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本文介绍一种应用于3.1-4.8GHz 多频带正交频分复用超宽带系统的CMOS射频收发机芯片的设计和实现。射频收发机采用零中频结构,主要模块包括:增益可控的宽带低噪声放大器、正交跨导复用下变频混频器、5阶Gm-C切比雪夫低通滤波器及可变增益放大器;采用多项滤波器进行边带杂散抑制的快速跳变频率综合器;宽带线性上变频正交调制器、片内有源双转单电路及输出可变增益放大器。芯片测试结果表明,接收机最大能够获得68dB的电压增益,其中42dB为可变增益,增益步长为6dB;在三个子带内的噪声系数为5.5~8.8dB;带内IIP3和带外IIP3不低于-4dBm和9dBm;发射机能够提供-10.7~-3dBm的输出功率,7.7dB的增益可控;输出1dB压缩点不低于-7.7dBm;发射信号边带抑制为32.4dBc,载波泄漏抑制可达31.1dBc;频率综合器的快速跳边时间低于2.05nS。芯片采用Jazz 0.18μm射频CMOS工艺流片,包括ESD防护PAD在内芯片总面积为6.1mm2;在1.8V的电源电压下,整个芯片的工作电流为221mA (RX+TX+SYN+Buffers)。 相似文献
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本文介绍一种应用于3.1-4.8GHz 多频带正交频分复用超宽带系统的全集成全差分CMOS接收机芯片。在接收机射频前端中应用了一种增益可变的低噪声放大器和合并结构的正交混频器。在I/Q中频通路中则集成了5阶Gm-C结构的有源低通滤波器以及可变增益放大器。芯片通过Jazz 0.18μm RF CMOS工艺流片,含ESD保护电路。该接收机最大电压增益为65dB,增益可调范围为45dB,步长6dB;接收机在3个频段的平均噪声系数为6.4-8.8dB,带内输入三阶交调量(IIP3)为-5.1dBm。芯片面积为2.3平方毫米,在1.8V电压下,包括测试缓冲电路和数字模块在内的总电流为110mA。 相似文献
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本文设计了一个全集成双模式 6-9 GHz 多带正交频分复用超宽带发射机,兼容 WiMedia 和中国标准。所设计的发射机主要包括:双模式的低通滤波器,上混频器,两级功率放大器以及一个用于产生本振信号的高频宽带频率除法器。 测试结果表明,此发射机在 6-8.7 GHz范围内的增益平坦度小于 1.5,而在 6-9 GHz范围内增加到 2.8 dB; 输出三阶交调量约为 13.2 dBm;输出 1dB 压缩点约为 2.8 dBm; 载波泄漏和边带抑制比分别为 -35dBc 和 -38 dBc。 本芯片采用 TSMC 0.13 μm 射频 CMOS 工艺制造,面积为 1.6 mm1.3 mm。在 1.2 V 电源电压下核心电路消耗电流为 46 mA。 相似文献
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A fully integrated low power RF transmitter for a WiMedia 3.1-4.8 GHz multiband orthogonal frequency division multiplexing ultra-wideband system is presented. With a separate transconductance stage, the quadrature up-conversion modulator achieves high linearity with low supply voltage. The co-design of different resonant frequencies of the modulator and the differential to single (D2S) converter ensures in-band gain flatness. By means of a series inductor peaking technique, the D2S converter obtains 9 dB more gain without extra power consumption. A divided-by-2 divider is used for carrier signal generation. The measurement results show an output power between -10.7 and -3.1 dBm with 7.6 dB control range, an OIP3 up to 12 dBm, a sideband rejection of 35 dBc and a carrier rejection of 30 dBc. The ESD protected chip is fabricated in the Jazz 0.18μm RF CMOS process with an area of 1.74 mm^2 and only consumes 32 mA current (at 1.8 V) including the test associated parts. 相似文献
