离子注入HgCdTe损伤特性研究

本文利用电解液电反射方法研究了离子注入ＨｇＣｄＴｅ的损伤特性，得出了材料的Ｅ１能量值，同时探讨了热退火下离子注入引起的损伤变化关系。     

氮离子注入的SOI研究与进展

本文综述大剂量注入氮离子的SOI技术及共新近进展,并与大剂量注入氧离子的SOI技术作了比较,指出了氮SOI的研究方向,探讨了注氮SOI的形成机理。     

氮离子注入形成的SOI结构的研究

用透射电子显微镜(TEM)、扫描透射电子显微镜(STEM)和电子能量损失谱(EELS)对高剂量氮离子注入再经热退火所形成的硅-绝缘层(SOI)结构的纵断面进行了微区分析并测定了氮-硅元素浓度比沿深度的分布. EELS的分析证明了在绝缘层的多孔区中可能有一些以气体形式出现的氮分子. 利用EELS的低能等离子峰形成的能量选择像能够对硅和氮化硅进行相分离,并有助于估计可能引起短路的因素.     

氮离子注入形成SOI结构的外延研究

用大束流(50μA/cm~2)、高剂量(1.8×10~(18)/cm~2)的190keV N~+注入Si〈100〉中,然后在SiO_2覆盖保护下于1220℃退火二小时形成SOI结构.为了增加SOI材料上层单晶Si的厚度以应用于器件制作,将退火得到的SOI样品经化学处理后作外延生长.外延后获得的SOI材料,上层单晶Si厚度为0.8-1.0μm;Si_3N_4埋层的厚度为2800A;上、下Si-Si_3N_4界面陡峭.测试分析结果表明,利用N~+注入与气相外延生长能获得质量好的SOI材料.     

离子注入改善二次电子发射特性研究

本文用铬离子注入改善了摄像管用铜网的抗氧化性能和二次电子发射特性,与栅网的蒸发石墨碳化工艺比较,有其优越性和实际意义。     

离子注入白光退火特性

本文研究了离子注入后碘钨灯的退火效果;测量了离子注入和瞬态退火样品的电阻率、迁移率、电激活率和注入层电阻率的均匀性;用背散射和扩展电阻仪得到As浓度和载流子浓度分布;获得了制备浅结的工艺条件。用超高压电镜分析了注入层的剩余缺陷。同热退火比较表明白光退火技术更适于超大规模集成电路的微细加工工艺的要求。     

氮离子注入对GaAs肖特基势垒性能影响的研究

本文利用离子注入方法,用不同剂量的氮离子对GaAs衬底进行注入实验。结果表明,氮注入明显地改善了Ti/n-GaAs肖特基势垒特性。     

离子注入改进硅光伏特性研究的发展动态

简述了利用缺陷促进硅光吸收特性的发展历史，概括了用离子注入引入局域缺陷，改进硅光吸收的技术，介绍了多国学者针对局域缺陷改进硅光吸收技术的研究结果及发展趋势。     

4H-SiCN离子注入层的特性

研究了在4H-SiC p型外延层上用N离子注入制备n型层的方法及其特性,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行了模拟.为了测试注入层的特性,制备了横向肖特基二极管和TLM (transfer length method)结构.测得的N激活浓度为3.0×1016cm-3,计算出激活率为0.02.注入层方块电阻为30kΩ/□,电阻率为0.72Ω*cm,并计算出电子迁移率为300cm2/(V*s).     

