ITO玻璃基板的平整度及测量

分析ＩＴＯ玻璃基板平整度参数对液晶显示器的影响，介绍平整度参数的测试方法。     

ITO:Mo透明导电薄膜的制备

利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。     

LCD生产技术中检测方法的研究

本文提出应用偏光显微镜,为 LCD 生产、科研提供分析和检测手段,这种方法省时省物,操作简便,也达到用化学分析方法难以达到的目的。     

改善LCD显示效果的方法

阐述了LCD从设计到工艺及各种原材料的选材对显示效果的影响。着重分析了LCD三大主材之一的偏振片特性，并且根据偏振片特性，对全息膜、TDF／RDF膜、PG系列偏振片的性能和结构进行了比较实验。结合实际生产得到了以下结论：满足客户的不同需求，必须提高选择点与非选点的反差，从主材的择优选取、工艺设计等方面提高器件的对比度。     

ITO透明导电薄膜的制备及光电特性研究

以氯化铟和氯化锡为前驱物,采用溶胶 凝胶法在玻璃基片上制备了ITO薄膜。研究了掺锡浓度、热处理温度和热处理时间等工艺条件对ITO薄膜光电特性的影响。制备的ITO薄膜的方阻为300Ω/□,可见光平均透过率为80%,电阻率为4×10-3Ω·cm,其光电特性已达到了TN LCD透明电极的要求。     

康宁为其在中国的LCD玻璃基板后段加工工厂举行奠基典礼

2006年11月3日康宁公司在中国的独资分支机构为一个新的液晶显示器（LCD）玻璃基板后段加工工厂举行了奠基典礼。     

溅射氩分压对ITO透明导电薄膜光电特性的影响

用磁控溅射法在水冷 PPA聚脂胶片上制备了性能优良的 ITO透明导电膜。本文重点讨论了溅射氩分压对薄膜的结构和光电特性的影响 ,合适的氩分压为 0 .5 Pa,在此条件下 ,制备的薄膜最小电阻率为 4.6× 1 0 -4Ω· cm,相应的自由载流子霍耳迁移率有最大值为 75 cm2 /( V· s) ,在可见光范围内相对透过率为 80 %左右 ,在红外区 ,薄膜的等离子共振吸收波长随着氩分压的减小而变短。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的 C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随氩分压的增大 ,[40 0 ]峰开始增强 ,[2 2 2 ]峰被削弱 ,薄膜呈现出混晶结构。 XPS谱分析表明随溅射分压的减小 ,薄膜中的氧空位浓度增大 ,自由载流子浓度有所增大     

液晶显示器电极图形制作中的ITO基板清洗技术

由于LCD产品的薄、轻、省电等特征，在各个领域都受到广泛使用，随着人们对高显示信息、高显示质量和显示全彩化的要求，在一定视域内，要求彩色STN液晶显示器具有更多更密的象素，势必要求显示电极图形的制作越来越精密。本文将通过对CSTN—LCD电极图形制作流程和部分实用物理清洗方法的介绍，说明电极图形制作中ITO基板清洗的重要性。     

ITO阻值的精确计算及影响因素

论述了ITO、方块电阻的定义及ITO阻值的精确计算，并结合实际应用讨论了影响ITO阻值的因素，对版图设计和LCD生产的过程控制有一定的借鉴意义。     

TFT—LCD的基本结构和TFT制造技术

ＴＦＴ—ＬＣＤ的基本结构和ＴＦＴ制造技术１引言随着信息社会的高度发展，用于人─—机联系的显示越来越重要了。由于计算机趋向于小型化，因此，与计算机连接的显示器件也要求体积小、重量轻、耗电少。从根本上来说，就是要以新的显示器件来取代持续４０多年唱主角的Ｃ...     

有机材料衬底的ITO透明导电膜的结构和导电特性研究

采用真空反应蒸发技术，蒸发高纯度铟锡合金，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，研究了薄膜结构及电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数对制备条件的依赖关系，对制备薄膜的导电机制进行了研究，     

导电spacer性能分析和使用选取方法

介绍导电spacer的性能、结构、可靠性判断、检测方法、使用选取方法等。     

灵活的体系结构推动夏普双视角和标准LCD技术

液晶显示器（LCD）在目前消费类和汽车电子领域已经得到了广泛应用。LCD技术推出了大量产品，满足了不同体积、功耗以及各种图像质量的市场需求。夏普电子公司最近开发的产品——双视角LCD显示器，进一步推动了该技术的创新发展。     

低电阻率透明导电薄膜

日本兵库工业研究所无机材料室开发出一种新的薄膜生长方法。该法是由激光蒸发法和激光辐照技术结合而成的一种新技术。此法可用于生产液晶显示器或触摸屏用的透明导电薄膜，目前已生产出了世界顶级的低温低阻薄膜。     

透明导电膜最新动向采用低温工艺ITO薄膜形成技术之现状

液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、电发光显示器(ELD)等显示装置，都以透明导电膜为基础，使用各种性能的薄膜。随着这些平面屏显示器(FPD)的高性能化，我们迫切期待着那些有代表性的关键材料之一的透明导电膜的高质量化。     

刍议液晶显示器的坏点检测方法

液晶显示器的检测目的是为了提高其生产的质量以及确保生产技术的完善.本文主要研究了在液晶显示器当中的坏点检测,笔者主要从三个角度讨论有关于检测的知识.首先笔者阐述了液晶显示器的大致情况,其次笔者在文章中分析了液晶显示器检测的重要性.最后笔者详细的了解了液晶显示器坏点检测的具体方法,期望笔者对于液晶显示器相关检测方法的阐述,可以帮助生产企业更好的完成检测工作.     

基于高亮度LED散热基板导热系数的检测方法

导热系数在化工、建筑、科研生产中有着广泛的应用。目前国内外关于导热系数的检测方法很多,相关的标准也不少。检测样本不同,对检测方法的适用领域、测量范围和精度的要求也不同。在检测时,选择合适的检测方法至关重要。通过对比分析国内外各种导热系数的检测方法,引入一种适合印制电路板行业高亮度LED散热基板导热系数的新检测方法。通过试验验证,确定其在高亮度LED散热基板的导热系数检测方面的适用性。     

TFT—LCDs的缺陷检测和修补技术

概述了 TFT-LCDs 的缺陷分类、成因以及各种 TFT-LCDs 无缺陷技术,着重阐述了 TFT 矩阵板的一种电气缺陷检测原理和确定缺陷类型及位置的方法;介绍了各种缺陷的激光修补技术。     

透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应

在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.     

透明导电CdIn2O4薄膜的结构和Seebeck效应

在Ar和O2混合气氛中,利用直流反应磁控溅射Cd-In合金靶制备了CdIn2O4(简称CIO)薄膜,利用AFM和XRD技术表征了薄膜的形貌和组成,用XPS分析了薄膜的化学成分和元素价态,并在室温下测量了CIO薄膜的Seebeck效应以及加入磁场后的Seebeck效应.实验结果表明:CIO薄膜是多晶薄膜,其表面粗糙度为1.60～2.60nm,晶粒大小为13～36nm,晶界清晰.它由CIO相和In2O3相组成,部分样品还含有微量的CdO相,退火处理后氧缺乏状态和氧充足状态的面积比由退火前的0.69增加到0.71,薄膜的导电性能得到提高.CIO薄膜具有非常明显的Seebeck效应,温差电动势随温差的增加而线性增加,温差电动势率随着电阻的增加而减小;加入磁场后,薄膜的温差电动势率变小.文章对制备条件和结构的关系以及Seebeck效应和加入磁场后的Seebeck效应的机理作了详细探讨.