爆炸压实烧结ITO陶瓷靶材的实验研究

通过爆炸压实烧结纳米ITO粉末制备了ITO陶瓷靶材，结果表明爆炸冲击压实在靶材的后续烧结密实过程中起到了促进作用，它与常规的加压烧结相比，具有操作简单，设备要求低等很多优点。经过爆炸压实的烧结靶材具有细小的晶体颗粒，比商业靶材的晶粒度小约1个数量级。     

高致密ITO靶材制备工艺的研究现状和发展趋势

简述了ITO薄膜的各种性能和主要应用,综述了国内外ITO靶材的主要成形、烧结工艺及其研究现状,概括了ITO靶材的发展趋势.     

纳米级ITO粉体对烧结法制备靶材的影响

采用化学共沉淀法制备ITO前驱物,分别于600及1000℃下热处理前驱物,得到两种ITO粉体.粉体模压成型得到素坯,在400～1550℃内采用烧结法、氧气氛下烧结素坯制备出ITO靶材.对粉体及靶材进行表征和分析,研究了烧结过程中晶粒生长情况、靶材微结构与温度之间关系及靶材的失氧现象.得出600℃粉体为单相ITO固溶体、粒径为15 nm,1000℃粉体有少量SnO2析出、粒径为28 nm且其分散性和晶化程度优于600℃的粉体.两种粉体烧结制备靶材过程符合Coble固相烧结理论,1550℃时晶体出现类似二维成核生长方式的生长台阶.靶材密度随温度升高而增加,1550℃时随保温时间延长而增加.靶材致密化过程由团聚程度及团聚体大小决定,1000℃粉体制备的靶材密度高于600℃粉体所制靶材.两类靶材含氧量均低于理论值,1000℃粉体所制靶材含氧量高于600℃的含氧量.     

凝胶注模技术制备高密度ITO靶材的研究

为了研究ITO粉体凝胶注模技术制备高密度靶材的合理工艺,采用正交试验法,研究了固相含量、分散剂含量、pH值对浆料黏度的影响。结果表明,固相含量和分散剂的质量分数分别为80%和0.08%,pH值为10时,可制备出低黏度的适合浇注的浆料。同时,在制备低黏度、高固相含量(80%)ITO浓悬浮体过程中,研究了单体、交联剂、引发剂含量对凝胶化效果的影响。结果表明,单体、交联剂、引发剂分别为浆料质量的2%、0.05%、0.04%时,可制备出高质量坯体。坯体经70℃干燥、600℃排胶,最后于1570℃烧结后得到密度高达7.12g·cm-3、晶粒尺寸均匀的ITO靶材。     

环形槽散热板爆炸成形的实验研究

通过对带环形槽散热板的爆炸成形的实验研究,简要介绍了大尺寸板状零件在爆炸容框内进行成形的机理,并对其实验方法、装置、过程以及能量、药量估算进行了分析。实验结果表明,采用小药量低吊高多炮成形方式,可有效地在爆炸容框中实现大尺寸板状零件的爆炸成形,为大尺寸板状零件成形提供了一种高效节能的新途径。     

薄壁半球形曲面零件爆炸成形工艺研究

对薄壁半球形件的特种成形工艺进行了研究,介绍了爆炸成形的基本原理、壳体结构设计原则及腾工艺参数。结果表明：采用无模爆炸成形技术是加工此类零件有效方法,民形效果好,尺寸精度高、加工过程简便等特点,为类似球面体零件加工开辟了一条简便有效的新途径。     

纳米磁性粉末成形新工艺──爆炸烧结

纳米磁性材料是发展方向之一。本文就纳米磁性粉末采用爆炸烧结新工艺的可行性进行了全面分析和实验验证，得到了肯定的结论。     

方管结晶器爆炸成形过程数值模拟

对方管结晶器爆炸成形过程进行了实验研究并运用ANSYS软件中的LS-DYNA模块对成形过程进行了数值模拟,数值模拟结果与实验结果基本一致;在应用ANSYS/LS-DYNA软件对金属爆炸成形过程进行数值模拟时,对爆炸载荷的作用形式进行适当、合理的简化,并不改变基本结论;根据数值模拟结果获得了方管结晶器爆炸成形时的理论布药结构,当圆角部位药层厚度为直边部位药层厚度的1.75倍时可以获得最佳成形效果。     

