GTO过电流分级快速保护和极限保护条件

基于ＧＴＯ器件特性和故障状态下ＧＴＯ的过流工况,研究了ＧＴＯ过流分级快速保护模式和实现方法以及保护的极限条件。     

自关断器件厚膜保护电路的研制

采用ＳＭＴ厚膜贴装工艺，研制出适合ＧＴＲ、ＧＴＯ等自关断器件用的ＨＬ系列过流保护厚膜电路模块，本文给出了保护电路模块的原理、电路参数及使用方法。     

可关断晶闸管无破坏测试模糊专家系统的研究

应用专家系统理论和模糊理论建立了可关断晶闸管（ＧＴＯ）无破坏测试模糊专家系统（ＧＴＯ ＮＤＴＦＥＳ）。ＧＴＯ ＮＤＴＦＥＳ主要具有两种功能：测试ＧＴＯ的最大可关断阳极电流ＩＡＴＯ和判断ＧＴＯ的性能优劣。为了表达“ＧＴＯ临近其关断极限”这一模糊概念,文章首次提出了“安全隶属度”的概念,并提出了用特征量的当量值变化的拟合曲线以确定安全隶属度垢模糊推理方法。提出了用极小－极大法则进行了模糊推理以评价ＧＴ     

用PSPICE仿真GTO的瞬态特性

介绍了用仿真软件ＰＳＰＩＣＥ建立ＧＴＯ组合模型的方法，该模型仅用两个晶体管来模拟ＧＴＯ的动态特性，本文重点介绍了对门极关断特性的仿真。比较了仿真和实验结果，分析了参数的灵敏度。     

门极可关断晶闸管再导通机理分析及验证

分析了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）在关断过程中出现再导通现象的机理。通过试验证明了再导通现象的存在，同时验证了在高温下，再导通ＧＴＯ的阻断电压远低于规定结温下的阻断电压。     

用PSPICE多瞬态分析法建立GTO仿真模型

提出了用ＰＳＰＩＣＥ多瞬态分析功能建立ＧＴＯ仿真模型的方法,在分析ＧＴＯ内部机理的基础上,用无源器件建立了ＧＴＯ门极模型。     

GTO门控电路及其电压型变频器

介绍一小容量ＧＴＯ门极驱动电路和带零矢量分割，磁通轨迹ＰＷＭ法控制的ＧＴＯ电压型变频器。控制系统用两片８０９８单片机，并采用实时计算法。该变频器的试验令人满意。     

关断过程中GTO正向阻断结失效机理的研究

本文重点研究了可关断晶闸管（ＧＴＯ）正向阻断结的三种失效机理，在ＧＴＯ关断过程中，阳极瞬时极峰值功耗，阳极尖峰电压和阳极再加峰值电压达到极限时都可造成正向阻断结的损坏，从而使ＧＴＯ关断失效，从器件内部载流子的输运规律出发，作者阐述了这三个极限参数引起ＧＴＯ失效的机理，建立了三种不同的失效模式；首次研究了ＧＴＯ关断过程中下降时间内瞬地峰值功耗和尖峰电压相对位置的关系。     

GOT门极横向电阻值测定与关断能力

提出了ＧＴＯ的门极等值电阻问题，论述了它的测定依据。提出了ＧＴＯ门极横向电阻的测试方法，并给出了测试结果。阐述了门极横向电阻与ＧＴＯ关断能力的关系。     

GTO门极触发电路的设计

ＧＴＯ门极触发电路的设计山东工业大学张庆范（济南２５００１４）山东师范大学裴素华，庄益利（济南２５００１４）ＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＧＴＯＧａｔｅＴｒｉｇｇｅｒｉｎｇＣｉｒｃｕｉｔ￥／／１前言该电路是为感应电动机的ＧＴＯ斩波器设计的触发电路。它应用于感...     

