俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题，内容包括：俄歇电子发射、表面灵敏性，俄歇电子谱的测量，定性和定量分析，深度剖析等，最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展，功函数测量，材料结构性能量和电子态密度测量。     

TiNx薄膜的特性和俄歇电子能谱分析

采用不同工艺，在Ｆｅ基上气相沉积ＴＩＮｘ薄膜。通过扫描电镜，划痕仪，俄歇电子能谱，粘着力测量仪的观测，分析和计算，给出了膜的形貌，组份，光学特性和力学特性。发现随着ＴＩＮｘ膜中组分及其氧含量的变化，膜的颜色，粘着力，ＴＩＮｘ膜的均匀性都发生显著的变化。本文还采用一种与文献不同的方法，较为简便地处理了俄歇谱中Ｔｉ和Ｎ峰的重造现象。     

Ti／Al2O3界面反应的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱详细研究了Ｔｉ／Ａｌ２Ｏ２的界面反应。通过观察Ｔｉ的Ｌ２３Ｍ２３Ｍ４５，Ｌ２３Ｍ２３Ｍ２３及Ａｌ的ＬＶＶ俄歇发射强度、峰形及位置随深度变化，研究了Ｔｉ－Ｏ，Ａｌ－Ｏ，Ｔｉ－Ａｌ等价键结合状态，同时考察Ａｌ不同化合态俄歇峰的化学位移。选取特征峰，进行Ａｕｇｅｒ深度分析。实验表明室温下Ｔｉ－Ａｌ价键结合状态。原子浓度分布曲线显示界面反应区域随退火温度增加而变宽变高。８６５０     

俄歇化学位移影响因素分析

对几种硅化物及金属氧化物的俄歇化学位移作了实验研究，基于现有的化学位移的两个理论模型（电荷势模型和驰豫能模型），提出了俄歇化学位移的半经验计算关系式，概括了俄歇化学位移与元素的化合价、相邻原子的电负性差以极化能（离子有效半径）之间的关系，实验结果与理论计算相一致。     

俄歇电子能谱定量分析方法及其在Ni3Al中的应用

基于相对灵敏度因子，提出了一个无需直接借助于标样的含基体效应修正的俄歇定量计算方法，为保证该方法的实用有效性，两个必要性条件是测量数据的统计重复性好以及对合金电化学状态敏感的修正因子的恰当选择，作者用此法成功地进行了Ｎｉ７６Ａｌ２４和Ｎｉ７６Ａｌ２４－Ｂ两种合金的定量分析。     

空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光？…

在空间生长ＳＩ－ＧａＡｓ的某些部位有汽泡产生，经俄歇分析，汽泡表面约有１０ｎｍ的砷层，它从半绝缘砷化镓内部逸出，导致其成为半导体。用阴极荧光形貌观测了其多晶结构。     

空间生长GaAs材料多孔部分的俄歇能谱分析与阴极荧光形貌观察

在空间生长SI-GaAs的某些部位有汽泡产生,经俄歇分析,汽泡表面约有10nm的砷层,它从半绝缘砷化镓内部逸出,导致其成为半导体.用阴极荧光形貌观测了其多晶结构.     

俄歇电子能谱的峰形修正与峰形分析

介绍一系列峰形修正的方法——包括本底的扣除、仪器响应函数的修正、非弹性散射影响的消除等,并将其应用于Si(100)表面的俄歇峰形分析中,对于L_(23)VV,L_1L_(23)V峰取得了与理论计算符合很好的结果,从中可以提取出丰富的价带局域电子态信息。     

俄歇化学位移影响因素分析

对几种硅化物及金属氧化物的俄歇化学位移作了实验研究。基于现有的化学位移的两个理论模型（电荷势模型和弛豫能模型），提出了俄歇化学位移的半经验计算关系式。概括了俄歇化学位移与元素的化合价、相邻原子的电负性差以及极化能（离子有效半径）之间的关系，实验结果与理论计算相一致。     

高性能BaTiO3基PTCR陶瓷的制备与表征

以乙酸钡和钛酸四丁酯为主要原料,采用溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了BaTiO3基PTCR纳米晶粉体.通过热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)分析了粉体的合成过程和晶粒尺寸及相结构;纳米晶粉体经造粒、成型、烧结获得了居里温度(TC)为100℃,室温电阻率(ρ25℃)～18Ω·cm,温度系数(α30)～17%·℃-1,耐电压(Vb)＞195V·mm-1,电阻率突变(ρmax/ρmin)＞ 106的PTC陶瓷材料,并通过扫描电子显微镜(SEM)对其显微结构进行了观察.     

AlN陶瓷的高压烧结研究

以自蔓延高温合成的AlN粉体为原料,用六面顶压机在高压(3.1～5.0GPa)下实现了未添加烧结助剂的AlN陶瓷体的烧结.研究了烧结工艺参数对AlN烧结性能的影响.用XRD、SEM对AlN高压烧结体进行了表征.研究表明:高压烧结能够有效降低AlN陶瓷的烧结温度并缩短烧结时间,烧结体的结构致密.在5.0GPa/1300℃条件下高压烧结50min的AlN陶瓷的相对密度达94.9%.在5.0GPa/1700℃/125min条件下制备的AlN陶瓷晶格常数比其粉体减小了约0.09%.     

