霍耳效应公式的量子力学推导法

用量子力学方法推导了量子霍耳效应的二维电子气中的霍耳效应公式。     

量子霍耳效应的半经典分析

霍耳效应的解释是以电场、磁场等基本经典概念为基础；而量子霍耳效应的本质是一种量子力学效应．本文避开量子力学高深的数学语言，以经典分析的手法对量子霍耳效应的一些基本概念及实验结果给出较园满的解释．     

霍耳效应实验分析

对霍耳效应测量磁感应强度的实验原理作了分析,讨论了外界定向干扰磁场对实验的影响、指出在实验教学中,相邻霍耳效应测量仪摆放距离宜大于等于2.5m才能忽略相互干扰.     

量子化霍耳效应的发现、解释和应用

<正> 1 引言 国际物理学权威杂志《physical Review Letters》1980年8月发表了德国物理学家冯·克立青的一篇论文,文中报导了他在18特斯拉的强磁场和1.5开尔文低温极端条件下,对金属——氧化物——半导体场效应晶体管的输运特性进行的测量实验。实验结果表     

评霍耳效应的物理模型

本文从理论上证明了传统的霍耳效应物理模型中霍耳电荷分布和电流线的分布是不正确的。     

铜——二氧化硅体系巨霍耳效应研究

研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系，随着金属体积比的降低，霍耳系数R迅速增加，并在x=0.51时达到最大，其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍，远超过经典渗流理论计算数值。本研究表明，这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应（GHE）是由界观尺度的量子干涉效应引起的。     

铜—二氧化硅体系巨霍耳效应研究

研究了体积比为 0 .45≤x≤ 0 .8的Cux(SiO2 ) 1 -x 样品的霍耳系数与成份的关系 ,随着金属体积比的降低 ,霍耳系数R迅速增加 ,并在x=0 .51时达到最大 ,其值为x =0 .8的样品霍耳系数的 70 0倍 ,远超过经典渗流理论计算数值 .本研究表明 ,这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应 (GHE)是由界观尺度的量子干涉效应引起的     

利用量子正则系综理论研究介观电路的量子效应

利用量子正则系综理论研究了介观RLC串联电路在能量混合态下的电荷、磁通(电流)的量子涨落,得到了在能量混合态下电路的量子涨落与温度的关系.结果表明,介观RLC串联电路中的量子涨落不仅与本征频率有关,而且与温度有关;温度越高,电路中的量子噪音越大.该结论与目前采用热场动力学理论方法(TFD)所得结果相一致,量子正则系综理论的方法更易理解和应用.     

铜一二氧化硅体系巨霍耳效应研究

研究了体积比为0.45≤x≤0.8的Cux(SiO2)1-x样品的霍耳系数与成份的关系，随着金属体积比的降低，霍耳系数R迅速增加，并在x=0.51时达到最大，其值为x=0.8的样品霍耳系数的700倍，远超过经典渗流理论计算数值.本研究表明，这种非磁性金属系统中的巨霍耳效应（GHE）是由界观尺度的量子干涉效应引起的.     

论霍耳测量问题

利用合理的边界条件，通过解拉氏方程．导出了一个普适的霍耳电压公式．利用这个公式，不仅可以解释常规霍耳效应中电极对霍耳电压的强短路作用，而且还可以解释量子霍耳效应中电极对霍耳电压的零短路作用．     

整数量子霍尔效应平台的宽度

该文讨论了零温极限情况下整数量子霍尔效应(IQHE)的平台宽度和局域态。     

量子霍尔效应与共振时间量子化

本文发展了Ｓｃｈｏｍｍｅｒｓ的时间观点，着重讨论了辐射与物质相互作用过程的时间和共振时间。本文通过假定辐射与物质作用过程为时间本征态，推出了共振时间量子化的重要结论。本文应用共振时间量子化推出了统一描述整数量子霍尔效应，分数量子霍尔效应和偶数或分子为偶数的分数量子霍尔效应的霍尔电导量子化公式。     

孤子传输中增益色散的经典和量子效应

用经典的以及用Hartree含时间方法量子化的,包含增益色散的非线性薛定格方程,研究了在光孤子放大传输中,增益色散引起的量子和经典效应.结果表明:在经典效应中增益色散引起孤子压缩和分裂;在量子效应中,增益色散引起孤子的相位发生扩散.     

外气的旋频曲线的实验研究

“旋转曲线”是旋子模型及旋子流假说的重要内容，该曲线在气功外气的研究中占有重要地位。本文从实验的角度证实了旋频曲线的存在，证明了意念对外气的调制作用．     

关于Hall子群的个数

本文给出了Sylow子群的个数及π-可解群中的π-Hall子群个数的刻划,改进了Sylow定理及Hall定理.     

强受限半导体量子点的形状对受限激子的影响

在有效质量近似下,采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响。结果表明对于采用体激子的等效Ｒｙｄｂｅｒｇ能量Ｒ＾＊比较大的材料制备的量子点,其形状带来的影响是显著的。     

求解p型半导体霍尔系数极值的新方法

本文取用新的方法,求解在过渡温度范围下p型半导体霍尔系数的极值,导出了与过去理论中的结论有所不同的极值表示式,并在新的表示式中引入了一个霍尔极值因数r_(Hm).本文还指明了应用有关结论来测定半导体中电子与空穴迁移率之比值的新途径.     

量子点Kondo单态相移测量退相干效应

对于QPC实验中量子点Kondo单态的退相干强度,实验测量比理论预测大30倍的谜团至今尚未解决。本文利用格林函数方法,计算了QPC实验装置中量子点的输运特性,计算结果表明相移测量有可能是该谜团的原因之一。     

霍尔传感器的开发研究

本文用霍尔传感器的基本原理,对其进行了开发研究,利用它耐潮湿、耐振动、抗污染、无触点、无烧蚀等特性,设计了汽车发动机用的霍尔点火器。     

量子计算机的核心与发展

分析、对比了经典计算机和量子机的异同，讨论了量子计算机的核心与发展趋势，指出经典计算机和量子计算机的结构结合将是计算机发展的最佳模式。