三代树状碳硅烷液晶研究——端基含丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的三代树状碳硅烷(D3) 液晶,并用元素分析,核磁共振,激光解吸电离飞行时间质谱(MALDI-TOF-MS),红外、 紫外、偏光显微镜、差示扫描量热（DSC）和广角X射线衍射（WAXD）表征，D3为向 列相与M5相同，树状物相态由介晶基元相态决定，D3相行为；K79N1261116N，D3熔 点比M5降低33℃，D3清亮点比M5增加2℃，D3液晶态温区比M5加宽35℃。     

一代树状碳硅烷液晶研究-端基含12个4-硝基偶氮苯介晶基元

用发散法合成了以四碳硅烷为核心，周边含12个4-硝基偶氮苯介晶基元（M5） 端基的新的一代树状碳硅烷（D1）液晶，并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光 解吸离子化飞行时间质谱（MALDI-TOF-MS）、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描 量热（DSC）和X射线衍射法（WAXD）表征。介晶基元化合物（M5）显示向列相，树 状物D1显示胆甾相和S_E相。D1的液晶相相行为是K70Ch188I185Ch58S_E-48K。     

二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅 烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表 征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二 代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液 晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．     

二代树状碳硅烷液晶研究I.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元（M5）端基新的二代树状碳硅 烷液晶（D_2），并用元素分析，氢谱，激光质谱，红外，紫外，偏光显微镜，DSC和WAXD法表 征D2为向列相，与M5相同，二代树状物相态由介晶基定．D2液晶态相行为是 K85N107I103N69K，其熔点比M5降低27-41℃，清亮点比M5降低17-18宽10-23℃．二 代碳硅烷（D2）与一代碳硅烷（D1）相比熔点增加2-3℃，清亮点降低26-29℃，液 晶态温区减少℃．在二代树状物中观察到S＝＋3／2的高强向错．     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

一代树状碳硅烷液晶的光化学研究－－端基含12个4－丁氧基氮苯介晶基元

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的五代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介 晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N，N－二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量 子产率、反－顺光异构化、光回复异构、反／顺异构组分比、热回复异构及活化能 。D1和M5的光致变色速率常数为10~(-1)s~(-1)，而含同一偶氮基元的光致变色液 晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10~(-8)s~(-1)，因此，液晶树状物D1的光响应 速度比后者快10~7倍。     

端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元的树状碳硅烷液晶的合成

用发散法合成了周边含12个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的树状碳硅烷(D1),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜、DSC和WAXD对产物进行表征.结果表明,D1为向列相,与M3相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1的液晶态相行为:K92N126I124N78K,D1熔点比M3降低了24～30℃,D1清亮点比M3提高了6～8℃,D1液晶态温区比M3加宽30～38℃,在树状物中观察到S=+2的高强向错.     

二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征.D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低2633℃,D2清亮点比M3降低315℃,D2液晶态温区比M3加宽1130℃.D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定.D2熔点比D1降低23℃.D2清亮点比D1降低1121℃,D2液晶态温区比D1减少819℃.     

端基含108个己氧基偶氮苯介晶基元三代树状碳硅烷液晶研究

用发散法合成以四碳硅烷为核心,周边含108个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的三代树状碳硅烷(D3)液晶,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外光谱、紫外光谱、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和X射线衍射法(WAXD)进行表征.D3为向列相液晶,与M3相同,三代(D3)、二代(D2)和一代(D1)树状物的相态由介晶基元的相态决定.D3的液晶态相行为是K79N136I132N,D3的熔点比M3的低19℃,D3的清亮点比M3的增加16℃,D3液晶态温区比M3宽35℃.     

二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

用发散法合成周边含36个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析,氢谱,激光质谱,红外,紫外,偏光显微镜,DSC和WAXD法表征.D2为向列相,与M5相同,二代树状物相态由介晶基元相态决定.D2液晶态相行为是K85N107I103N69K,其熔点比M5降低27～41℃,清亮点比M5降低17～18℃,液晶态温区比M5加宽10～23℃.二代碳硅烷(D2)与一代碳硅烷(D1)相比熔点增加2～3℃,清亮点降低26～29℃,液晶态温区减少29～31℃.在二代树状物中观察到S=+3/2的高强向错.     

端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究

合成了周边含4个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5)端基新的零代光致变色液晶树状物(D0),并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射法(WAXD)表征.D0显示向列相,与M5相同,树状物相态由介晶基元相态所决定,D0的相行为:K138N147I145N118K.对零代(D0)、一代(D1)、二代(D2)和三代(D3)液晶树状物的清亮焓、清亮熵、熔化焓和熔化熵进行了比较.     

A Novel Pentaerythritol-based Carbosilane Liquid Crystalline Dendrimer Containing 12 Nitroazobenzene Groups on the Periphery

A novel liquid crystalline dendrimer with peripheral mesogenic units was successfully prepared. Azo-reaction and Williamson synthesis were employed in the preparation of the mesogenic unit 4-[4-(6-hydroxyhexyloxy)-phenylazo]nitrobenzene (M-NO2). A terminal Si-Cl functional carbosilane dendrimer based on pentaerythritol was used as dendritic scaffold and subsequently functionalized with the aforementioned groups. Investigation of the liquid crystalline properties of the mesogen-functionalized dendrimer PCSi-IG-NO2 by polarizing optical microscopy, DSC, and X-ray diffraction showed that it exhibits smectic E (SE) phase, different from the corresponding mesogenic unit, which shows nematic phase. Furthermore, the temperatures of both the melting point and the clearing point of the mesogen-functionalized dendrimer decrease, and the temperature region of the SE phase is wider than that of the nematic phase.     

二代光致变色液晶树枝状碳硅烷的光化学研究——端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元

研究了新的含36个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷(D2)在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强,吸收光强,摩尔消光系数,最大吸收波长,量子产率,活化能,异构转换率,光回复异构化反应平衡常数,反-顺光异构化反应速率常数,光回复异构化正/逆和热回复异构化反应速率常数.     

三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元

报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数k_p, 光化学回复异构化正/逆反应速率常数k_t和k_c, 热回复异构化反应速率常数k_H, 光化学回复异构化反应平衡常数k_t/k_c, 活化能E, 异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比. D3的光致变色反应速率常数为10^－1 s^－1, 而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^－8 s^－1, 因此, D3的光响应速度比后者快10⁷倍.     

端基含4个丁氧基偶氮苯介晶基元光致变色液晶树状物的光化学研究

研究了新化合物含4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代(D0)光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反-顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回复异构化反应平衡常数及速率常数．D0的光致变色反应速率常数为10^-1s^-1,而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10^-8s^-1,因此液晶树状物D0的光响应速度比后者快10^7倍．