无氰碱性镀铜

采用柠檬酸铜为主盐,加入氢氧化钾和合适的光亮剂,配制出一种无氰碱性镀铜液。通过赫尔槽试验确定其合适的电流密度范围为0．5～2A／dm^2。分别对该无氰碱性镀铜层在铜基体、铝合金基体、锌合佥基体上以及以该镀层作为镀铬层的底层时的结合力进行了测定,表明该镀铜层的结合力较好。测定该镀铜的沉积速率、电流效率、极化曲线以及镀液稳定性的结果表明,该无氰镀铜的电流效率与沉积速率都较高,极化度优于焦磷酸盐镀铜,且该镀液的稳定性较好。     

污水中硫化物、亚硫酸盐和硫代硫酸盐的分别测定

研究了一种分别测定污水中硫化物，亚硫酸盐和硫代硫酸盐的方法，该方法准确度高，精密度好，而且的结果令人满意。     

碱性无氰镀铜工艺研究

通过对碱性无氰镀铜工艺、镀液及镀层性能研究,得到该工艺可作为钢铁基体的预镀铜,也可直接用于镀厚铜,镀层与基体的结合力良好,结晶细致,光亮。镀液成分简单,易操作,稳定,具有良好的分散能力,电流效率也优于氰化镀铜。     

碱性无氰镀铜新工艺

介绍了一种新的碱性无氰镀铜工艺及其性能，试验表明，该新工艺有望取代常规氰化预镀铜，有实际应用价值。     

锌基合金碱性无氰镀铜

介绍了锌基合金碱性无氰镀铜及其前处理的工艺配方和条件，用于取代氰化预镀铜工艺，适应了我国行业政策新要求。     

硫代硫酸盐无氰脉冲镀银工艺研究

对无氰镀银工艺进行了优选,找到一种无氰光亮镀银添加剂的配方,并对其工艺参数进行优选,得出最佳脉冲参数为：脉宽1ms,占空比为10％,电流密度为0．6A／dm^2。在最佳工艺参数下得到的银镀层镜面光亮,与直流镀银相比,抗变色性和耐蚀性均显著提高,并通过扫描电镜观察了镀层的表面形貌。     

无氰碱性镀铜工艺实践

介绍了一种新的无氰碱铜工艺。采用多种配体,加入一定的添加剂,通过协同效应,使镀层的结合力和镀液的稳定性得以很大提高。该镀液长时间使用后能保持电流密度范围稳定。该工艺能在铁、黄铜、锌和锌合金、铝浸锌等基材上直接电镀,镀层光亮,结合力接近于氰化物镀铜。     

无氰镀铜资讯

介绍了无氰镀铜工艺,包括预镀镍、酸性预镀铜、浸铜、焦磷酸盐镀铜、HEDP和有机膦酸多元络合镀铜、乙二胺镀铜、EDTA镀铜、一价铜镀铜和柠檬酸盐-酒石酸盐镀铜等工艺,介绍了各种预镀铜工艺的特点;阐述了柠檬酸盐-酒石酸盐镀铜需要考虑和解决的问题。     

EDTA体系无氰碱性镀铜工艺研究

采用碱式碳酸铜为主盐,以EDTA为配位剂,研制了一种无氰碱性镀铜工艺。通过极化曲线、镀层性能的测定,考察了电解液组分和工艺参数对镀层的影响。确定了最佳工艺条件为:Cu2(OH)2CO310～20g/L,C6H5O7K3·H2O25～40g/L,KNO34g/L,配合比2.5,pH11～13,温度50～70°C,电流密度0.5～3.5A/dm2。该工艺镀液稳定,电流效率高,镀层光亮致密,孔隙率低,结合力良好。     

国内外无氰镀铜工艺研究进展

分析了无氰镀铜工艺能否应用于实际生产的关键因素。介绍了国内外常见无氰镀铜工艺,特别是碱性无氰镀铜工艺的研究现状、适用范围及特点。提出了一些无氰镀铜工艺开发的建议。     

以乙二胺为主配位剂的无氰镀铜工艺

研究了铁基体上以乙二胺为主配位剂的无氰碱性镀铜工艺。用正交试验讨论了主配位剂及3种辅助配位剂的用量对镀液的阴极极化曲线、电化学阻抗谱及铜镀层外观、结合力的影响。确定了最佳工艺条件为:乙二胺55g/L,辅助配位剂C30g/L,辅助配位剂T30g/L,辅助配位剂G33g/L。最佳配方镀液的分散能力、覆盖能力均良好,电流效率达80%以上。中试100多件样品的镀层外观及热震试验结合力均合格。在铁基体上用以乙二胺为主配位剂的碱性镀铜工艺代替氰化镀铜预镀是可行的。     

钢铁基体上HEDP体系无氰滚镀铜工艺

探讨了HEDP(羟基乙叉二膦酸)溶液体系滚镀铜工艺的可行性。通过正交试验和单因素实验研究了配位剂含量、主盐含量、电流、温度、装载量和施镀时间对滚镀铜的影响,得到最佳配方和工艺条件为:HEDP 120 g/L,Cu SO4·5H2O 16 g/L,K2CO3 60 g/L,p H 9.5,温度50°C,阴极电流2.0 A,滚筒转速15 r/min,装载量50 g/筒。在该条件下滚镀1 h,可获得高、低电流密度区平均厚度分别为7.39μm和1.60μm,与钢铁基体结合良好的半光亮铜镀层。该滚镀铜工艺基本满足预镀铜的要求,但对有光亮度要求的产品,需要往镀液中加入适量添加剂HEAS。     