纳米ITO粉末及高密度ITO靶制备工艺的研究现状

对铟锡氧化物ITO(Indium Tin Oxide)纳米粉末的制备方法如均相共沉淀法，水溶液共沉淀法，电解法，溶胶-凝胶法，喷雾燃烧法，喷雾热分解法等以及ITO磁控溅射靶的现有几种制备工艺进行了综合评述。阐述了各种制备工艺过程和工作原理，比较和分析了各工艺方法的优缺点，并提出了制备高品质ITO粉末及ITO靶的努力方向。     

预热爆炸压实烧结纳米ITO陶瓷粉末

改进爆炸实验装置，并利用该装置实施了预热爆炸压实实验。以商业ITO纳米陶瓷粉末为原料，通过压力机将粉末压实到大约50％理论密度的初始压坯，选择预热温度为800℃以上进行爆炸压实，从而获得了致密且晶粒在纳米量级的良好烧结体。结果表明：预热爆炸烧结体微观组织结构均匀，晶粒尺寸分布在200nm左右，且将烧结体在扫描电镜上放大到100，000倍时仍未发现明显孔洞和微裂纹等缺陷。认为宏观塑性变形和晶粒长大是导致良好烧结的2个主要机制。     

热压烧结ITO靶材物相组成与电子结构研究

采用XRD、XPS对ITO固溶烧结前后物相结构及靶材表面In、Sn、O三元素价态进行表征和研究。结果发现:ITO固溶体中溶质与溶剂离子的半径差异较大是引发掺杂后XRD图谱谱峰偏移的主要原因;而XPS图谱中谱峰偏移则是Sn掺杂导致ITO导带中电子态占有率增加、Fermi能级升高的缘故。研究结果为制备成分、结构均匀的高密度ITO靶材提供了有益的参考。     

高密度高导电性ITO靶研制

采用化学共沉淀法掺金属Nb,Ta和P到ITO材料中可使ITO(IndiumTinOxide)靶相对密度达到97%~99%,并且靶电阻率小于3.0×10-4??cm,其质量损失率小于4.0%。采用直接掺杂法将TiO2纳米粉末掺入到纳米ITO粉末中可使ITO靶相对密度达到95%以上。当烧结温度为l500℃时,掺Nb,Ta,P的ITO靶电阻率稍小于纯ITO靶的电阻率。     

ITO靶刻蚀时间对沉积ITO薄膜光电性能的影响

在磁控溅射过程中,通过观察在2～50 h的刻蚀时间下制备的ITO薄膜的表面形貌,研究了在磁控溅射过程中ITO靶表面的黑色凸起的形成过程,并探讨了刻蚀时间对沉积ITO薄膜的光电性能的影响。结果表明,随着刻蚀时间的增长,ITO靶材表面的In和Sn分布发生变化,导致ITO膜不均匀。薄膜的电学和光学性能因结节的形成而显著退化。而当刻蚀时间在40 h以下时,ITO薄膜的光电性能变化不大。然而,当蚀刻时间继续延长,薄膜的光电性能会迅速恶化。     

铝合金直筒形零件成形工艺过程及控制

对直筒形工件的成形工艺方案进行了分析比较，根据拉深-翻孔复合成形的变形规律．通过采取一定的工艺措施，可对复合成形进行有效控制，既可获得所需要的工件形状与尺寸，又能提高材料利用率。     

电磁成形技术在薄板成形中应用的研究进展

电磁成形技术是一种高能、高效成形技术,目前已在工业生产中获得广泛应用,是近年来一种新兴的板材塑性加工方法.本文从理论、试验和有限元仿真3个方面介绍了国内外电磁成形技术运用于薄板成形领域的最新成果,主要阐述了管件缩径成形和胀形成形、平板成形以及薄板校形方面的研究进展,讨论了在应用研究中存在的问题和进一步发展方向.     

微形开槽简形件冲压工艺分析与模具设计

通过对微形开槽筒形件;中压工艺分析,改进落料片形状,成功地采用浅拉伸兼成形的新冲压工艺,使制件得以顺利进行生产。介绍了模具结构特点,分析了生产中的问题,提出了对策,对类似冲压件的加工有参考作用。