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KDP晶体中包裹体形成机制的探讨 总被引:8,自引:8,他引:0
本文介绍了包裹体对KDP晶体质量的影响,并从两个方面探讨了KDP晶体生长过程中包裹体的形成机制.通过分析KDP晶体表面原子结构研究了不同杂质的吸附情况以及杂质对生长台阶的阻碍作用,通过分析晶体生长过程中流体动力学和质量输运条件的变化研究了旋转晶体的流体切应力和表面过饱和度,结果表明吸附杂质对生长台阶的阻碍和表面过饱和度的不均匀造成了生长台阶的弯曲和宏观台阶的形成,导致生长台阶形貌的不稳定是包裹体形成的重要原因. 相似文献
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对红外非线性光学晶体CdSe的倍频光学参数及其元件加工进行了研究.根据非线性光学原理和折射率色散关系,从理论上计算出CdSe晶体的有效非线性系数和倍频元件相位匹配角与基频光波长(5.5~10.0 μm)的调谐特性曲线,从实验上探索到一种通过解理试验和XRD定向测试,快速确定其光轴方向的晶体定向新方法.结果表明,CdSe晶体在Ⅱ类相位匹配条件下的有效非线性系数d_(eff)为d_(15)sinθ,倍频转换效率与方位角无关;在Ⅰ类相位匹配条件下其有效非线性系数d_(eff)恒等于0,无倍频输出.根据理论计算结果,运用定向新方法,针对VUVG法生长出的外观无方向特征的CdSe晶体,经定向切割、研磨和抛光,初步加工出基频波长为9.6 μm的CdSe晶体Ⅱ类相位匹配倍频元件, 尺寸达9.5 mm×9.5 mm×18 mm. 相似文献
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新型二维晶体MXene的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
MXene是一种新型的二维过渡金属碳化物或碳氮化物,化学式为Mn+1Xn,M代表过渡金属,X代表碳或者氮,n=1、2、3.目前制备的MXene表面均附有官能团,因此也常用Mn+1XnTx来表示其化学式.研究发现,MXene具有良好的导电性、透光性、磁性、低温热电性和能量存储等诸多新颖的性能.本文通过总结MXene结构和性能等方面最新的实验和理论研究成果,分析了该体系目前存在的问题,预测了其可能的应用领域和未来的发展方向. 相似文献
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单晶材料的新发展及其对生长技术的挑战 总被引:5,自引:5,他引:0
近年来,宽带隙半导体GaN、SiC、ZnO,弛豫铁电体PZNT,热电半导体β-FeSi2,超导体MgB2等功能晶体材料引起了人们的广泛关注.这些材料大多具有非常优异的性能和巨大的应用前景,但生长工业应用的体单晶非常困难.本文从晶体生长技术角度综述了这些晶体的研究进展,结合其物理化学特性探讨了单晶生长中遇到的一些关键问题.通观这些热点单晶材料的研究现状,一方面我们可以把晶体膜的制备技术看作是传统晶体生长技术的延伸,另一方面,膜技术的发展和单晶生长中存在的问题,也是对传统生长工艺的挑战. 相似文献
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Yasuhiro Hayakawa Masahiko Ando Tadanobu Koyama Masashi Kumagawa Tetsuo Ozawa Miyuki Masaki Katsumi Takahashi 《Crystal Research and Technology》1996,31(5):567-575
InxGa1-xAs (x = 0.045) ternary bulk crystals were grown on GaAs seeds from an In–Ga–As solution by the temperature-difference method modified to rotate a growth ampoule. The effect of ampoule rotation on the profiles of the composition and the growth rate were investigated. The In compositional profiles were uniform irrespective of the ampoule rotation. On the other hand, the growth rate at the center of the crystal increased from 40 μm/h at 0 rpm to 55 μm/h at 100 rpm. The profile of growth rate changed from concave to convex toward the seed due to the ampoule rotation. Flow patterns and compositional profiles in the solution were simulated by solving four equations: Navier-Stokes, continuity, energy, and solute diffusion. The ampoule rotation enhanced the transportation of As component from the GaAs feed toward the seed at the central region in the solution. This led to the increase of the growth rate. 相似文献
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P. G. Mo J. Wu X. Q. Fan J. Zhu Y. D. Zhou H. Z. Tan 《Crystal Research and Technology》1992,27(3):373-379
The behaviour of As-related defects in SI (semi-insulating) GaAs are studied from the viewpoint of the origination of As-related precipitates, generation and evolution of EL2 during postgrowth and the possible defect interactions involved EL2 variation under As overpressure annealing. The precipitates were identified as elemental As and As-rich GaAs polycrystalline grains and their features depend on the growth process. A defect interaction model has been proposed on the generation/annihilation of EL2 assigned as AsGa VAs VGa complex respect to non-stoichiometry such as Asi VGa and VAs. 相似文献
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本文简要介绍了具有无序结构的双金属、三金属的钼酸盐和钨酸盐晶体的结构特征、光谱特性,讨论了无序晶体结构对激光晶体的谱线均匀展宽的影响。综合无序结构的双金属、三金属的钼酸盐和钨酸盐晶体的光谱特性,相信它们可以成为一类LD泵浦的全固态激光晶体材料。 相似文献
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