酸性硫酸盐体系镀铜中铜阳极的电化学行为

通过测量阳极极化曲线、循环伏安曲线等电化学方法研究了酸性硫酸盐镀铜溶液中铜阳极的电化学行为,分析了镀液组成和工艺条件对铜阳极溶解和钝化过程的影响。结果表明,纯铜阳极在酸性硫酸盐溶液中发生电化学溶解的电势范围较窄,容易发生钝化,在阳极电势达3.0 V(相对于饱和甘汞电极)后仍无过钝化或析氧现象。完全钝化的铜阳极重新通电后依然能发生正常的电化学溶解。磷铜阳极的电化学溶解性能稍好于纯铜阳极。增大硫酸铜质量浓度和加入添加剂HN-Super-A使铜阳极更易钝化,而增大硫酸质量浓度、加入添加剂HN-Super-Mμ和升温有利于铜阳极的电化学溶解。电镀过程中的电流密度不应超过铜阳极的临界钝化电流密度,否则铜阳极容易钝化。     

铜锡合金电镀液中铜、锡含量的测定

提出采用交流示波极谱法连续测定铜锡合金电镀液中铜锡的含量。该方法不用指示剂,利用铅标准溶液及EDTA标准溶液,借助交流示波极谱仪中示波图上．TPB切口的出现检测终点。通过实验确定酸度为5．8、掩蔽剂为硫脲。对该方法与指示剂法分析结果进行了比较。结果表明,该方法的精密度更高,准确度更好,是一种快速、简便、经济实用且无污染的测定镀铜锡合金电镀液中铜锡含量的新方法。     

酸性光亮镀铜液中过多氯离子的去除

讨论了现有公开去除硫酸盐光亮酸性镀铜液中过多Cl-的方法(如化学沉淀)的原理及存在问题。对另一些可能的方法(如用其他还原剂替代锌粉以及氧化法)进行了分析或试验。开发了一种二液型无毒高效除氯剂。对工业化生产如何避免Cl-过多积累提出了建议。     

亚氨基二琥珀酸四钠无氰电镀银工艺

采用亚氨基二琥珀酸四钠(IDS)替代亚氨基二磺酸铵(NS)作为配位剂在不锈钢表面电镀银.镀液组成和工艺条件为:AgNO335 g/L,35％(质量分数)IDS 750 g/L,(NH4)2SO4120 g/L,KOH适量,pH 8.5,温度(25±5)°C,电流密度0.3～0.5 A/dm2.对比分别采用IDS和NS时镀层的外观、光泽、微观形貌和结合力.结果表明,使用IDS时所得银镀层外观更佳,结晶细致,结合力良好.     

光亮酸铜液中Cl-含量对镀层外观的影响

研究了低染料型酸铜光亮剂及高染料型酸铜光亮剂在不同液温下Cl–含量对镀层外观的影响。试验结果表明:含量低时镀层高电流密度区产生发白粗糙的沉积物,含量过高时镀液整平性及低电流密度区镀层光亮性降低。液温升高,Cl–允许含量上限提高。在最佳Cl–含量时,低染料型能在7～40°C宽温范围内得到镜面光亮镀层,而高染料型宜在20～31°C范围内使用。工业生产中应防止Cl–积累并及时去除过量Cl–。     

无氰铜锌合金仿金电镀工艺

介绍了一种酒石酸盐电镀铜锌合金仿金工艺,并给出了工艺流程、镀液配方和操作条件.阐述了镀液中各组分的作用,工艺参数对镀液和镀层性能的影响,以及镀液的维护.以酒石酸盐作为主配位剂可降低镀液的毒性和环境危害性.该镀液稳定,分散能力和深镀能力好.镀层呈黄金色,光亮致密,结合力好,适合用作碳钢制品表面装饰.     

以DMDMH为配位剂的无氰镀银工艺

研究了DMDMH(1,3-二羟甲基-5,5-二甲基乙内酰脲)为配位剂的无氰镀银工艺.在讨论镀液组成及工艺条件对镀层外观质量影响的基础上,确定了最佳电镀工艺.阴极电流效率,分散能力、覆盖能力、结合强度等测试表明,DMDMH无氰镀银工艺基本达到了氰化物镀银工艺的性能,有望成为氰化物镀银的替代工艺.     

Seedless copper electroplating on Ta from a “single” electrolytic bath

An alternative approach for copper electroplating on Ta surface from a “single” injected bath is being described in this work. Copper electrodeposition over a thin TaN/Ta barrier was performed in a two-step process: (1) activation conducted by electrochemically reduction of Ta oxide from the TaN/Ta barrier at a negative potential of −2 V for a short period (“removal” step) and (2) copper electroplating performed in the invariable electrochemical bath by injecting a solution containing Cu-ions. Supplementary Cu plating is continued by shifting the applied potential to −1.2 V in the same electrolytic bath. It was also established that addition of low content (up to 10 ppm) dimercaptothiadiazole (DMcT) improves Cu nucleation and growth on Ta surface and allows a conformal features fillings. Copper layer deposited is characterized with an excellent adhesion to the Ta surface.