PMN—PZN—PFW—PZT多元系统压电电陶瓷低温烧结

本文研究了PMN-PZN-PPW-PZT多元系统低温烧结压电陶瓷,并讨论了钙钛矿相的合成方法以及添加剂对压电陶瓷性能的影响。     

低温烧结PZT–0.5%PbO·WO_3压电陶瓷

以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备锆钛酸铅(leadzirconatetitanate,PZT)–0.5%PbOWO3压电陶瓷,研究摩尔比n(Zr)/n(Ti)、烧结温度对陶瓷性能的影响。结果发现:合成温度900℃保温2h可以得到钙钛矿结构压电陶瓷。n(Zr)/n(Ti)=1.08时,烧结温度为1100℃保温2h,压电陶瓷的综合性能在准同型相界处达最佳:介电常数ε3T3/ε0=1593,介电损耗tg?=0.019,压电系数d33=363.5×10-6C/N,机电耦合系数Kp=0.596,机械品质因数Qm=88.4。     

低温烧结PZT-O.5%PbO·WO3压电陶瓷

以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)-0.5%PbO·WO3压电陶瓷,研究摩尔比n(Zr)/n(Ti)、烧结温度对陶瓷性能的影响.结果发现:合成温度900℃保温2 h可以得到钙钛矿结构压电陶瓷.n(Zr)/n(Ti)=1.08时,烧结温度为1 100℃保温2 h,压电陶瓷的综合性能在准同型相界处达最佳:介电常数εT33/ε0=1 593,介电损耗tgδ=0.019,压电系数d33=363.5×10-6C/N,机电耦合系数Kp=0.596,机械品质因数Qm=8 8.4.     

低温烧结的刚玉陶瓷

当前,不含熔剂的材料,其烧结温度高达1700～1800℃;而含有熔剂的,其烧结温度则为1600～1650℃。这是俄罗斯工业生产的刚玉陶瓷材料所表现出的明显的技术缺陷。上述缺陷主要表现为热处理设备易快速磨损、耐火制品和能源消耗较高、周围环境遭受热污染。除此之外,高温烧结会导致制品强烈再结晶、形成内气孔和降低强度。因此,开发烧结温度低的、又具有高的物理机械性能和使用性能的材料是十分迫切的。     

低温烧结的高强度刚压陶瓷

本文研究了影响烧结和制取细晶粒结构及高强度氧化铝陶瓷的因素，报道了在空气介质中于１４５０℃下烧结的强度达６００ＭＰａ陶瓷的制取概况。表明可以将Ａｌ２Ｏ３质陶瓷烧结温度降至１２００℃。     

低温烧结MgO-PSZ泡沫陶瓷过滤器

采用新型MgO-PSZ材料进行了泡沫陶瓷过滤器的试制与研究。发现过滤器的性能受海绵影响较大；于1550℃烧成、经1100℃热处理后可得到耐压强度为0．49MPa、孔隙率为85％的过滤器；制备过程中试样的收缩率较大。     

氧化铝陶瓷低温烧结助剂的研究进展

本文评述了低温烧结助剂对氧化铝陶瓷烧结效果的影响及烧结助剂在氧化铝陶瓷低温烧结过程中的作用机理,并介绍了几种常用的复相烧结助剂体系及体系中各组分起到的作用,最后指出了目前采用的烧结助剂在进行低温烧结氧化铝陶瓷时存在的不足及需要解决的问题.     

Co、Sm共掺杂PZN-PZT压电陶瓷的低温烧结与电性能研究

试验采用传统固相法,成功制备出Co、Sm共掺杂的Pb_0.95Ba_0.05(Zn_1/3Nb_2/3)_0.2(Zr_0.52Ti_0.48)_0.8O₃+0.6mol%Co₂O₃+0.04mol%Sm₂O₃三元系压电陶瓷。研究分析了不同烧成温度下PZN-PZT压电陶瓷材料的压电性能、介电性能、相组成及其微观结构。结果显示,Co、Sm共掺杂不仅改善了PZN-PZT的压电、介电综合性能：d₃₃=301 p C/N,K_p=0.72,ε_r=1486.46,tanδ=0.11%,Q_m=515,而且将材料的烧成温度降低到950℃。     

低温烧结Mg4Nb2O9微波介质陶瓷

分别研究了不同含量Li2CO3/V2O5共掺杂和部分Li取代Mg对Mg4Nb2O9基陶瓷烧结特性、显微结构和微波介电性能的影响.结果表明:Li2CO3/V2O5共掺杂或部分Li取代Mg,均能使Mg4Nb2O9基陶瓷的烧结温度从1 400℃降至950℃,但其烧结机理不同.Li2CO3/V2O5共掺杂Mg4Nb2O9(MNLV)样品中的低熔点液相,使MNLV陶瓷的致密化烧结温度降低.部分Li取代Mg显著降低了(Mg(4-x)Lix)(Nb1.92V0.08)O(9-δ)(MLNV)样品的致密化烧结温度.950℃烧结,相对于MNLV样品的品质因数(Q=13276)而言,MLNV样品的Q值(1 759)显著恶化,这是由于Li1+占据Mg2+晶格.使晶体中非谐振项损耗增加.     