自关断器件厚膜驱动电路的研制

采用ＳＭＴ厚膜贴装工艺研制出适合ＧＴＲ，ＧＴＯ，ＩＧＢＴ等自关断器件用的ＨＬ系列厚膜驱动电路模块。本文给出驱动电路模块的原理，电路参数及使用方法。     

采用GTO的新型静止无功发生器

大功率门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的出现使得新型静止无功发生器（ＡＳＶＧ）进入实用阶段，在这种情形下，河南电力局与清华大学决定联合研制２０ＭｖａｒＧＴＯ新型无功发生器，为进行机理研究，一台３００ｋｖａｒ的中间试验样机已于１９９５年７月并网运行，文中分析了由１８脉冲电压型ＧＴＯ逆变器构成的该新型无功发生器的原理及主要结构，并给出了试验结果。     

PWM逆变器双机并联运行控制系统的研究

对两台ＧＴＯ逆变器并联运行的电流平衡问题进行了研究，推导出了相应的电流平衡公式。在此基础上研制了一套双微机控制系统，用来控制两台并联运行的ＧＴＯ逆变器。实际运行表明，系统运行稳定，电流能进行动态平衡，调速平滑，反应快速。     

从GTO门极关断波形分析其关断能力

给出了多个ＧＴＯ元件关断时的电源，电压波形，并对其门极电源，电压波形进行了分析和比较。根据门极关断波形对ＧＴＯ关断性能的优劣进行了评估。     

GTO逆变器缓冲电路CAD的研究

以电力电子器件ＧＴＯ组件为例，对ＧＴＯ及电路常用元器件模型，缓冲电路分布电感的计算，电路方程的形成和求解以及缓冲电路参数的优化设计进行了研究，并建立了相应的ＣＡＤ软件包。     

适合于电路仿真的GTO等效模型

本文介绍了一种适合于电路仿真的ＧＴＯ开关模型，该模型是根据ＧＴＯ器件的外部特性，从器件主要参数建立的等效电路。仿真和实验结果的对比说明，该模型具有一定的实用性。     

GTO驱动电路的设计

本文通过对ＧＴＯ晶闸管门驱动要求的分析，给出了其驱动电路及供电电源的设计方法。     

IGCT和IEGT——适用于STATCOM的新型大功率开关器件

硬驱动概念的出现极大地改进了门极可关断晶闸管（ＧＴＯ）的关断性能,并导致了集成门极换向型晶闸管（ＩＧＣＴ）的出现。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用新技术集成了硬驱动门极驱动电路及反并联二析管。使器件不需关断吸收电路、可靠性更高、工作频率更高、易于串联工作．电子注入增强门极晶体管（ＩＥＧＴ）是东芝公司于１９９３年开发出的一代电力电子器件。它具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的将逐步取代ＧＴＯ广泛应用于中等电压大容量变流器中,文中简要地介绍了ＩＧＣＴ和ＩＥＧＴ的基本结构、工作原理、性能比较,以及在静止补偿器和逆变器中的应用情况。     

新型阳极短路环的大功率GTO

采用新型阳极短路环的发射极结构，开发出１０００Ａ，２５００Ｖ和２０００Ａ，２５００Ｖ大功率阳极短路型ＧＴＯ。本文给出该元件的设计原则，制造工艺 ，通态损耗与关断损耗的最佳折衷结果。Ｇ     

新型功率器件（IGCT）的工作原理及其设计技术

阐述了新型功率半导体器件－－集成门极换向型晶闸管ＩＧＣＴ（ＩｎｊｔｅｇｒａｔｅｄＧａｔｅ Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）的基本工作原理和关键设计技术。ＩＧＣＴ在ＧＴＯ技术的基础上,采用硬驱动技术,集成其门极驱动电路和反并联二极管,省去了吸收电路,兼具ＧＴＯ爱损耗低和ＩＧＢＴ关断均匀的特点。由于其开关频率高,易于串联,故适合在中电压大功率领域使用。