直流偏置电流对钴基非晶带环形磁芯巨磁阻抗效应的影响

将近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应.激励电流频率f＞100kHz时,阻抗随圆周磁场的变化呈现对称双峰曲线;最大阻抗变化率（GMI）max随频率的升高而增大,当频率f=2MHz,幅值Ip=10mA时,（GMI）max=57%.直流偏置电流改变了非晶带横向磁导率,造成阻抗变化的不对称.偏置电流较小时,阻抗变化曲线的一边峰值得到加强,另一边峰值减弱;偏置电流较大时,两峰值都被削弱.阻抗变化的不对称性与激励电流的频率和直流偏置电流大小有紧密联系.     

Co-Fe-Ni-Nb-Si-B非晶软磁合金薄带巨磁阻抗效应

研究了Ｃｏ－Ｆｅ－Ｎｉ－Ｎｂ－Ｓｉ－Ｂ非晶软磁合金薄带的磁性和巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应。样品在３５０℃下退火６０ｍｉｎ后获得了最佳的软磁特性,并表现出优良的ＧＭＩ效应。在１．４ＭＨｚ的交变电流频率下,获得了最大的ＧＭＩ效应,磁阻抗比ΔＺ／ＺＳ＝（Ｚ０－ＺＳ）／ＺＳ最高可达１９２％。在低频下得到了显著的巨磁电感效应,在１００ｋＨｚ下,磁电感比达到７６９％。在高频下,材料表现出优良的巨磁电阻效应,在１３     

玻璃包覆钴基非晶细丝的巨磁阻抗研究

深入研究了玻璃包覆的成分为Ｆｅ６８．２５Ｃｏ４．５Ｓｉ１２．２５Ｂ１５,直径为２５ｕｍ的非晶细丝的巨磁阻抗效应。在频率为０．１～１２ＭＨｚ,磁场在０～５．２ｋＡ／ｍ的范围内测量了交流磁电阻、磁电抗、磁阻抗对频率及磁场的依赖关系。发现该细丝材料的巨磁阻抗ＧＭＩ（Ｚ）值在测量频率范围内随频率增大而增大。     

复合焦耳处理对Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

本文研究了复合焦耳处理对Co68.15Fe4.35Si12.5B15非晶薄带巨磁阻抗效应的影响。实验结果表明：经前段电流密度10A／mm^2,后段电流密度30A／mm^2的复合焦耳处理后样品获得了最大的GMI效应。在8MHz的交变电流频率下,最大磁阻抗比为217％,灵敏度为114％／Oe,比淬态下的最大磁阻抗比和灵敏度均有明显提高。复合焦耳处理是提高材料GMI效应的一种新型的而且十分有效的方法。     

磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响

本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗（GMI）效应的影响，样品在不同条件下进行了退火热处理，结果表明，在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性，从而得到了最大的GMI效应，在800KHz的交变电流频率下，得到了236%的最大磁阻抗比，在低场下，材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT。     

钴基非晶合金薄带应力阻抗效应的研究

通以高频交变电流的钴基非晶带在弯曲时，由于受到应力作用而具有显著的应力阻抗效应，实验中所用的材料是经过适当脉冲电流退火的钴基非晶合金薄带Co66.3Fe3.7Si12B18。研究了阻抗变化率随非晶带弯曲程度的变化关系以及交流电流幅值和频率对非晶带应力阻抗效应的影响。实验结果表明，在弹性体末端位移为正方向时，非晶带具有负的阻抗变化率，而位移方向为负时，具有正的阻抗变化率，且都随位移的增加而增大。在位移一定的情况下，阻抗变化率随着频率的增加先增大后减小，随电流大小的变化关系也具有这种趋势。     

Fe-Cu-Nb-Si-B快淬薄带中的巨磁阻抗效应

在Fe-Cu-Nb-Si-B材料中适当增加Cu的含量，可以使淬态薄带纳米化。随薄带中Cu含量的增加，在淬态薄带Fe74.5-xCuxNb3Si13.5B9中可观察到巨磁阻抗效应的增强现象。高Cu含量（x≥2）试样的磁导率的变化率要远大于低Cu含量（x≤1．5）试样的相应数值。磁导率变化的大小与磁阻抗效应相关。高Cu含量有效增加了软磁α-Fe（Si）立方相的成核，提高了淬态薄带材料的软磁性。     

矩形脉冲电流退火与激励电流对Co基非晶带巨磁阻抗效应的影响

利用矩形脉冲电流对Co_(66.3)Fe_(3.7)Si_(12)B_(18)非晶带进行退火处理,研究了退火电流密度对非晶带巨磁阻抗效应的影响,同时研究了激励电流频率对退火处理后的非晶带巨磁阻抗效应的影响。结果表明,该非晶带的特征频率为1.4 MHz。最大巨磁阻抗所对应的磁场随激励电流频率的增加逐渐向高磁场方向移动。     

