Ca2Ge电子结构和光学性质的研究

采用第一性原理赝势平面波方法系统地计算了正交结构Ca2Ge能带、态密度、介电函数、复折射率、吸收系数．计算结果表明正交结构的Ca2Ge是典型的直接带隙半导体,带隙值为0.318 6 eV,其价带由Ge的3p、3s态电子构成,导带由Ca的3p、3s态电子构成,并且光学性质在3个方向上显示出各向异性．从能带和态密度的计算结果判断出Ca2Ge的光学性质主要由Ge的3p态电子向Ca的3d态的带间跃迁所决定．     

LiNH2晶体结构和电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的赝势——平面波方法,应用LDA的CA-PZ泛函和GGA的PBE、RPBE和PW91泛函对LiNH2晶体结构进行优化,计算电子结构.结果表明,GGA-PW91泛函更适于描述LiNH2晶体的结构和性质.LiNH2晶体为四面体结构,空间群I-4,晶格常数a=b=0.501 9 nm,c=1.034 9 nm,N-H键长为0.103 1 nm,H-N-H键角为103°.电子态密度和电子局域密度分析表明,N-H键呈明显的共价键特性,Li和N-H之间为离子键相互作用.     

Ca3Co4O9＋6与Ca2Co2O5的制备与电学性能研究

采用溶胶一凝胶与热压烧结相结合的方法制备了Ca3Co4O9＋6与Ca2Co2O5热电材料．x射线衍射（XRD）测试结果表明,两种材料均沿C轴有择优生长趋势．从样品的扫描电子显微照片（SEM）来看,两种材料已烧结,基本达到致密的程度．在室温至1073K温区,测试了样品的电导率和Seebeck系数．结果表明,两种材料电输运性能均随温度升高而增加,Ca3Co4O9＋8。样品的电导率、Seebeck系数和功率因子明显高于Ca2Co2O5．     

赝三元半导体致冷材料的研究

研究出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi_2Te_3-Sb_2Te_3-Sb_2Se_3半导体致冷材料,在室温附近最高优值可达到3.2×10~(-3)/K以上。讨论了晶体结构特点和生长条件对材料温差电特性的影响。     

γ-Y2Si2O7陶瓷材料介电性能研究

以溶胶-凝胶法制备的纳米SiO2颗粒和微米Y2O3为原料,在高能行星磨上球磨混合粉末(摩尔比2:1),冷压成型后烧结,制备出纯相γ-Y2Si2O7.借助X射线衍射、扫描电镜、能谱等方法研究了该材料的低温烧结行为.结果表明,该材料能够在1350℃下低温烧结出纯相γ-Y2Si2O7.用谐振腔法在X波段测试了γ-Y2Si2O7的介电性能.结果表明,该材料具有良好、稳定的介电性能.     

Ca2＋对硫酸长春碱与DNA相互作用影响的研究

利用荧光光谱技术、紫外光谱技术和黏度法研究了Ca2＋对硫酸长春碱与DNA的结合模式、结合常数的影响．荧光数据表明,硫酸长春碱与DNA反应的结合常数随Ca2＋浓度增大而增大,说明Ca2＋对硫酸长春碱与DNA的结合起促进作用,黏度实验和紫外光谱实验结果表明,Ca2＋加入前后硫酸长春碱与DNA均以沟槽模式结合．     

高功率微波对杂质半导体材料的透射计算

主要研究了HPM脉冲直接辐照半导体材料情形，给出了平面电磁波垂直入射到一维杂质半导体材料并透射进入其内部时，透射系数的计算方法并分析并计算了HPM脉冲从杂质半导体表面上透射进入内部的电场值，电流密度。     

CeFe 2和YFe2的电子结构和磁性质随体积的变化规律

通过对Stoner作用参量的计算,表明CeFe2弱的铁磁性的主要提供者是Fe,且Ce的局域铁磁性是不稳定的,但体积的变化对Fe的局域位的磁性影响较大,对Ce位的态密度和磁性质不会引起很显著影响。YFe2中的Y的负磁矩主要来源于Fe的3d轨道和Y的4d轨道杂化。     

半导体量子阱中电子的回旋质量与温度的关系

随着分子束外延技术的发展,人们对半导体超晶格和量子阱结构各种性质的研究产生了极大的兴趣。人们如此重视这个领域是因为它不仅在技术上有着广泛的应用,而且提供了在实际观察电子运动量子化行为的理想条件。 极化子磁光学的研究与实验联系更紧密,从回旋共振的测量,可以直接获得电子-声子作用的信息,因而人们尤其感兴趣电子在磁场中的回旋共振的研究。随着研究的深入,人们也开始重视在有限温度下研究极化子的性质。本文将讨论有限温度下,GaAs-GaAlAs量子阱中的磁极化子的自能、回旋质量与温度的关系。     

纳米颗粒Ti3Si新相的制备与结构研究

利用机械合金化方法制备Ti-Si合金时,发现样品经历了固溶→非晶→晶化的过程.X射线衍射表明,晶化后的样品为首次发现的新相.利用计算机进行模拟并经理论计算证明,确认该新相是具有面心立方结构的金属间化合物TiSi,并给出了其结构示意图.     