AD95陶瓷的高压声速研究

采用VISAR技术连续测量样品-窗口界面粒子速率剖面方法,对AD95陶瓷在卸载过程中的高压声速和卸载路径进行了研究。结果表明,加载应力为25.86～57.42GPa时,AD95陶瓷卸载过程中的高压声速降低过程与延性金属材料具有明显区别:卸载过程受加载过程中的双波结构影响,明显分成弹性前驱波卸载和冲击波卸载两个阶段,但第一阶段所占的比例随加载应力的增加逐渐减小;第二阶段中不存在明显的弹性卸载和塑性卸载的拐点。研究结果将为陶瓷材料动态响应和压缩损伤研究奠定基础。     

Ce－Y－TZP材料高温时效的强韧性研究

本文研究了不同烧结温度成分为１０ｍｏｌ％ＣｅＯ２－１ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２陶瓷材料（Ｃｅ－Ｙ－ＴＺＰ）经高温时效后力学性能的变化规律。结果表明，时效时间对材料的强度与韧性有较大影响，大约在２４ｈ左右，σ３ｂ、ＫＩＣ达到峰值。配合Ｘ射线分析，认为产生上述现象的原因主要是时效导致材料基体产生共格畸变所致。此外，断口形貌ＳＥＭ观察表明，断口局部出现了准解理断裂特征。     

高效液相色谱法测定异麦芽低聚糖的组分

采用高效液相色谱法(HPLC),以Zorbax C_(18)柱来分离柱,水为流动相,示差折光仪为检测器,一次进样可同时测定葡萄糖、异麦芽糖、异麦芽三糖和潘糖、异麦芽四糖等。本法对双酶协同作用制取异麦芽低聚糖工艺研究中的低聚糖进行测定,所得结果良好,变异系数为0.28％-1.66％,线性相关系数为0.9996-1.000,低聚糖的检出限在微克级。     

碳化硅泡沫陶瓷浆料成分与烧结性能

将用于制备碳化硅泡沫陶瓷的浆料烘干、制粉、干压、烧结,从而探讨浆料的成分与 烧结性能的关系.样品的抗弯强度与烧结助剂的含量之间存在最佳搭配关系,烧结对强度的贡 献主要来自于新相莫来石的生成和玻璃相对碳化硅颗粒的包覆、连接作用.同种成分的样品开 气孔率随着烧结温度的升高表现出单调下降的趋势,而抗弯强度与开气孔率的变化并没有表现 出完全相反趋势;不同成分样品的耐火度均保持在1730℃没有变化.采用最佳配方的浆料和 最佳烧结温度制备的碳化硅泡沫陶瓷抗弯强度可达到0.72MPa.     

基于产品包装的数码防伪AES算法分析

数码防伪是国内主流的防伪技术,广泛应用于产品包装、电子商务等领域.数码防伪的关键在于数据加密.详细分析了新一代数据加密标准AES的性能及算法,以及如何利用AES实现文件的加密与解密过程.     

烧结技术对99BeO陶瓷材料结构与性能影响

系统研究了传统烧结方法、台阶式烧结方法和两步烧结方法对99BeO陶瓷微结构和性能的影响.研究发现：台阶式烧结有助于99BeO陶瓷的晶粒细化,两步法烧结有助于提高99BeO陶瓷的热导率.实验优化了两步法中第一阶段烧结温度T1、第二阶段烧结温度T2及保温时间t等工艺参数.结果表明,在T₁为1630℃,T₂为1550℃,t为4h时可获得晶粒均匀、结构致密,热导率为308W/(m·K),密度为2.95g/cm³的99BeO陶瓷.     

淀粉及改性淀粉在高性能陶瓷制备中的应用

淀粉具有较好的增稠、稳定、成膜和形成凝胶的能力,近年来有关在高性能陶瓷制备中将淀粉用作粘结剂、造孔剂等添加剂方面的报道日益增多.综述了淀粉及其变性产物的性质以及它们在高性能陶瓷制备中的应用,讨论了淀粉凝固成型的机理,同时展望了淀粉及改性淀粉在陶瓷工业中的应用前景.     

结构功能一体化的高性能陶瓷材料的研究与开发

从当前新材料的开发和材料科学发展向多功能、小型化、复合化、低成本制备等要求出发, 并就现有高性能陶瓷材料的基本性能和材料制备工艺上的优缺点进行了分析；简要介绍了碳化硅(SiC)陶瓷、 添加Nd的钇铝石榴子石(Nd-YAG)陶瓷、掺有稀土的氮化硅(RE-Si3N4)陶瓷等几种具有结构和功能一体化高性能陶瓷材料的优良性能,可能的应用以及目前存在的问题,特别是在基础研究和制备科学上今后应予以关注的方面。