共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
本文了工艺因素对SiCw-AlN复合材料的影响。结果表明,1850℃是较合适的复合材料烧结温度,复合材料力学性能与添加剂组成和含量有密切关系。Y2O3与SiO2在烧结中起的作用下不同,Y2O3与AlN表面的Al2O3形成液相,是一种良好的烧结添加剂,而SiO2由于与AlN形成27RSialon多形体,反而阻碍材料致密化。 相似文献
2.
本文研究了Al2O3、Y2O3、La2O3、Y2O3+SiO2几种类型的添加剂对AIN陶瓷力学性能和高温抗氧化性能的影响。结果表明:Y2O3+SiO2为一种较好的AIN陶瓷添加剂,材料在烧结过程中由于2H^5Sialon及8H-Sialon等纤维状的Sialon相形成,对材料起到一种自补强作用,SiO2的存在使用AIN陶瓷在氧化工程中形成Mullite保护层,故使AIN陶瓷肯有良好的力学性能及高温 相似文献
3.
4.
碳化硅陶瓷的热等静压烧结 总被引:11,自引:3,他引:11
系统地研究了不同添加剂(如Al2O3,AlN和B4C等)在热等静压(HIP)烧结条件下对SiC陶瓷之致密机理,显微结构以及力学性能的影响,结果表明:在HIP烧结过程中,Al2O3可以与SiC颗粒表面的SiO2生成低共熔的铝硅酸盐玻璃相,并有效地促进SiC陶瓷的致密化,当添加3%(以质量计)Al2O3时,采用HIP烧结工艺,在1850℃温度和200MPa压力下降结1h,就可获得相对密度和抗弯强度分别 相似文献
5.
6.
晶界第二相是AIN陶瓷显微结构的重要组成部分,对AIN陶瓷的热导率有重大的影响。本工作研究了以Y_2O_3为烧结助剂的无压烧结AIN陶瓷中,晶界第二相的组成、含量及其分布,结果表明:晶界第二相的组成主要取决于配料中的Y_2O_3/Al_2O_3比值,同时也受工艺因素影响;随着Y_2O_3加入量增多,晶界第二相含量呈线性增加,其分布也变成从三个晶粒连接处延伸到所有晶界。还讨论了晶界第二相对热导率的影响。认为只要AIN晶格完整无缺,AIN相保持连通,即使存在少量的Y_4Al_2O_9和/或Y_2O_3第二相材料,预期仍可获得高的热导率。 相似文献
7.
8.
Y2O3—Al2O3—SiO2添加剂在低温烧结SiC中的作用 总被引:3,自引:1,他引:2
本文探讨了Y2O3-Al2O3添加剂在低温无压烧结SiC中的作用以及在Y2O3-Al2O3添加剂中引入SiO2的作用及机理,从而阐明了通过多项合理、有效复合添加降低SiC烧结温度的可能性。 相似文献
9.
由陶瓷复合材料的抗热冲击实验,证明添加W(ZrO2)=20%时可使Al2O3复合陶瓷的热震温度达到370℃,如何添加V(SiCw)=20%可使Al2O3复合材料的热震温度达到430℃,使Si3N4复合材料的热震温度达到650℃;如果采用V(SiCw)=20%,同时添加Al2O3,Y2O3等活性剂,由于强化晶界的作用,可使Si3N4复合材料的热震温度达到700~750℃,还对各添加剂使陶瓷材料抗热冲 相似文献
10.
防止Al_2O_3堵塞浸入式水口复合材料的研制 总被引:1,自引:5,他引:1
采用烧结法合成了致密的复合了CaO-SiO2系化合物的CaZrO3质材料,研究了CaO-SiO2系化合物的复合量和不同添加剂对复合材料的致密化及与Al2O3反应能力的影响。研究结果表明,增加CaO-SiO2系化合物的复合量.不仅改善了复合材料的致密化程度,而且提高了与Al2O3的反应能力。两种SiO2-Al2O3系添加剂均能大大降低复合材料的烧结温度,并对复合材料的相组成产生影响.因而提高了与Al2O3的反应能力。此外,高密度的复合材料具有更强的与Al2O3反应的能力。 相似文献
11.
12.
研究了ZrN在Si_3N_4-ZrO_2复相陶瓷中的形成及其对材料性能的影响,结果表明:在1.5MPaN2气压烧结条件下,ZrN的形成温度约为1600℃,提高N_2的压力有利于抑制ZrN的生成,以稳定的t-ZrO_2加Si_3N_4基体中,对抑制ZrN的生成有明显作用。当复相陶瓷中生成一定量的ZrN时,力学性能明显下降,而ZrO_2分布均匀且以t-ZrO_2,c-ZrO_2形式存在时,复相陶瓷具有较高的强度(740MPa)和断裂韧性(8.8MPa·m ̄(1/2))。 相似文献
13.
14.
15.
Si3N4—MgAl2O4—Al2O3系材料无压烧结的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文对Si3N4-MgAl2O4-Al2O3系复合材料的无压烧结进行了研究,讨论了Al2O3含量对材料性能的影响及烧结工艺对材料性能和显微结构的相互关系。实验表明:两段法烧结可以得到性能良好的Si3N4-MgAl2O4-Al2O3复合材料。 相似文献
16.
本文研究了GPS ZrO2-Si3N4复合材料的烧结性能,相组成,显微结构和力学性能,ZrO2-Si3N4复合材料在1770-1800℃,氮气压力分别为1MPa,2MP,3MPa下烧成,获得相对密度〉95%烧结体。 相似文献
17.
利用EPMA和XRD的分析方法,研究了Si_3N_4-Al_2O_3-ZrO_2系陶瓷材料表面氧化层组成。结果表明,Si_3N_4-Al_2O_3-ZrO_2系陶瓷材料表面氧化层是由方石英相、ZrSiO_4相和含有Al_2O_3、CaO等的SiO_2玻璃相所组成,其中SiO_2玻璃相中Al_2O_3、CaO等的含量,随着氧化时间的增加而逐渐增加。 相似文献
18.
本文研究了GPSZrO2-Si3N4复合材料的烧结性能、相组成、显微结构和力学性能。ZrO2-Si3N4复合材料在1770~1800℃,氮气压力分别为1MPa,2MPa,3MPa下烧成,获得相对密度>95%烧结体。实验结果表明:少量的工业ZrO2对氮化硅有助烧作用,增大氮气压力有利于改善氮化硅陶瓷材料的烧结性能和力学性能;ZrO2可提高氮化硅基体的断裂韧性,在3MPa下烧成条件下,添加15%ZrO2的Si3N4复合材料断裂韧性可达8.08MPa.m1/2,与基体相比提高21.5%,第二相粒子增韧和微裂纹增韧为主要增韧机理。 相似文献
19.