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为了适应大屏幕、高功率彩色视频显示器件发展的需要,最近几年先后出现了几咎新型的绿色荧光粉,其中以铽激活的钇铝石榴石的性能较为突出,得到了广泛的应用。本文主要论述这种绿粉的性能及其制备方法,并简要介绍了单晶屏的生长工艺。 相似文献
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利用化学溶液法在具有良好导热性和红外透过性的钇铝石榴石单晶衬底上成功制备了具有单一尖晶石相的Mn1.56Co0.96Ni0.48O4薄膜.傅里叶红外光谱测试表明薄膜在2.5~5μm波段具有明显的吸收带.通过研究其电阻-温度关系并利用最近邻跳跃模型进行拟合,得到薄膜的特征温度约为2 530 K,室温下的负电阻温度系数约为-3.66%K-1. 相似文献
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王璐璐 牛岗 石朝辉 闫莹 麻云凤 黄玉涛 樊仲维 Mikhail Grishin Donatas Joksas Zenonas Kuprionis 《中国激光》2012,39(11):1102007
报道了激光二极管抽运工作波长为1.3 μm的高能量皮秒再生放大器,种子源为重复频率65 MHz、平均输出功率140 mW的被动锁模皮秒激光振荡器。通过优化再生放大器,获得了重复频率为1 kHz、脉宽小于20 ps、单脉冲能量大于1 mJ的高脉冲能量皮秒脉冲激光,脉冲能量稳定性均方根值小于0.3%,其倍频光束671 nm的质量因子M2小于等于1.1,这表明再生放大器输出激光具有很好的光束质量。 相似文献
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硅基光电集成技术是当代高速信息化的重要发展方向之一。为了研究制备在硅衬底上的新型发光材料,突破Nd:YAG固体激光工作物质主要是晶体、透明陶瓷等固体形态的限制,采用电子束蒸发沉积工艺,在硅(100)衬底上制备了Nd:YAG薄膜,并对Nd:YAG薄膜的表面形貌、晶体结构、光学特性进行了测试。X射线和扫描电子显微镜测试结果显示,Nd:YAG薄膜经1100℃真空高温退火处理1h后有效结晶,采用钛蓝宝石激光器输出808nm激光激发,液氮冷却的InGaAs阵列探测器室温下得到Nd:YAG薄膜的1064nm主荧光峰的荧光光谱。结果表明,采用电子束蒸发沉积和后续高温退火工艺可以在硅衬底上制备Nd:YAG晶体薄膜。 相似文献
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加长棒脉冲钕玻璃激光器光放大现象机理的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
以四能级激光系统的速率方程为基础,考虑自发辐射的影响,对加长到抽运腔外的钕玻璃棒未受到抽运反而产生光放大现象的机理进行了理论探讨和实验验证,理论探讨结果与实验验证结果大致相符。 相似文献
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本文讨论脊形波导级联双区增益(或Q)开关MBE生长量子阱皮秒激光器的工作原理和实验,测得的脉冲半峰宽FWHM<60ps,与理论值符合很好。 相似文献
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皮秒脉冲光源是量子密钥分配系统核心器件。为了实现皮秒脉冲光源的国产化,基于国产芯片研制了一种千兆皮秒脉冲激光器模块。该模块采用比例-积分-微分算法控制温度,使光波长漂移在0.01nm以内,使用外部光电二极管探测光功率,反馈调整激光管驱动电流,进行了实验验证。结果表明,利用国产单片机精确控制恒流源和窄脉冲电路驱动激光管发光,输出光脉冲频率达到1.25GHz,脉冲宽度约为50ps,光功率为-3dB对应的谱宽小于0.2nm,输出光波长和功率稳定。此研制的国产化皮秒脉冲激光器模块可满足量子密钥分配系统对光源稳定性的要求。 相似文献
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白光 《激光与光电子学进展》2001,(11):15-18
1 引言近来对皮秒和飞秒强激光作用下的固体表面谐波振荡已有许多理论和实验研究。这种过程在整个激光脉宽范围内具有相同的性质 ,p偏振辐射转换为谐波辐射的效率大大超过 s偏振辐射的转换效率。同时观察到转换效率随着谐波级次增大而相继降低。强度至 1 0 1 6W/ cm2时 ,谐波辐射的发散度接近激光辐射的发散度。参数 Iλ2 >1 0 1 8W· μm2 / cm2 (式中 I为激光强度 ,λ为辐射波长 )时 ,观察到谐波的各向同性分布。此结果是在对比度~ 1 0 - 6时得到的 ,看来所使用的强度对于产生电子密度的锐梯度是不够的。同时知道 ,转换效率与偏振的关… 相似文献
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采用氧化钕、氧化钇、硝酸铝、氨水以及柠檬酸作为原材料,以低温燃烧法(LCS)制备出纳米粉末材料。该方法解决了固相反应的高温合成及化学沉淀法的粉体团聚问题。通过热重-差热(TG-DTA)、X-射线粉末衍射(XRD)、傅里叶红外透射(FT-IR)和透射电镜(TEM)测试手段研究粉末的特性,采用谢莱方程(Scherrer)根据YAG(420)晶面的衍射曲线半峰宽数据计算出晶粒尺寸,详细研究陶瓷材料在不同热处理条件下的析晶情况。研究结果表明:YAG相的形成温度为850℃,在热处理过程中出现YAP中间相,于1050℃转变成纯YAG相,颗粒在不同的热处理条件下呈现不同的尺寸,在20~50nm范围变化。随着热处理温度的升高,平均晶粒尺寸增加,晶粒尺寸的标准偏差保持在2.0左右,晶格参数逐渐减小。晶粒主要以晶界扩散形式进行生长,晶格参数膨胀是由晶粒表面的排斥偶极距所造成的。 相似文献