NiTi合金表面TiO2掺杂C原子的电子结构计算

采用基于密度泛函理论的离散变分Xα方法(DV—Xα),对表面掺杂C原子后的NiTi合金表面Ti0_2的电子结构进行了计算,得到各原子间的键级、电荷分布、Mulliken集居数和态密度．结果表明:表面掺杂C后,在Ti原子的3d、4s、4p轨道和C原子的2p轨道之间发生了有效的作用,改变了表面膜的电荷分布,表面负电荷增加,从而抑制了CI-等阴离子的吸附,阻碍电子的失去,提高了其抗点蚀的能力;同时,也有利于体液中ca2 、PO34在表面沉积形成羟基磷灰石,使NiTi合金的耐腐蚀性得到进一步提高．这一理论计算阐明了NiTi合金表面掺C后抗腐蚀性和生物相容性提高的机制．     

单一相Ca_2Si膜选择性生长(英文)

磁控溅射系统在恒定溅射功率、Ar气压和Ar气流流量下,直接在Si(100)衬底上沉积两组不同沉积结构的Ca膜。随后,600℃分别真空退火5、6、8、10和12 h。使用XRD、EDAX和FT-IR对结果膜的结构和表面进行了测试。沉积膜的原子与衬底之间利用固相间相互扩散反应从多相共生的Ca -Si系统选择性的生长出单一相的Ca2Si膜。并且确定了沉积膜的结构、退火温度和退火时间是单一相硅化物选择性生长的关键因素。     

NiTi合金表面TiO2掺杂N原子的电子结构计算

采用密度泛函理论的离散变分Xα方法(DV-X)α,对表面掺杂N原子后的NiTi合金表面TiO2的电子结构进行了计算,得到各原子间的键级、电荷分布、Mulliken集居数和态密度.结果表明:表面掺杂后,在Ti原子的3d,4s,4p轨道和N原子的2p轨道之间发生了有效的作用,改变了表面膜的电荷分布,表面负电荷增加,从而抑制了C1-等阴离子的吸附,阻碍电子的失去,提高了其抗点蚀的能力;同时,也有利于体液中Ca2 、PO4在表面沉积形成羟基磷灰石,使NiTi合金的耐腐蚀性得到进一步提高.这一理论计算阐明了NiTi合金表面掺N后抗腐蚀性和生物相容性提高的机制.     

医用胶粘剂主体材料α-氰基丙烯酸正辛酯的合成研究

以氰乙酸正辛酯为原料,通过改进合成反应条件,合成得到了一种医用胶粘剂主体材料α-氰基丙烯酸正辛酯,产率达到了71.2%,为下一步α-氰基丙烯酸酯胶粘剂性能改进奠定了基础.     

压力对金属化合物Mg_2Si光学性能影响的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了压力对Mg_2Si光学性质的影响。计算结果表明,0GPa压力环境下,其晶格参数与试验值吻合较好。同时,进一步计算分析了在0～40GPa高压作用下Mg_2Si的折射率、反射率、吸收系数、能量损失函数和光电导率的变化情况。结果表明,压力可以有效调制Mg_2Si的电子结构并改变其光学性能。     

cis-HOPO分子的振动频率与精确电子结构

使用密度泛函方法对cis-HOPO分子的振动频率和精确电子结构进行了计算研究,结果表明在6个振动模中,振动强度较强的4个振动模与实验符合得相当好,另2个振动较弱的振动模在实验中没有观察到.自然键轨道分析表明P与H位O形成的是单键,而和末端O形成的是双键结构,并给出了成键轨道的详细构成,同时也给出电子的自然布居与分子的电子组态.     

废弃物-偏高岭土复合透水材料研究

为探究透水材料的改良方法和提高环境友好指标,从而更加适应现代海绵城市的建设需求,把传统透水砖中的水泥、砂石等原材料用废玻璃等废弃物替代,以偏高岭土为粘结剂,研究添加污泥、沙漠风沙和秸秆末对材料透水率的影响.结果表明,添加秸秆末对材料透水率的增强作用明显.而加污泥或沙漠风沙对材料透水率有削弱作用.当废玻璃粉主料为75%,秸秆末添加量为1%,沙漠风沙添加量为6%,污泥添加量为18%时,材料的透水率可达19 cm/min,抗压强度不低于27 MPa.