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本论文设计了一个超宽带频率综合器。该频率综合器通过采用两个锁相环和一个单边带混频器产生了6至9GHz内的五个频带中心频率,频带之间的跳频时间小于3纳秒。文中提出了一个高线性度的二选一多路选择器,一个宽带的单边带混频器和一个正交压控振荡器。此外,版图也做了一些特殊考虑。该频率综合器采用0.18微米CMOS工艺实现,在1.5V至1.8V电源电压下消耗40mA电流,测试结果显示10MHz频偏处的相位噪声为-128dBc/Hz,在7.656GHz频带处的边带抑制为-22dBc。 相似文献
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为使OFDM(正交频分复用)技术在宽带无线通信中得到实际运用,提出了基于IEEE 802.11a协议的OFDM发射机的设计方案及关键技术的实现方法。在设计中采用自顶向下的设计思想,通过数字锁相环、乒乓RAM(随机存储器)等方式提高系统运行的可靠性。并利用Altera公司的Cyclone IV E系列FPGA(现场可编程门阵列)器件的特点和灵活的IP Core(知识产权核)功能,实现了OFDM发射机的设计。在Modelsim环境下的仿真结果证明了该设计的有效性,且占用的资源少。 相似文献
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基于TSMC O.18μm RFCMOS工艺设计了一种无电感并联负反馈的超宽带低噪声放大器(LNA).在3~5 GHz工作频率范围内,电阻电流复用技术为整体电路提供自偏置,使其在足够的带宽范围内均可实现较高增益;同时噪声相消技术又可消除部分沟道热噪声,在很大程度上降低了放大器的噪声系数,由仿真结果可以看到:LNA在3~5 GHz内实现了良好输入输出匹配和较好的线性度,同时得到了较好的电压增益和噪声性能;并且其在整个频带范围内增益达到11~13.9 dB,噪声系数小于4.6 dB.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,这对商业应用具有极大的吸引力。 相似文献
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设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4~252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5~7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5~26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA. 相似文献
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设计了基于正交频分复用(OFDM)超宽带(UWB)系统的下变频混频器(Mixer),并采用0.18μm RF CMOS工艺,通过一种不同于传统Gilbert结构的新颖的双平衡结构来实现,以降低本振大信号对输出中频端的噪声贡献和干扰,降低混频器的静态直流功耗等.测试结果表明:在4~252MHz的中频范围内,转换增益大于2.5~7.8dB,线性度IIP3大于3.3dBm,噪声系数为22.5~26dB,各端口间隔离度均在约-50dB,在1.8V电压下消耗总电流约为8mA. 相似文献
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0.18μm CMOS 3.1-10.6GHz超宽带低噪声放大器设计 总被引:8,自引:0,他引:8
介绍了一种基于0.18μm CMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器.在3.1~10.6GHz的频带范围内对它仿真获得如下结果:最高增益12dB;增益波动小于2dB;输入端口反射系数S11小于-10dB;输出端口反射系数S22小于-15dB;噪声系数NF小于4.6dB.采用1.5V电源供电,功耗为10.5mW.与近期公开发表的超宽带低噪声放大器仿真结果相比较,本电路结构具有工作带宽大、功耗低、输入匹配电路简单的优点. 相似文献
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本文介绍了无线信道的特征,进而引出多载波调制技术,着重介绍了正交频分复用(OFDM)的原理,优缺点及其在无线通信中的广泛应用。 相似文献
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简述了正交频分复用技术的发展及特点,论述了其原理及实现方法,构建了OFDM系统的实现框图,并将其应用到无线信道中。理论上得到频域均衡单载波系统复杂度和性能与多载波系统相当,且可以与多载波系统共存的结论,已被IEEE 802.16建议在宽带无线接入中采用。 相似文献
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在高速率的OFDM设计中,MQAM-TCM调制已被广泛采用。本文提出了一种适用于OFDM的混合 QAM-TCM设计,并对两种不同的实现方案与MQAM-TCM进行了仿真比较,结果表明混合QAM-TCM的性能优于 MQAM-TCM。 相似文献
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设计了一种简单的POFDM接收解调方案,充分利用了系统的频率分集能力,对方案的仿真计算结果证实了这种方法的有效性. 相似文献