用背散射方法分析硅中注入砷的深度分布

用离子注入方法能快速地将一种杂质元素射入到半导体材料中,而杂质元素在材料中的浓度随深度的分布直接影响了材料的性能,因此准确测定它们是十分必要的。我们用背散射分析法分析了注入砷的硅样品。 1.实验方法和数据处理 样品是电阻率为7～15Ω·cm、〈111〉晶向的p型单晶硅。为避免沟道,约倾斜7°注入,经严格清洗后在氮气保护下,在不同退火条件下恒温退火。背散射实验工作是在原子能所静电加速器上进行的,选用     

用背散射测定惰性气体在合金和单晶硅中的迁移和释放特性

不锈钢和铝是重要的核装置中所用的材料,其中的惰性气体在热激活情况下的运动特性与材料在各种辐照和高温条件下的相对稳定性,辐照产生的空洞缺陷以及这些缺陷所造成的膨胀和机械性能的变化有很大关系。因而,研究在金属材料中注入的惰性气体在各种退火温度下的迁移和释放规律,将为核装置所用材料的研究、改进和开发提供必要的实验依据。 单晶硅是重要的半导体材料。在室温下,利用重离子对单晶硅进行离子注入时,当注入剂量大于10~(14)atom/cm~2时,将在与离子射程相应的深度范围内形成非晶层。这个非晶层在其后的热处理过程中可以重新结晶,根据注入离子种类和注入剂量的不同,这个非晶层可以恢复成单晶或形成多晶。研究惰性气体在这种重     

用背散射技术分析核靶的污染

在使用真空蒸发和电镀两种方法制备核靶的过程中,基衬、脱膜剂和坩埚等都会给核靶带来污染。用合适的方法分析核靶的污染,从而改进制备工艺,是制靶技术迫切需要解决的问题。我们用背散射技术分析了核靶中的杂质,使用2MeV的~4He~ 离子束,散射角为160°和135°,探测系统的能量分辨率为16keV。     

道比技术在样品总β放射性测定中的应用

用于低水平总β放射性的测量仪器,为提高其检测灵敏度,除采用各种措施降低本底外,还可减小被测样品与探测器间的距离以获得高探测效率,以及增加探测器的有效灵敏面积,使在不增加样品自吸收影响条件下能检测更多的有效样品量。随之而来的问题是探测器与被测样品间所张平均立体角的影响,以及对这种影响的实验修正。     

XRF强度影响系数法测定地质样品的组分

使用Si-PIN探测器和嵌入式计算机的便携式高能量分辨率X射线荧光(XRF)分析仪,建立影响系数法强度校正模型,对一些矿样(包括矿山中的原生矿)元素进行了测定,与化学分析结果相比较得出:矿样中的Fe元素含量在20%-55%之间的最大相对误差不超过4.74%;Cu元素含量在182ppm-2400ppm之间的最大相对误差不超过24.70%,在2400ppm-3600ppm之间的最大相对误差不超过7.46%,Zn元素含量在556ppm-3200ppm之间的最大相对误差不超过25.93%,在3200ppm-21600ppm之间最大相对误差不超过11.48%;Pb元素含量在5900ppm-204200ppm之间的最大相对误差不超过23.80%,在204200ppm-511200ppm之间的最大相对误差不超过13.79%.由此可见,该模型能够很好地克服各种基质成分基体效应的影响并且能够有效地指导矿山的选矿工作.     

用萃取色谱法测定地质样品中的铀和钍

本文推荐一种用萃取色谱法测定地质样品中的铀和钍的方法。溶样后,用Fe(OH)_3沉淀法预富集铀和钍,再用UTEVA树脂分离,使分离的铀和钍电沉积在不锈钢圆盘上,再用α能谱法测定。用晶质铀矿、珊瑚和花岗岩标准物质评价该法。测得的铀和钍含量及~(234)U/~(238)U和~(230)Th/~(234)U活性比值与标准值十分一致。发现钚的存在会干扰分离,但利用氨基磺酸亚铁还原就可解决此问题。该法的化学回收率与阴离子交换法相近,但萃取色谱法能用较少试剂进行较快分离。     

快速测定铀样品中同位素组分的α谱法

一种对天然和富集或贫化铀样品进行α谱分析的简单方法已研制成功。该方法是非迭代法,考虑了低能尾部和衰变分支比修正问题,以便准确计算与每种铀同位素(~(234)U、~(235)U、~(236)U、~(238)U)相应谱的面积和确定样品中的同位素成分。已开发了一种称为ENURA的BASIC计算机程序,用于必要的计算,以便得到结果及其误差。用已知成分的标准溶液配制出几种不同铀含量的样品,对照这些样品进行的实验测量检查了该方法。采用测量的谱线形状从理论上建立了其他系列铀谱,以便覆盖富集的或贫化的铀所要求的范围。     

用正电子湮没技术研究新型高临界温度T_c超导材料Ba-Y-Cu氧化物

本文介绍用正电子湮没技术研究了具有高临界温度下T_c的新型超导材料Ba-Y-Cu氧化物。实验发现,在起始转变温度以下,正电子寿命减少与电阻随温度的变化曲线符合。在临界温度T_c处,出现了正电子寿命峰。     

用γ射线和α粒子方法测定样品中的钍含量

为测定天然样品中的钍含量,已完成了改进径迹技术的试验。对于钍含量的测量,采用了能量为18和20MeV的γ射线。对能量范围为6～23.5MeV的γ射线,已获得了对于厚靶的铀、钍元素的裂变碎片径迹密度比N_u/N_(Th)比值为1.7～3.2,其中与最大值对应的γ射线能量为15MeV。在实验误差范围内,标定的Th标准样和铁锰结核测定的钍含量与已知值是一致的。对9.1MeV/n的α粒子,已发现径迹密度比N_(Th)/N_u=1.06±0.07,但钍含量偏低,这可能是由于α粒子束的垂向不均匀性以及云母中径迹由热造成的局部缺陷所致。该研究在核反应实验室JINR完成。     

