用AES／XPS对异质结材料的研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）结合氩离子溅射深度剖析对一系列不可Ｘ值的ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ异质结材料中各主元素的分布及化学状态物相对含量的变化进行了分析，发现Ａｌ向表面偏析的现象及Ａｓ和Ａｌ的择优溅射问题，并对此进行了讨论。同时用ＸＰＳ法进行了Ａｌ的定量分析，并与光致发光法（ＰＬ）测得的ｘ值进行了对比，发现二者有非常好的线性关系。     

GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．     

GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．     

S_2Cl_2钝化的GaAs表面的同步辐射光电子能谱研究

前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物．ＡｓｘＳｙ是其中的主要成分，但轻度退火就能去除．随着退火过程中Ｓ原子从Ａｓ－Ｓ转移到Ｇａ－Ｓ，Ｇａ３ｄ谱中始终出现两个与Ｇａ－Ｓ相关的分量，表明稳定的钝化同表面Ｇａ－Ｓ键的存在联系在一起     

生长在GexSi1—x（001）衬底上应变GaAs层的光学性质

采用紧束缚方法计算了生长在ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）衬底上的应变ＧａＡｓ层带间光跃迁的振子强度以及三次非线性光极化率，讨论了振子强度及三次非线性光极化率随衬底合金组分Ｘ的变化关系，计算结果表明，对所有Ｘ值，ｆｈｃ＝０，ｆＨＣ，ｆＬＣ及ｆＳＣ随Ｘ的变小而变小，ｆＬｃ及ｆＳｃ随Ｘ的变小而变大。对ｎ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１），应变使Ｘｘｘｘｘ变小，对ｐ型ＧａＡｓ／ＧｅｘＳｉ１－ｘ（００１）应     

高电子迁移率GaAs／Al_xGa_（1－x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究

本文采用三角附近似，考虑了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－）ｘＡｓ二维电子气（２ＤＥＧ）异质结中七种主要的散射机制，计算了２ＤＥＧ电子迁移率与隔离层厚度（ｄ）和Ａｌ组分（ｘ）的关系，对ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ（１－ｘ）ＡＳ异质结的结构参数进行了优化分析．就作者所知，本文首次计算了２ＤＥＧ电子迁移率与Ａｌ组分ｘ的关系，得到了与实验规律一致的结果．     

气态源分子束外延InP和InAs基Ⅲ－Ⅴ族化合物材料

本文简要报告我们气态源分子束外延实验结果．材料是ＧａＡｓ（１００）衬底上外延的晶格匹配的Ｉｎｙ（Ｇａ１－ｘＡｌｘ）１－ｙＰ（ｘ＝０～１，ｙ＝０．５），ＩｎＧａＰ／ＩｎＡｌＰ多量子阱；在ＩｎＰ（１００）衬底上外延的ＩｎＰ，晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ以及ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ／ＩｎＡｓＰ多量子阱，ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡＳＨＥＭＴ等．外延实验是用国产第一台化学束外延（ＣＢＥ）系统做的．     

磁隧穿振荡研究GaAs／AlAs双势垒结构中的Γ—X电子态混合

报道了非对称ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ双势垒结构（ＤＢＳ）中的Γ－Ｘ－Γ磁隧穿振荡现象，用磁场倒数周期求得ＡｌＡｓ层中Ｘ谷和ＧａＡｓ层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好，良好的振荡特性可作为定量研究Γ－Ｘ耦合强度的灵敏的实验办法。     

S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的     

AlxGa0.51—xIn0.49P中Al的组分研究

本文利用椭圆偏振光谱法测量了用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＡｌＧａＩｎＰ及ＡｌＧａＩｎＰ掺Ｓｉ两个样品,在可见光区室温下的光学常数,求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论（ＥＭＡ）和线性内插法计算了样品中Ａｌ的组分,并与Ｘ射线微区分析法（能谱法）的测量结果加以比较,三者结果相符。     

自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的发光特性

采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜,对两种不同类型掺杂薄膜的低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明,二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征,自然掺杂薄膜的光致发光谱在404.0 nm处出现了由于锌空位产生的近带边发光,N-Al共掺杂薄膜的光致发光谱在383.0 nm处出现了N作为受主的施主-受主对(DAP)跃迁发光。两种薄膜的发光特性比较分析表明,N-Al共掺杂技术能够有效提高N的固溶度,N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主-受主对跃迁发光,表明该技术为实现p型ZnO薄膜制备的有效方法。     

