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氧化铈对改善ZTM陶瓷性能的作用 总被引:5,自引:0,他引:5
工业用电熔莫来石原料中含有钾、钠等杂质,而化学法制备的高纯莫来石中这些杂质含氏,因而以氧化锆增韧这两种莫来石制备陶瓷,发现其力学性能温度的变化趋势有较大差异。后者随温度升高力学性能反而有所增长。研究发现这一变化与原料中杂质含量有关。 相似文献
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缺陷控制与ZTM/SiCp复合陶瓷的强度 总被引:3,自引:0,他引:3
采用湿化学法制备超细莫来石和氧化锆粉末,添加微米碳化硅粉料后,再进行充分均匀湿合,经压滤成型获得均匀、致密、缺陷小的坯体,研究了不同热压工艺条件对复合陶瓷强度的影响。实验发现适当降低热压温度和延长保温时间有利于强度提高,由于材料的微观结构处于较佳状态,缺陷获得的有效控制,多种强化机制有效发挥。材料最大强度达到:室温为810MPa,1000℃为536MPa这比目前国内外文献所报道的莫来石基颗粒复合材 相似文献
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ZrO2粉料喷雾造粒颗粒的形貌,显微结构及其成型性能 总被引:13,自引:1,他引:12
采用SEM和TEM分析了ZrO2喷雾干燥粉料颗粒形貌和显微结构。发现喷雾干燥粉料颗粒是由固有团聚体组成的人造团聚体;其各团聚态强度随强度随料浆中结合剂合量增加而增大,固有团聚体强度随料浆粘度增大而增大;喷雾干燥粉料成型性与其团聚态结构和强度有着密切关系。 相似文献
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研究了在氧含量较低的条件下,热压ZTM/SiCp陶瓷复合材料活性氧化的问题,结果显示;在活性氧化的过程中,材料表面的形貌随氧化温度的升高而变化,最终形成非保护的氧化膜;活性氧化程度随氧化温度的升高而加剧,造成材料内部结构的损伤,使材料的力学性能大幅度下降。 相似文献
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应用缺陷化学理论,探讨了纯ZrO2晶体的缺陷结构和电学性质,以及添加稳定剂对ZrO2电学性质的影响,解释了ZrO2用作导电陶瓷的某些特性。 相似文献
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本文采用热压工艺制备莫来石一氧化锆一碳化硅复相陶瓷;研究了分散相SiC粒子的添加量和粒径对氧化锆增韧莫来石陶瓷力学性能的影响。实验结果表明:SiC添加量在10-30vol%范围之内,材料力学性能有显著提高,其断裂韧性比ZTM材料要提高89%,达8.5MPam^1/2,弯曲强度要提高91%左右,达680MPa;通过对断口进行观察,细SiC粒子强韧ZTM陶瓷主要是通过裂纹钉扎和偏转来实现的,当添加一定 相似文献
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氧化锆粉料中团聚体的结构与强度 总被引:4,自引:1,他引:4
用共沉淀法经不同温度煅烧,制得不同团聚程度的4种含2.5mol%Y2O3的氧化锆粉料。在不同力下等静压成型。用压汞测孔法测定了成型体内孔隙分布。根据孔隙分布由二级分布转变为单级分布来估计粉体中团聚体的强度。实验数据表明:粉料中团聚体强度同煅烧温度有关,并存在团聚强度最低的煅烧温度。 相似文献
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用Ag57Cu38Ti5钎料研究了氧化铝陶瓷真空钎焊,探讨了钎焊温度(800 ̄1050℃)、压力(0 ̄0.3MPa)和时间(0 ̄60min)对接头强度的影响规律,分析了界面形貌与接头强度之间的关系。结果表明:陶瓷与钎料之间存在一明显反应过渡层,反应层强度和反应层与陶瓷间的连结强度是控制接头强度的主要因素。当钎焊温度过低或过高、钎焊时间过短或过长时,由于界面反应不充分或脆性反应产物增加以及界面部分开 相似文献
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堇青石/莫来石比值对硅微粉结合莫来石-堇青石窑具材料结构与性能影响 总被引:2,自引:0,他引:2
采用硅微粉结合的莫来石-堇青石窑具是固体废弃物综合利用,变废为宝的研究项目。硅微粉尘是硅铁电炉冶炼过程产生的大量烟尘,属于玻璃体,尺寸为纳米级,高活性,能促进窑具材料的烧结和提高窑具性能。经XRD和SEM分析结果,各试样存在四种晶相α-堇青石,β-堇青石,μ-堇青石和莫来石。堇青石/莫来石比值从2.33变化到1.5时,堇青石从83.8%增加到85.3%,莫来石从15.4%降低到14.7%;堇青石,莫来石比值从1.5降低至0.67时,堇青石含量随比值下降而降低,莫来石随比值降低而增加。综合分析结果确定3^#为最佳配方,存在的堇青石与莫来石的晶相比例合理,抗折强度最高(27.41Mpa),1次和10次热震抗折强度保持率最高(67%和46%),气孔率和收缩率较低,体积密度最高,这种配方的窑具材料热稳定性好,强度高,使用寿命长。 相似文献
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通过扫描电子显微镜观察了热解石墨的表面和断面形貌及显微组织结构,分析了热解石墨中各种缺陷形成的原因,探讨了沉积工艺参数对热解石墨显微组织结构的影响。 相似文献
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Sr1—xLaxTiO3陶瓷的介电特性与缺陷机构 总被引:3,自引:0,他引:3
研究了组份为Sr_(1-x)La_xTiO_3(其中x=0—0.06)陶瓷的介电特性与缺陷机构。发现:当x=0.0005—0.01时,在频率为10~5—10~7Hz范围内,材料出现了介电弛豫现象;而当0.02≤x≤0.05时,在频率为10~3—10~7Hz范围内,材料没有发生介电弛豫。材料的电阻率与La含量的关系呈“U”型曲线变化。作者采用La替代Sr后而产生的电子补偿与锶空位缺陷补偿分別存在或共同存在,以及空间电荷极化机制对上述现象作出了解释。另外由正电子湮没寿命谱得到的有关材料缺陷机构的结论则进一步证明了该解释的合理性。 相似文献
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结构陶瓷磨削表面损伤的研究 总被引:7,自引:1,他引:7
分析陶瓷磨削过程并通过对Al2O3,Si3N4+ZrO2,PSZ等陶瓷磨削表面及次表面的SEM观察,研究了磨削损伤的形成机理和特征。结果表明:磨削损伤的主要形式有显生塑性变形磨痕,断裂剥落坑,磨削微裂纹和材料疏松区的塌坑。 相似文献
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ZTM陶瓷表面机加工损伤的初步研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文对热压烧结ZTM/SiCp陶瓷的表面机加工损伤及其对材料强度的影响进行了研究,发现机加工在陶瓷表面引入两类损伤,即机加工裂纹及机加工表面残余应力。材料在机加工后强度下降较大,而机加工后的退火处理则可以使强度有所提高。 相似文献