微波功率GaAs MESFET的可靠性

本文介绍了功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的必要失效模式和失效机理，主要失效模式有突然烧毁致命失效，缓慢退化失效，击穿低漏电大失效，内外引线和热集中失效，器件性能的不稳定和可逆漂移，主要失效机理有结构设计不合理，材料和工艺缺陷，栅结，欧姆接触和材料退化。静电损伤等，提出了改进功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴＳ可靠性的主要措施：全面质量管理，运用可靠性增长管理技术，合理的设计方案，先进的设备和工艺，优质的材料和     

微波功率GaAs MESFET小信号等效电路的研究

提出了计算功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ小信号模型参数的一些改进方法,包括计算Ｈｅｓｓｅ矩阵本征值和本征向量,确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和优化方向,以及稳定的计算方法,计算结果与器件的测量值吻合。     

一种改进的微波MESFET模拟器

本文介绍一种改进的基于器件物理参数的微波ＭＥＳＦＥＴ模拟器，它不仅可以模拟器件物理参数变化对ＭＥＳＦＥＴ特性（如等效电路元件、Ｓ参数、电流－电压特性）的影响，而且亦可以模拟ＭＥＳＦＥＴ特性随温度变化的情况。     

SiC MESFET微波功率器件的研制

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiC MESFET.利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2GHz 64V工作时,连续波输出功率达4.09W,功率增益为9.3dB,PAE为31.3%.文中还给出了SiC功率放大器在微波大信号工作时的稳定性的初步测试结果.     

SiC MESFET微波功率器件的研制

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究．通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiCMESFET．利用1mm栅宽SiC MESFET制成的微波功率放大器在2GHz64V工作时,连续波输出功率达4．09W,功率增益为9．3dB,PAE为31．3％．文中还给出了SiC功率放大器在微波大信号工作时的稳定性的初步测试结果．     

微波MESFET小信号噪声等效电路模型分析

本文将噪声源引入ＭＥＳＦＥＴ小信号等放电路模型，推导了由ＭＥＳＦＥＴ内部参数计算其参数的计算公式及由噪声源引起的各端口噪声电流表达式和噪声参数的计算公式，编制了相应的计算程序和绘图程序，经验证得到了令人满意的结果，说明ＭＥＳＦＥＴ小信号噪声等效电路模型对研究和应用ＭＥＳＦＥＴ是有效的和新颖的。     

微波大功率SiC MESFET及MMIC

利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC MESFET和MMIC的工艺技术研究.研制的SiC MESFET采用栅场板结构,显示出优异的脉冲功率特性,20 mm栅宽器件在2 GHz脉冲输出功率达100 W.将四个20 mm栅宽的SiC MESFET芯片通过内匹配技术进行功率合成,合成器件的脉冲功率超过320 W,增益8.6 dB.在实现SiC衬底减薄和通孔技术的基础上,设计并研制了国内第一片SiC微波功率MMIC,在2～4 GHz频带内小信号增益大于10 dB,脉冲输出功率最大超过10 W.     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析，并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件，结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术，建立了SiC MESFET的微波测试系统，完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试，功率增益大于6dB，器件的fT为6.7GHz, fmax达25GHz.     

用几何磁阻法分析低噪声MESFET的噪声性能

利用MESFET沟道的几何磁阻效应,测定了器件有源层内的迁移率剖面分布,与此同时得到源漏串联电阻。验证了它们与器件噪声性能的对应关系。进一步研究了材料质量对器件噪声性能的影响,从而提出一种简单的、非破坏性的方法。该法可在MESFET进行微波噪声性能测试之前,有效地鉴别器件质量的优劣。     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.     

改善GaAs MESFET性能的新途径

尽管ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ研制工艺已经成熟，但随着电子系统性能不断提高，对器件的要求也越来越高。本文介绍了用于改善ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ特性的几种新途径。     

GaAs MESFET直流解析模型

根据FET沟道区电场分布的特点,用电子速场特性的分段近似提出了一种新的GaAs MESFET直流解析模型。本文提出的模型可用以计算高夹断电压和低夹断电压GaAs MESFET的直流特性,比完全速度饱和模型及平方律模型更为精确。     

一种间接获取大功率MESFET管芯S参数的新方法

文章测量了单胞，双胞，六胞大功率ＭＥＳＦＥＴ的Ｓ参数，通过精确的误差控制，进行数据处理，得到了单胞拟合成双胞，单胞拟合成六胞的Ｓ参数，通过比较得出了一种间接获取大功率管芯Ｓ参数的方法，实验证明，此方法简单可行。     

砷化镓MESFET器件的模拟

对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的工艺作了具体分析，认为模拟 的关键是要正确描述注入原子的激活率，适移率，载原子分布及再分布，针对这几个问题，以实验结果为依据对ＰＩＳＣＥＳＩ－Ａ模拟程序作了改进，这个改进证明是成功的。     

SiC MESFET微波功率测试技术

对SiC MESFET的微波测试技术进行了分析,并针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GaAs MESFET的测试技术,建立了SiC MESFET的微波测试系统,完成了2GHz工作频率下瓦级功率输出SiC MESFET的测试,功率增益大于6dB,器件的fT为6.7GHz,fmax达25GHz.     

氮化镓微波电子学的进展

简要介绍宽禁带半导体氮化镓材料的生长，微波电子器件的物理特性、制造工艺和微波性能。     

氮化镓微波功率器件研究动态(上)

氮化镓微波功率器件是继砷化镓微波功率器件之后在21世纪新发展起来的微电子领域的研发热点,追踪研究了美国目前正在进行的"氮化电子下一代技术"计划、日本正在进行的氮化镓微波器件科研项目、欧洲"KORRIGA"及"GREAT"项目近况,总结了氮化镓微波功率器件的发展趋势.     

GaAs MESFET微波非线性电路全频域谐波平衡分析

根据傅里叶分析理论推导了全频域分析微波非线性电路的方法,此方法简单明了,适合于分析微波大信号强非线性电路,文中用此方法对ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ微波非线性电路进行了分析,给出了实用的分析计算结果。     

MESFET倍频器的最佳设计

本文提出一种适用于优化倍频器终端，具有最大输出功率（Ｐ＿ｏｕｔ）和变换增益（Ｇ＿ｃ）的设计准则。这种设计技术，首先是在线性Ｓ参数基础上，推导出ＭＥＳＦＥＴ终端的计算。尽管相当简单，但这种近似法导出了期望的结果。使用该方法，获得了曾经报导过的最大输出功率变换增益的折衷法，实验与模拟结果相当吻合。