离子注入双极晶体管的微波特性

讨论了全离子注入外延硅 NPN 双极微波晶体管的制造和分析。用来形成发射区和基区的掺杂剂分别是注入砷离子和硼离子。砷是在150千电子伏能量下以1×10~(16)/厘米~2剂量注入,而硼则用50千电子伏、8×10~(13)/厘米~2和20千电子伏、4×10~(13)/厘米~2两种条件注入。制成了具有2微米发射极条宽和3微米发射极—基极间距的结构,其S—参数由实验测定。得到实验最高振荡频率 f_(max)=6.0千兆赫,而按T—型等效电路和由已知的几何尺寸和浓度分布得到的器件电路参数所计算的 f_(max)为6.4千兆赫。充分地讨论了制造中所采用的工艺过程。     

4H-SiCN离子注入层的特性

研究了在4H-SiC p型外延层上用N离子注入制备n型层的方法及其特性,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行了模拟.为了测试注入层的特性,制备了横向肖特基二极管和TLM (transfer length method)结构.测得的N激活浓度为3.0×1016cm-3,计算出激活率为0.02.注入层方块电阻为30kΩ/□,电阻率为0.72Ω*cm,并计算出电子迁移率为300cm2/(V*s).     

低能离子注入氮化硅的材料特性

本文报道的是采用低能量的氮或氨注入硅中形成氮化硅的方法。讨论了采用各种分析手段包括椭偏光法,化学腐蚀法、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子显微镜(XPS)、红外透射分光仪(IR)、卢瑟福背散射分光仪(RBS)对氮注入膜所进行的广泛的材料研究。研究出一种新的测量膜厚、密度、折射率和介电常数的方法。这种方法并用了椭园测量、电容测量以及由卢瑟福背散射所得的氮的面密度。一个重大的发现是注入氮化物膜的密度比CVD氮化物的密度低。对氮化物的其它材料特性也进行了简要的介绍。     

HgCdTe离子注入掺杂及损伤特性

运用红外反射谱，背散射谱和二次离子质谱等方法研究ＨｇＣｄＴｅ注入Ｂ、Ｐ、Ｉｎ和Ａｓ等元素的掺杂与损伤特性。     

MBE生长的HgCdTe材料B离子注入特性研究

用剥层霍耳测量分析了ＭＢＥ生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的Ｂ离子注入的电学特性,测量了薄膜材料的载流子浓度和迁移率分布．当剥层腐蚀到结区,结区增透引起红外透射光谱的峰值提高．     

氮离子注入后拟南芥种子表皮的扫描电镜观察

应用扫描电镜观察了低能N^ 注入拟南芥干种子后表层细胞结构的变化。结果表明,拟南芥种子的N^ 离子注入区域与未注入区域相比,离子注入区在一定程度上发生变化并伴随有表层细胞的损伤。随着离子剂量的增大,离子对种子细胞的损伤程度增大,且种子表面有裂痕生成。另外,经注入种子的表面分布有许多散在的固体颗粒状物质,其密集程度也随离子剂量的增加而增大。     

金离子注入二氧化锆薄膜的单极电阻转变特性研究

The resistive switching characteristics of Au＋-implanted ZrO2 films are investigated. The Au/Cr/Au＋ -implanted-ZrO2/n＋-Si sandwiched structure exhibits reproducible unipolar resistive switching behavior. After 200 write-read-erase-read cycles, the resistance ratio between the high and low resistance states is more than 180 at a readout bias of 0.7 V. Additionally, the Au/Cr/Au＋-implanted-ZrO2/n＋-Si structure shows good retention characteristics and nearly 100% device yield. The unipolar resistive switching behavior is due to changes in the film conductivity related to the formation and rupture of conducting filamentary paths, which consist of implanted Au ions.     

4H-SiC钒离子注入层的特性

研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取.采用一种台面结构进行I-V测试.钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大,常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2×109～1.6×1010 Ω·cm和2.0×106～7.6×106 Ω·cm.     

离子注入铌酸锂平面波导双折射特性的研究

为了获得折射率信息,采用UT00-FPD型椭偏仪对5mm×10mm×1mm铌酸锂晶体及注入镓的铌酸锂晶体波导的双折射特性进行了测量.首先对铌酸锂晶体测量结果进行建模及数据处理,得到晶体在190nm～1700nm之间的双折射特性;在此模型的基础上,进一步对注入镓的铌酸锂晶体波导进行了建模和数据处理,得到了波导层的双折射率的分布.所得表征结果为铌酸锂晶体波导在光子器件中的应用提供了有用的信息.