寿命 相似文献
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高硅氧发光玻璃因具有较好的热稳定性、化学稳定性等优点,成为极具潜力的荧光材料。针对其仍存在发光强度较弱的问题,从与发光性质紧密相关的制备工艺出发,分析各关键工艺参数对高硅氧玻璃发光性质的影响具有重要的意义。本文制备了关键工艺参数不同的Eu2+/Dy3+共掺高硅氧发光玻璃,通过测试微孔表面结构参数、发射光谱和红外吸收光谱等,研究了分相温度、溶液离子浓度和烧结温度等制备关键工艺参数对高硅氧发光玻璃光致发光性质的影响。当分相温度不同时,多孔玻璃微孔表面结构参数和高硅氧玻璃的发射光谱表明,分相温度通过影响多孔玻璃的比表面积间接的影响高硅氧玻璃的发光性质,多孔玻璃比表面积数值越大,高硅氧玻璃发光强度越大。当溶液离子浓度不同时,高硅氧玻璃的发射光谱表明,当溶液中Dy3+浓度增加,高硅氧玻璃中Dy3+和Eu2+发光增强;当Dy3+浓度大于0.1mol·L-1时,由于Dy3+的发光出现浓度猝灭效应,高硅氧玻璃整体发光强度减弱。当烧结温度不同时,高硅氧玻璃的发射光谱和红外吸收光谱表明,随着烧结温度升高,高硅氧玻璃中—OH残留量减少,发光强度增强;当烧结温度大于1 000℃时,高硅氧玻璃出现析晶,发光强度减弱。 相似文献
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采用高温熔融法制备了Ce3+/Tb3+/Sm3+掺杂的CaO-B2O3-SiO2(CBS)发光玻璃。通过傅利叶红外光谱仪、荧光光谱仪表征了该系列发光玻璃的微观结构和发光性质,并对Ce3+到Tb3+、Ce3+到Sm3+之间的能量传递机制进行了研究。结果表明,在339,378,407 nm激发下,单掺Ce3+、Tb3+和Sm3+的CBS玻璃分别发射紫蓝光、绿光和红光,恰好符合混合合成白光的条件。Ce3+/Tb3+和Ce3+/Sm3+双掺CBS玻璃的发射光谱以及Ce3+衰减寿命的变化证实了Ce3+→Tb3+和Ce3+→Sm3+之间存在能量传递,随Tb3+和Sm3+浓度增加,Ce3+的寿命减小,且传递效率由5.4%和5.7%分别增加至24.0%和27.1%。调节3种稀土离子的掺杂浓度并选择合适的激发波长,实现了发光颜色可调,并最终获得白光发射。 相似文献
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采用溶胶凝胶-燃烧法合成了系列不同掺杂浓度Y3+和Gd3+的LaBO3∶Eu3+发光粉,对其结构、形貌和发光性能进行了表征。XRD研究结果表明:发光粉的结构与基质掺杂离子的种类和掺杂浓度有关系。荧光光谱结果表明:适量比例Y3+和Gd3+离子掺杂将提高LaBO3∶Eu3+发光粉的发光强度。Y3+和Gd3+离子最佳掺杂摩尔分数分别为1.5%和12.5%。5D0→7F2与5D0→7F1跃迁发射的相对强度比值说明:掺杂改变LaBO3∶Eu3+中Eu3+局域环境的对称性。发光性能改变主要受晶体结构、掺杂离子电负性影响。Gd3+离子掺杂更有利于发光粉结构稳定性和发光性能的改善。 相似文献
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Borate Ba3InB9O18 (BIBO) has been adopted as a host material for phosphors for the first time. Lanthanide ions (Eu3+/Tb3+)-doped BIBO phosphors have been synthesized by solid-state reaction and luminescent properties investigated under ultravoilet (UV) excitation. For red phosphor BIBO:Eu, dominant emission peaking at 590 nm was attributed to 5D0→7F1 transition of Eu3+, which confirmed that the local site of Eu3+ occupied by In3+ ion in BIBO crystal lattice is at inversion symmetry center. Optimum Eu3+ concentration of BIBO:Eu under UV excitation with 227 nm wavelength is around 40%. The green phosphor BIBO:Tb showed bright green emission at 550 with 232 nm light excited and optimal of Tb3+ concentration measured in BIBO is about 8%. The corresponding luminescence mechanisms of Ln-doped BIBO (Ln=Eu3+/Tb3+) were analyzed. The luminescent intensity of Tb3+ can be significantly improved by co-doping of Bi3+ in the BIBO:Tb lattice. The likely reason was proposed in terms of the different interactions of the host lattice with these ions, and of these ions with each other. 相似文献
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A Li2O-B2O3-Al2O3 glass system, un-doped and doped with LiF, and/or TiO2 was synthesized by the fusion method and its physical properties were investigated by thermoluminescence (TL), X-ray diffraction (XRD), electron paramagnetic resonance (EPR), atomic force microscopy (AFM) and differential thermal analysis (DTA). The samples were subjected to γ-rays from a colbalt-60 (60Co) source. These techniques provided evidence of LiF and LiF doped with Ti crystal formation in the glass system. A TL glow peak at about 433 K was sensitive to 60Co γ-rays and showed good linearity with doses and consequently could be used to quantify radiation doses. 相似文献
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V. N. Baumer M. F. Dubovik B. V. Grinyov T. I. Korshikova A. V. Tolmachev A. N. Shekhovtsov 《Radiation measurements》2004,38(4-6):359-362
The radiation-induced defect types in LaB3O6 and Li6Gd(BO3)3:Ce single crystals have been determined taking into account crystal-lattice features, absorption characteristics, photo- and thermostimulated luminescence data. The possible activator center models in Li6Gd(BO3)3:Ce crystals are proposed. 相似文献