Y2O3—Al2O3—SiO2添加剂在低温烧结SiC中的作用

本文探讨了Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３添加剂在低温无压烧结ＳｉＣ中的作用以及在Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３添加剂中引入ＳｉＯ２的作用及机理,从而阐明了通过多项合理、有效复合添加降低ＳｉＣ烧结温度的可能性。     

低温烧结钒和钨掺杂钛酸锌介电陶瓷的相转变

采用化学法结合传统的氧化物固相烧结法制备钛酸锌陶瓷.研究了原料形态和掺杂V2O5和WO3对钛酸锌陶瓷相稳定性、显微组织以及低温烧结行为的影响,讨论了相转变机制和低温烧结机制.研究表明:以V2O5和WO3作为烧结助剂降低陶瓷的烧结温度,钛酸锌陶瓷的低温烧结行为对所选取的原料极为敏感,TiO2的活性对陶瓷低温烧结行为的影响大于ZnO.V2O5和WO3的掺入使钛酸锌陶瓷的烧结温度降至900℃以下,但同时降低了六方相ZnTiO3的分解温度;V2O5和WO3掺杂具有不同的烧结机制,前者主要是液相烧结机制,后者主要是固相反应烧结机制.掺杂导致的相分解和生成的异相降低了陶瓷的介电性能.     

低温烧结制备Ba0.6Sr0.4TiO3陶瓷及厚膜

用改进的溶胶－凝胶工艺制备Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）陶瓷及厚膜，研究它们的结晶情况与电学性能。在这种改进的工艺中，将经高能球磨制备的纳米BST陶瓷粉体加入到同组分的BST的溶胶液中，制备成稳定的悬浮性好的浆料，并用此浆料制备BST陶瓷及厚膜。实验结果表明：采用两步烧结法可制备细晶、较致密的BST陶瓷材料，它呈现明显的弥散相变特征，具有较好的介电性能，晶粒尺寸〈1μm。用匀胶法制备的沉积在Pd／Ag电极上的BST厚膜，膜厚约为10μm，也呈现明显的弥散相变特征。在1200℃烧结后的厚膜在0℃，1kHz时，相对介电常数为900，介电损耗为0．03。     

Pr6O11掺杂锆钛酸铅二元系压电陶瓷

固相法制备Pb0.955Pr0.03(ZryTi1-y)O3(PPZT1)和Pb1-1.5xPrx(Zr0.54Ti0.46)O3(PPZT2)系压电陶瓷,其中x=0.02,0.04,0.06,0.08; y=0.51,0.52,0.54,0.56,0.58,0.60.XRD分析表明PPZT1系统的准同型相界在锆的摩尔分数为55%左右.当锆的摩尔分数为54%,烧结温度为1 240 ℃,保温1 h,能获得优良的性能,其值分别为d33=420×10-12 C/N; εT33/ε0=2 000;θC=314 ℃;Qm=76;tanδ＝2%;Kp=0.53.XRD分析还表明PPZT2系统已远离相界,组成均在四方铁电相内.尽管PPZT2系统的介电常数很高,其压电性能却低于PPZT1系统.     

Y,Ce—TZP陶瓷的微波快速烧结

微波烧结工艺具有烧结快速、产品致密、晶粒细小以及微观结构均匀等特点。本文研究了影响微波微快速烧结了ＴＺＰ陶瓷的各种因素，并与常规结作对比，着重从样品的力学性能、四方相含量和微观结构几方面探讨几烧结的种种特性     

氮化铝陶瓷的微波烧结研究

利用ＴＥ１０３单模腔微波地系统对ＳＨＳ制备的ＡｌＮ粉的加热烧结特征，烧结样品的显生结构进行了研究。通过适当的保温措施和烧结工艺实现了ＡｌＮ陶瓷的微波快速烧结。     

烧结温度对大功率超薄型压电蜂鸣器用压电陶瓷结构和性能的影响

采用轧膜成型工艺制备大功率超薄型峰鸣器用压电陶瓷。该陶瓷是三方／四方相共存PSN—PBZT(0．02Pb(Sb0．5Nb0．5)O3—0．98PbxBa1-z(Zr0.55Ti0.45)O3)压电陶瓷。研究了烧结温度对三方／四方相共存PSN—PBZTB陶瓷性能的影响，利用XRD和SEM研究了烧结温度对其结构的影响。结果表明，随着烧结温度的升高，材料的晶格常数轴率比Ct／at逐渐升高，ar有所降低，同时，材料的晶粒尺才增大，材料的介电常数和机电耦合系数增大。但是，烧结温度太高将手致其介电常数和机电耦合系数降低，这是由于出现玻璃相和游离氧化锆稀释铁电相所致。