用X射线光谱法测定地质样品中ppm数量级的铀和钍

用波长色散X射线发射光谱法,可以快速而准确地测定地质样品中低浓度(0—100ppm)的铀和钍。使用10克粉末样品,总计数时间为5分钟,铀和钍的检出限可分别达到1.2ppm和1.5ppm(3σ)。分析工作曲线标准误差的估计值为0.7ppm铀和1.2ppm钍。这种方法可应用于各种类型的沉积岩和火成岩,使用简化数据的峰/背比法对基体效应作适当的校正。对于含铀1.0—20ppm的36个勘探样品,用荧光法和X射线光谱法测得值之间的平均差值为0.8ppm。     

环境样品中总α、总β比放射性活度的测定

将采集的环境样品按样品的处理方法进行处理后,在一定条件下进行炭化-灰化处理。准确称取灰化后的样品于测量盘中,用铺样器铺平样品,在低本底α,β测量仪上分别测量样品的总α、总β计数,通过计算求出样品中的总α、总β的比放射性活度。     

质子非卢瑟福背散射测量气溶胶样品中氢、碳、氮和氧的含量

气溶胶样品中Z＞12以上元素含量的质子荧光(PIXE)分析是北京师范大学GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补PIXE无法分析H、C、N和O等轻元素之不足，在PIXE靶室160°散射角安装金硅面垒探测器，用质子非卢瑟福背散射分析（PNBS）方法对核孔膜采集的气溶胶样品中H、C、N和O等轻元素的含量进行测量。测量得到的气溶胶样品中H和Si元素含量与质子前角散射（PESA）和PIXE的分析结果相近，表明PNBS可用于核孔膜采集的气溶胶样品的分析。     

用共振中子活化分析方法非破坏测定地质样品中的铀和钍

1.引言几乎在所有的地质样品中,都有痕量的铀和钍。已经发展了许多精确测定痕量铀、钍的分析方法。但是,这些方法的大多数,都是与繁复的化学处理相联系着的。对于非破坏测定痕量范围的铀、钍,只有质谱方法和中子活化方法可以考虑。在下面进一步研究中子活化方法。     

用INAA法和ICP-MS法对蚯蚓样品作多元素测定比较

用仪器中子活化分析方法对６例蚯蚓样品进行了Ａｓ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｈｇ、Ｒｂ、Ｓｂ、Ｓｅ和Ｚｎ的元素含量测定,并用等离子质谱分析方法和人发标准参考物质进行了比较和核对。结果表明,两种测定方法分析结果相符,大多数元素的相对偏差在±２０％以内。     

热中子辐照提高YBCO和GdBCO超导材料Jc的研究

利用重水反应堆水平孔道热中子对熔融织构生长(Melt-Textured Growth)的YBa_2Cu_3O_(7-y)和GdBa_2Cu_3O_(7-y)超导材料进行辐照研究。前者共8个样品,热中子注量为3.7×10~(11)-1.4×10~(17)cm~(-2);后者共6个样品热中子注量为5.2 ×10~(13)-4.7×10~(16)cm~(-2)。样品辐照前后,用移动样品磁强计测量其磁滞回线并推算出临界电流密度进行比较。YBCO结果表明,当热中子注量大于10~(17)cm~(-2)时,J_c可增加一倍以上。GdBCO样品也有明显增加。在上述热中子注量范围内,J_c值增量随辐照注量增加而增加,并且高场时增加值比低场时更大。这可能是由于随着辐照注量增加,缺陷增多,钉扎中心密度增加,两钉扎中心的相对距离减小。这更有利于高场下的钉扎作用。     

环境样品自吸收因子的计算和实验测定

用γ谱仪分析大体积环境样品时,需要作自吸收修正。本文介绍用蒙特卡洛方法,计算以水、土壤、铝、铁为基质,直径为7.5cm,高为2、4、6、8cm的圆柱形体源在50—3000keV能区内的自吸收因子。在100—3000keV能区,考虑了Ge(Li)晶体影响的自吸收因子f_1与考虑了晶体及其死层和包装材料影响的自吸收因子f_2相等,它们均大于不考虑上述影响因素时的自吸收因子f_0;对于不同的基质,f_1、f_2与f_0之间的差别小于4.4％(不包括铁时小于2.1％)。在50—100keV能区,f_1与f_0近似相等,其偏差小于1.56％(不包括铁时小于0.93％);f_2与f_0之间的偏差可达10％(不包括铁时小于5％)。用NaI(Tl)代替Ge(Li)时,自吸收因子的变化小于0.23％。为了检验计算结果,用~(152)Eu点源模拟测量有基质和无基质时的体源效率,得到自吸收因子的实验值f_实,与计算值f_计相比,在2.6％之内一致。文中给出了几种不同成分、不同密度基质的体源在50—3000keV能区的自吸收因子f与线减弱系数μ_s的关系曲线,以及用实验方法确定待测样品基质的线减弱系数,以便用于环境样品测量中进行自吸收修正。     

用卢瑟福背散射/沟道技术研究MOVCD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变

用卢瑟福背散射/沟道(RBS/Channeling)技术研究了在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD方法生长的ZnO薄膜的弹性应变.ZnO薄膜的xmin=5.1%,表明其具有非常好的结晶品质.ZnO薄膜的四方畸变为正,表明其在水平方向是拉应变,垂直方向是压应变.弹性应变由界面向表面逐渐释放,其在界面附近最大,在表面处最小.