双频/GSM 3.6 V集成功率放大器

Ｍ ｏｔｏｒｏｌａ公司的 ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源（３．６Ｖ）ＲＦ集成功率放大器,设计用于ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００手持无线装置。改变匹配电路,它也可以用于３频ＧＳＭ９００／ＤＣＳ１８００／ＰＣＳ１９００装置。３．６Ｖ下的典型特性是：ＧＳＭ：Ｐｏｕｔ＝３５．８ｄＢｍ, ＰＡＥ＝５３％;ＤＣＳ： Ｐｏｕｔ＝３４ｄＢｍ, ＰＡＥ＝４３％。它具有一个宽频带（９００－１８００ＭＨｚ）内部负电压产生器,此负电压产生器是基于输入载波经２级缓冲器放大后的ＲＦ整流（见图１）。这种方法消除了采用ｄｃ／ｄｃ…     

双频手机与双模手机

双频移动电话是指能用于同一制式下,可同时接收两种不同工作频率的移动电话。这两种频率是ＧＳＭ９００ＭＨｚ和 ＤＣＳ１８００ＭＨｚ。推出双频服务的原因是由于使用移动电话的用户越来越多,现有的ＧＳＭ９００ＭＨｚ网络容量有限,使网络越来越拥挤,服务质量难以得到保证。ＤＣＳ１８００是在原ＧＳＭ９００的基础上发展起来的新的移动电话系     

1800MHz GaAs集成功率放大器

ＭＲＦＩＣ１８１７是Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司的一 款３级集成功率放大器,是为用于蜂窝电话而设计的,它特别适用于ＤＣＳ１８００（ＰＣＮ）３．６Ｖ工作。通过调整匹配电路,它也适用于ＤＣＳ１９００（ＰＣＳ）设备。由于输入、输出和某些级间匹配是在芯片外实现的,所以器件可以调谐工作在１５００～２０００ＭＨｚ频率范围内的任何频率。典型性能（在不同电池电压下）如下： ·３３．５ｄＢｍ＠．３．６Ｖ · ３２．0ｄＢｍ＠３Ｖ 此性能使得ＭＲＦＩＣ１８１７适合于便携蜂窝应用,如： ·３Ｖ和３．６Ｖ ＤＣＳ１８００ ＣｌａｓｓＩ…     

基于双频GSM 3.6V集成功率放大器

介绍了摩托罗拉公司功率放大器的特点及应用。     

16.5～20GHz PHEMT单片功率放大器

采用南京电子器件研究所的 76 mm Ga As的 PHEMT单片技术 ,进行了 1 6 .5～ 2 0 GHz的 PHEMT MMIC的设计与研制。其中 PHEMT器件选用双平面掺杂 Al Ga As/In Ga As/Ga As PHEMT异质结结构 ,0 .5μm栅长的 76 mm Ga As工艺制作。在 MMIC设计中 ,准确的器件模型是设计 Ku波段单片的关键。为了保证单片研制的成功 ,利用 Agilent软件进行了 PHEMT器件模型的提取。模型可直接应用于 HP- EESOF Libra软件中 ,进行线性和非线性分析。PHEMT单片放大器采用三级有耗匹配放大器拓扑 ,输入和输出端口匹配至 50 Ω,CPW形式引…     

Ka波段高效率GaAs功率放大器MMIC

采用GaAs PHEMT工艺,研究了PHEMT器件材料结构和大信号建模,分析了如何提高电路效率,并利用ADS软件对电路进行了原理图与版图优化设计,成功研制了高效率Ka波段GaAs功率放大器MMIC。电路采用三级级联放大,各级选取合适的总栅宽,使用Wilkinson功率分配/合成网络,采用阻性网络消除奇模振荡,输入输出均匹配至50Ω。在36～40 GHz频带内测试,测试结果表明:饱和输出功率大于2 W,功率增益大于17 dB,功率附加效率大于20%,频带内最高效率高达25%,芯片尺寸3.7 mm×3.2 mm。     

GaAs、InP集成电路技术的发展——1992年IEEE GaAs IC讨论会评述

本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况,并依据这次国际会议所发表的论文,以GaAs、InP集成电路的技术路线为主线,介绍和评述了GaAs基PHEMT,HBT,MESFET以及InP基HEMT、HBT等集成电路的现状与发展。     

GaAs,InP集成电路技术的发展——1992年IEEE GaAs IC讨论会评述

本文介绍了1992年IEEE GaAs IC讨论会的概况，并依据这次国际会议所发表的论文，以GaAs,InP集成电路的技术路线为主线，介绍和评述了GaAs基PHEMT，HBT，MESFET以及InP基HEMT，HBT等集成电路的现状与发展。     