溅射ZnO薄膜钝化GaAs表面性能的研究

为了改善GaAs(110)与自身 氧化物界面由于高表面态密度而引起的费米能级钉扎(pinning)问题 ,提出采用射频磁控溅射技 术在GaAs(110)衬底上沉积一定厚度 ZnO薄膜作为钝化层,并利用光 致发光(PL)光谱和X射线光电子能谱(XPS) 等方法对ZnO薄膜的光学特性及钝化性能进行表征。实验结果表明,经ZnO薄膜钝化后的 GaAs样品,其本征PL峰强度提高112.5%,杂质峰强度下降82.4%。XPS光谱分析表明,Ga和As原子的比值从1.47降低 到0.94,ZnO钝化层能 够抑制Ga和As的氧化物形成。因此,在GaAs表面沉积ZnO薄膜是一种可行的GaAs表面钝化 方法。     

厚膜集成精密线性热敏电阻器及其应用

介绍厚膜集成ＮＴＣ热敏电阻器的设计原理、主要特性和特点。在０～１００℃的温区内，线性偏差≤０．２５％，灵敏度为４０～５０Ω／℃，互换精度达±０．５℃。为家电产品和生产设备的数字化和微机化推出了新型ＮＴＣ元件。     

含铝的富硅二氧化硅薄膜的发光特性及结构

采用双离子束共溅射技术制备出掺铝的富硅二氧化硅复合薄膜(A1SiO)，采用荧光分光光度计对样品进行PL测试表明：A1SiO复合膜共有三个发光峰，分别在370nm、410nm、510nm处。发光峰的位置随铝含量的变化基本上没有改变，峰强随铝含量有变化，且510nm处的峰强随铝含量增加而增强。PLE结果表明：370nm和410nm的PL峰与样品中的氧空位缺陷有关，而510nm的PL峰则是由于铝的掺入改变了样品中的缺陷状态所致，是Al、Si、O共同而复杂的作用。     

Ethylene glycol assisted hydrothermal synthesis of graphene sheets supporting CdS nanospheres for quenched photoluminescence

In this paper, we report the obtention of graphene–cadmium sulfide (G/CdS) nanocomposites were successfully synthesized by the ethylene glycol assisted hydrothermal method. The structure and composition of the obtained nanocomposites were confirmed by means of X-ray diffraction (XRD), scanning electronic microscopy (SEM), transmission electron microscopy (TEM), Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and photoluminescence (PL) measurements. XRD patterns showed that the CdS nanospheres belong to hexagonal structure. SEM and TEM images suggested a homogeneous distribution of CdS nanospheres coated on the graphene sheets successfully. FT-IR and XPS analyses indicated that GO has been simultaneously reduced to graphene nanosheets during the deposition of CdS nanocomposite. Moreover, PL investigations demonstrated that the G/CdS nanocomposites displayed significant decrease in PL emission compared with the corresponding sphere-like CdS nanoparticles. The investigation gave a promise to the development of original yet highly efficient graphene oxide-based novel electrode material in optical detectors.     

生长在（311）A面GaAs衬底上的InAlAs／AlGaAsⅡ型量子点的光致发光研究

测量了生长在（311）A面GaAs衬底上的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As自组织量子点光致发光谱,变激发功率和压力实验证明发光峰是与X能谷相关的Ⅱ型发光峰,将它指认为从Al0.5Ga0.5As势垒X能谷到In0.55Al0.45As重空穴的Ⅱ型跃迁,高温下观察到的高能峰随压力增大向高能方向移动,认为它来源于量子点中Г能谷与价带之间的跃迁,在压力下还观察了一个新的与X相关的发光峰,认为它与双轴应变引起的导带X能谷劈裂有关。     

A study of the damage on FIB-prepared TEM samples of AlxGa1-xAs

The damage produced by focused ion beam (FIB) milling on a TEM sample of AlGaAs crystals has been studied. The damage observed on the sidewall of an AlGaAs transmission electron microscopy (TEM) sample was an amorphous layer. The thickness of the amorphous layer linearly increased with an increase in FIB accelerating voltage from 5 to 30 kV. The thickness of the amorphous layer of Al(x)Ga(1-x)As was constant at 3 nm and was independent of the Al concentration x when the accelerating voltage was below 5 kV. The thickness of the amorphous layer of Al(x)Ga(1-x)As decreased with an increase in Al concentration x when the accelerating voltage was above 5 kV. FIB milling at 5 kV effectively minimizes the thickness of the amorphous layer and also provides flat sidewalls on multilayer samples of Al(x)Ga(1-x)As that are prepared for TEM and scanning electron microscopy (SEM).     

非晶SiOx薄膜的制备及光学特性的研究

采用双离子束共溅射方法制备了SiOx薄膜,XRD和TEM的分析表明SiOx薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO1.90的形式存在于薄膜中。其中吸收谱呈现了明显的吸收边蓝移现象,且随薄膜厚度的增加,光吸收谱中出现了较明显的宽化的吸收峰。在室温下观察到了可见光致发光（PL）现象,探测到样品有四个PL峰,它们的峰位分别为－320nm、－410nm、－560nm和－630nm,且峰位和峰强不随膜厚的增加而发生变化。     

质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整

摘要　本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5×10