高强度、超声速分子束束斑测量

提出了一种检测分子束束斑直径的方法,研制了一套用以测量分子束斑直径的全玻璃分子束系统,并对H_2、N_2、Ar等气体的分子束进行了测量;通过与理论计算值、光学测量法比较,讨论了误差,得到了满意的结果;最后提出了以束强在束斑截面上的分布来定义束斑直径(称为有效直径)的概念,并给出了作法和结果。     

分子束外延生长室内晶片生长过程中真空度的测量

分子束外延生长室内晶片生长过程中真空度的测量张伯文（复旦大学）ＶａｃｕｕｍＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｄｕｒｉｎｇｔｈｅＰｒｏｃｅｓｓｏｆＣｒｙｓｔａｌＣｈｉｐＧｒｏｗｔｈｉｎｔｈｅＧｒｏｗｔｈＣｈａｍｂｅｒｏｆＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙ￥Ｚ...     

用SPR法对有序分子薄膜的测量

本文介绍了ＳＰＲ方法的基本原理和金属薄膜、ＬＢ膜的制备过程，测出了ＬＢ膜层数与共振角偏移的关系，说明了ＳＰＲ法的良好应用前景。     

探测系统噪声对激光束束宽测量的影响

讨论了由于探测系统噪声原存在,对目前广泛采用的二阶矩束宽定义的激光束空域参数测量系统的影响,并给出实际测量系统设计时减少噪声影响的方法。     

分子束技术的发展与应用

论述了随着真空技术的发展分子束技术发展的概况.近20年来,已成为现代科学研究的有力工具.通常分子束源有三种不同结构.即泻流源、多腔毛细管列源和超声喷射源.对上述源的特性作了简要说明,介绍了分子束技术在现代科学技术多域的许多应用情况.     

新型分子束外延束源快门的研制

束源快门在分子束外延技术中占有重要地位,是分子束外延设备上的关键部件之一。针对国产MBE—Ⅰ、Ⅱ型手动快门的种种不足,设计了一种新型的磁力偶合电脉冲驱动快门。其结构简单、小巧、紧凑,运转灵活、可靠。理论上开关时间为0.04秒。采用防污染措施。可有效地防止砷对快门的污染。新型快门的出现将有助于高质量分子束外延生长以及自动化生长过程的实现,并可应用于新一代分子束外延设备上。     

进一步提高我国分子束外延技术的探讨

进一步提高我国分子束外延技术的探讨孔梅影，梁基本，曾一平（中国科学院半导体研究所北京１０００８３）十多年来，我国的分子束外延（ＭＢＥ）技术从无到有，并不断改进提高，取得很大的进展。在中国科学院一些单位的共同努力下，我国先后发展了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ四种型号...     

分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和电化学剖面Ｃ－Ｖ方法研究了生长温度对ＧａＡｓ中理想Ｓｉδ掺杂的结构的偏离和掺杂原子电微活效率的影响。实验发现，外延生长Ｓｉδ掺杂，ＧａＡｓ时，随着生长温度的升高，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰非对称展宽。表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子扩散。另外，Ｓｉ施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。     

Si局域分子束外延技术

利用局域分子束外延技术生长了含有ＳｉＧｅ量子阱的岛状结构２，实现了生长的岛状结构 面不与掩模材料相接触。这种含有量子际的岛状结构具有比相同结构量子阱强２０多倍的光致发光强度。     

低温分子束外延生长GaAs材料及相关器件研究进展

本文概括了低温分子束外延GaAs(LT MBE GaAs)材料的发展历史及国内外的最新研究状况。简单介绍了这种材料在器件方面的应用及其性质的理论研究进展。针对此种材料研究中尚需解决的一些问题进行了讨论,并就国内现有基础分析了此项研究的必要性及可行性。     

激光—分子束—表面散射装置的研制

介绍自自设计和加工的激光－分子分子束－表面散射装置，并对超高真空转动密封结构作了详细描述。差发泵浦的超音速分子束对准样品中心，射入超高真空主室，样品架安放在主室中央，四极质谱检测器可绕样品转动，用来测量表面散射分子的平动能及角分布。三个石英窗口作为激光窗口。可用ＬＩＦ或ＭＰＩ方法来测量表面散射分子的内能态分布，也可用于研究表面光化学。最后给出了分子束发射角及室时ＣＨ２Ｉ２在Ａｇ（１１０）表面用３０     

气态源分子束外延及其源材料

一、引言分子束外延(MBE)和金属有机化合物汽相外延(MOVPE)是两个先进的材料外延技术。气态源分子束外延(GSMBE)[化学束外延(CBE)、金属有机化合物分子束外延(MOMBE)]是由前两项技术发展起来的。这种外延具有分子束流性质,同时,它在外延过程中向生长室引入并精确地控制气体,兼有MBE和MOVPE两项技术的优点。目前,国内已开展气态源分子束外延技术的研究。国外用此技术已研制了多种优质材料和器件,其GaAs外延膜峰值电子迁移率已达300000cm~2/V·s,所研制的器件结构有光电二极管、三极管、多量子阱激光器、分布反馈激光器、光双稳器件、高迁移     

Si局域分子束外延技术

利用局域分子束外延技术生长了含有SiGe量子阱的岛状结构。实现了生长的岛状结构侧面不与掩模材料相接触。这种含有量子阱的岛状结构具有比相同结构量子阱强20多倍的光致发光强度。     

HgCdTe分子束外延柔性制造技术研究

报道了近年来在ＨｇＣｄＴｅ分子束外延柔性制造技术研究中取得的初步结果,并对面临的任务进行了讨论。研究表明：ＨｇＣｄＴｅ分子束外延薄膜具有很好的组分均匀性、表面形貌、电学参数以及组分可重复性。用分子束外延ＨｇＣｄＴｅ薄膜成功地研制出了３２×３２红外焦平面器件。     

国内首次用分子束外延生长出短周期InAa／GaSb超晶格

中科院半导体研究所超晶格国家重点实验室采用分子束外延技术，成功地在GaAs村底上生长出高质量Gasb厚膜材料和2～3μm波段InAs／GaSb超晶格材料。这是国内首次用分子束外延技术在GaAs衬底上生长出短周期InAs／GaSb超晶格。     

采用流量计测量复合分子泵抽速装置研制

本工作研制了一台采用流量计测量复合分子泵抽速的装置.本装置由测试台车、机柜、计算机自动控制和数据采集处理系统三部分组成.选用3个高精度流量计,满量程分别为1000 sccm、100 sccm和10 sccm,并联组成流量计组件用于测量输入气体的流量,选用高精度的复合真空计测量真空测试罩内气压.抽速测试结果显示,一台1200 L/s的复合分子泵N2抽速重复测量5次,14个气压测试点对应的抽速的最大相对标准偏差小于2％,重复性好.抽速测量的误差主要由流量计和真空计的系统误差决定.采用流量计测量一台分子泵在气压2.00×10-3 Pa～2.00 Pa范围的抽速,测量时间20 min以内.