MOVPE生成AlGaInAs/InP应变量子阱材料研究

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)设备生长了AlGaInAs压应变量子阱材料、应变补偿量子阱材料并进行了材料特性的测试,通过二次离子质谱仪(SIMS)的测试讨论了材料中氧含量对材料特性的影响,通过采用高纯原料和纯化载气,生长出了较高质量的AlGaInAs应变量子阱材料氧含量小,光荧光强度大(25mW,PL=0.3),光荧光谱线窄(FWHM=31meV)。     

分子束外延GaAs／AlGaAs量子阱材料

采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱和多量子阱材料，采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓部层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器，波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下一光功率大于２０ｍＷ。     

InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。     

量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究

本文阐述了分子束外延（ＭＢＥ）技术的特点以及在实现大面积均匀的超薄外延层生长中的应用。利用进口ＭＢＥ设备，实现了单量子阱（ＳＱＷ）和多量子阱（ＭＱＷ）半导体激光器外延片的生长，并对外延片的电学和光学特性进行了测试和分析。     

InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器的研究

利用金属有机化合物气相沉积 (MOCVD)技术 ,研制出了高质量的InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱激光器 ,其有源区采用了分别限制单量子阱结构 (SCH -SQW) ,利用该材料做出的半导体激光器的连续输出功率大于 1W ,峰值波长 91 0nm± 2nm。     

高特征温度应变量子阱激光器材料设计与生长

为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高,波长飘移,发光效率下降等问题,设计并生长了一种具有高特征温度A lInGaAs/A lGaAs应变量子阱激光器。首先从理论上剖析影响半导体激光器特征温度的主要因素。分析了这四个因素与器件的材料和结构的关系。通过综合考虑各个因素,选用了A lInGaAs四元系统作为有源材料,优化设计出了高特征温度的半导体激光器结构,并用MBE设备生长这种结构,测试样品质量达到了设计要求。