一种双频双模射频电路的设计

给出了一种基于802．11b／g下的双模电路设计，该电路能很好地应用于2．4GHz和5.8GHz两个工作频段，并能实现全向和定向两种工作模式的转换。仿真结果表明，该电路有良好的回波损耗和传输特性，可以较好地满足无线局域网中的应用。     

C波段高增益微封装GaAs功率放大器

介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０￣６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ〉３６ｄＢｍ，Ｇｐ〉４０ｄＢ，ηａｄｄ〉３３％。     

4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器

采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。     

双频高效功率放大器设计

为了提高多模通信系统前端放大器的利用率问题,基于复合左右手传输线的理论,提出了一种双频高效功率放大器的设计方法。采用负载牵引和源牵引法确定放大器高效工作状态的最佳负载阻抗和最佳源阻抗,利用复合左右手传输线的频率偏移和非线性相位来设计放大器匹配网络。通过ADS软件仿真,放大器同时工作在0．5GHz和1．2GHz的频率点时,输出功率分别为39．9dBm和37．9dBm,工作效率分别为55．7％和51．3％。     

AWC6323：双频功率放大器

ANADIGICS推出为三星电子的DroidCharge智能手机批量供应AWC6323双频低功耗高效率（HELP3E）功率放大器fPA）。ANADIGICS的AWC6323功率放大器是该公司行业领先的HELP3E产品系列中的一员。该系列功     

移动通信用GaAs HBT功率放大器

介绍了移动通信用 Ga As HBT功率放大器的设计、制作 ,给出了电路拓扑。该两级放大电路在 180 0 MHz、3.6 V偏压下 ,相关增益 >30 d B,1分贝压缩点输出功率达到 2 8.8d Bm,饱和输出功率 >30 d Bm,最大效率 >37%。采用 Φ 76 mm工艺制作 ,工艺成品率高     

31~38 GHz宽带高效率GaAs中功率放大器芯片

为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31~38 GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片。测试结果表明,该功率放大器芯片在31~38 GHz宽带范围内,线性增益为26~29 dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37%,在32~35 GHz内最高效率达45%。     

高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器

研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于 3 2 .3 1 d Bm(0 .1 77W/ mm ) ,功率增益大于 1 9.3 d B,功率附加效率 (PAE)大于3 8.7% ,PAE最大达到 49.4% ,该放大器在 Vds=9.0 V时 ,输出功率大于 3 6.65 d Bm(0 .48W/ mm) ,功率增益大于 2 1 .6d B,PAE典型值 3 5 %     

一种0.15 μm GaAs pHEMT高效率功率放大器

基于0.15 μm GaAs(D-Mode)pHEMT工艺,采用多级级联的方式,设计了一种中心频率为2.4 GHz的高效率功率放大器。采用两级级联放大结构,驱动级采用共源结构,提高了输出功率和线性度。功率级采用自偏置技术共源共栅结构,增益和效率得到提升。工作模式分别为A类和AB类。版图面积为1.45 mm²。仿真结果表明,在驱动级电路工作于5 V、功率级电路工作于10 V、频率为2.4 GHz的条件下,1 dB压缩点功率为31.99 dBm,最大输出功率为32.01 dBm,小信号增益为30.51 dB,功率附加效率为40.74%。输入功率为1.48 dBm时,在1.94~2.82 GHz频带内,输出功率为30.29~32.07 dBm,功率附加效率为30%~41.9%,小信号增益峰值为31.97 dB,3 dB带宽为880 MHz。     

一种GPS/Galileo双模双频接收机射频前端芯片设计

提出了一种双频带混合GPS/Galileo接收系统,GPS与Galileo共同运作,规避了单一模式的安全漏洞,使卫星定位提供更稳定、更可靠、更安全的导航服务成为可能.接收系统同时接收GPS L1/L2和Galileo E1/E5a信号,提高了系统灵敏度,可以实现高精度定位和实时导航定位,同时能够最大限度地复用射频硬件资源,大大减少了芯片面积的消耗和系统功耗.通过系统参数仿真,各系统性能指标均满足设计要求.     

ADIGICS针对新一代手机发布业界最小能双频CDMA功率放大器

ANADIGICS日前发布最新版高性能双频CDMA功率放大器（PA）AWC6323，该产品适用于目前全球领先的无线供应商最先进的CDMA手机和数据卡。