复合非晶丝的巨磁阻抗效应分析

研究了外层为NiFe层，里层为Ag丝的复合结构材料的巨磁阻抗效应，发现复合丝在较低频率下就有较大的阻抗变化值。同时推导了外场小于各向异性场时具有网周各向异性的复合丝的阻抗表达式，并讨论了各结构参量对巨磁阻抗效应的影响。发现材料的巨磁阻抗效应强烈依赖于复合丝铁磁层的厚度；而导体层和铁磁层的电导率相差越多则材料的巨磁阻抗效应也越大。     

FeSiB非晶薄带的磁阻抗效应

研究了频率、磁场强度、线圈匝数以及退火对Fe78Si9B13非晶薄带的磁阻抗效应的影响。结果表明:阻抗随频率的升高和线圈匝数的增多而增大,随磁场强度的增大而减小;阻抗变化幅度随频率的升高、磁场强度的增大和线圈匝数的增多而增大;退火可以提高阻抗及阻抗变化幅度。     

Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应研究

本文研究了直流焦耳处理对Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应的影响.随着处理电流的增大,阻抗最大变化率随之增加,直到最佳处理条件为70mA,阻抗最大变化率为282%.处理电流值进一步提高,阻抗最大变化率下降.本文还研究了偏置电流对经过70mA直流焦耳处理的C021.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15玻璃包覆非晶丝巨磁阻抗效应的影响.随着偏置电流的增加,非对称性逐渐增强,直到偏置电流为2mA;当偏置电流继续增大时,非对称性逐渐减弱.     

脉冲电流处理对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金薄带GMI效应的影响

本文研究了脉冲电流处理对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金薄带巨磁阻抗效应和脆性的影响,并与等温退火样品的巨磁阻抗效应和脆性进行对比.结果表明,经过应力脉冲电流处理后的样品,其阻抗变化率和灵敏度都显著高于无应力脉冲处理后的样品.淬态样品在9.34MPa拉应力下,经电流密度为930A/mm2的脉冲电流处理后,阻抗变化率可达到220%,灵敏度达到0.35%/A·m-1.用应力脉冲电流处理不仅可以显著提高巨磁阻抗效应,而且可以有效抑制样品长时间的等温退火带来的脆性问题.     

Fe_(4.5)Co_(67.5)Nb_(0.5)Mn_(0.5)Si_(12)B_(15)丝材中的巨磁阻抗效应

报道了淬火态Fe45Co675Nb05Mn05Si12B15丝中GMI效应,发现淬火态非晶丝GMI(Z)=|(Z(65Oe)-Z(0))/Z(0)|可高达73%。我们也对简单退火下对Fe45Co675Nb05Mn05Si12B15钴基材料中GMI效应的影响也进行了深入细致的研究,发现GMI峰值随退火温度从300℃增加到450℃而先上升,达到一个最大值,然后下降。350℃退火的效果较佳。同时发现低于1MHz时,淬火态对应的GMI效应优于退火态的值,而高于1MHz时,350℃退火材料的GMI(Z)值相应的要高。     

电流密度对电镀铁-钨非晶合金镀层的影响

利用电镀技术在钢基体表面制备了铁一钨非晶合金镀层.采用SEM,EDS和XRD等方法分别研究了镀层表面形貌、成分和结构随电流密度的变化规律,获取了不同电流密度下的阴极电流效率、镀层厚度和显微硬度.研究表明:随着电流密度的增加,镀层颗粒和孔隙增大,且孔隙有增多的趋势,钨含量略有降低,阴极电流效率降低,镀层增厚且硬度降低.此外,还分析了电流密度的改变引起镀层形貌、钨含量、阴极电流效率、镀层厚度和硬度发生变化的原因.     

退火工艺对FeCuNbSiB非晶薄带的磁感应效应的影响

研究了频率、磁场及退火工艺对Fe73.5Cu1Nb3Si3.5B9非晶薄带的磁感应效应及磁感应效应变化幅度的影响。结果表明：非晶薄带的磁感应效应随着频率的升高而增强,随磁场的增强而减弱;非晶薄带的磁感应效应变化幅度随磁场的增强而增大,随频率的升高而减小;与淬火态非晶薄带相比,退火可以提高非晶薄带的磁感应效应变化幅度。且经300℃×1h退火后非晶薄带的磁感应效应变化幅度最大,当测试频率为0．8MHz时,磁场为1412A／m时。淬火态非晶薄带的磁感应效应变化幅度为1．50V,经300℃×1h退火后非晶薄带的磁感应效应变化幅度为1．77V。     

低频脉冲电流退火对CoFeSiB非晶薄带巨磁阻抗效应的影响

研究了经不同低频脉冲电流密度退火的Co66.3Fe3．7Si12B18非晶薄带的巨磁阻抗（GMI）效应。结果表明，在低频脉冲电流下，巨磁阻抗效应的大小与退火电流密度密切相关。非晶带的GMI变化率△Z／Z先随退火电流密度的增加而增强，当电流密度为104A／mm^2时，△Z／Z达到最大值53．8％，此后随电流密度增大，GMI变化率开始减小。对脉冲电流退火影响巨磁阻抗效应的机制作了定性分析。并分析了由脉冲电流退火在材料内感生的横向各向异性场凤对GMI效应的影响，发现HK有利于提高GMI效应的峰值，但同时存在一个临界值，当超过这个值时，GMI效应的峰值减弱。