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DS1243Y是DALLAS公司生产的内含实时时钟的存储器芯片 ,该芯片内含8kBytesNVRAM、内置式(built-in)实时时钟、嵌入式(embedded)锂电池和32768Hz晶振。文章介绍了DS1243Y的性能特点及使用方法 ,给出了它和AT89C51的接口电路及读、写实时时钟的子程序 相似文献
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DS3070W是Dallas公司最新推出的单片、内含实时时钟的非易失性静态存储器.该器件内部集成了16 Mb NV SRAM、非易失性控制器、实时时钟和一个锂锰(ML)可充电电池.介绍了DS3070W的性能特点及工作原理,给出了它与AT89C51的典型应用电路及子程序. 相似文献
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FRAM是一种新型非易失性存储器,这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制,本文介绍其基本工作原理和结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。 相似文献
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引言 本世纪末,存储器市场的预测表明,存储器将占集成电路总市场份额的二分之一。 当然,这个市场的主要部分是由DRAM所占有,但与此同时,非易失性存储器(NVM)显得越来越重要,它们将占总市场的11%。在非易失性存储器市场中,闪速存储器预计占60%以上的份额。事实上,闪速存储器对整个非易失性存储器市场来讲将成为非常重要的分支。 相似文献
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面向纳电子时代的非易失性存储器 总被引:1,自引:0,他引:1
Roberto Bez 《电子设计技术》2010,17(3)
目前,业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研,其中一类是基于无机材料的存储器技术,如铁电存储器(FeRAM)、磁阻存储器(MRAM)或相变存储器(PCM),另一类存储器技术则基于有机材料,铁电或导电开关聚 相似文献
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详细说明了ONO结构在ETOX和SONOS两种存储管中的应用,分析了EEPROM和Flash中存储阵列的结构和工作原理,介绍了ONO结构应用的新进展。文中也提及了作者在ONO结构应用方面所作过的一些工作。 相似文献
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ADSl244是一个具有24位有效分辨率、电流损耗90mA、简单两线串行接口的自校准△-∑A/D转换器,可以应用在手持仪表、便携式医疗设备及称重等场合。本文概述了它的结构、工作原理及其在电子称中的应用。 相似文献
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介绍了DALLAS公司的实时时钟芯片DS14287的引脚功能及片内寄存器,并结合该时钟芯片在排队机系统中的硬件电路,详细说明了DS14287的电路设计及编程方法。 相似文献
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DS1315是DALLASSEMICONDUCTOR公司生产的不占存储空间的隐含实时时钟芯片 ,它包含有实时时钟和存储器非易失控制逻辑。当检测到一个特定的64位码型时 ,它将禁止访问存储器,而去访问时钟。文中给出了DS1315的内部结构、特点及引脚功能 ,并对其时钟部分和非易失性控制作了详细介绍 ,最后给出了具体的连接图和驱动程序 相似文献
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DS1075是Dallas Semicondactor公司生产的高效振荡器(Econ Oscillator),它内含振荡器及分频链,可为8051单片机系列提供最适合的时钟频率和很高的时钟精度。文中介绍了DS1075的基本特点,给出了利用DS1075K编程/评估板对DS1075进行编程的连接图以及DS1075与8051单片机的时钟配置连接电路。 相似文献
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在简单介绍串行时钟芯片DS1307的基础上,介绍了时钟电路的RS485接口设计.本文所设计的时钟电路具有体积小、抗干扰性能强、通用性好、调时方便等特点。 相似文献
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数字温度传感器DS18B20的原理与应用 总被引:5,自引:0,他引:5
文章简要介绍了DALLAS公司生产的一线式数字温度传感器DS18B20的基本原理、功能特点及工作时序,给出了DS18B20与单片机接口的软件编程实例。 相似文献