太阳能电池的新材料——氟系无定形硅膜

日本工业技术院电子技术综合研究所的另件基础研究室研制成氟系无定形硅膜,作为太阳能电池的新材料。氟系无定形硅与以往的结晶硅及氢系无定形硅相比,光转化率高二倍以上,而且能     

转换效率达到6.2％的无定形硅太阳电池

最近,美国能量转换器件公司(ECD)已研制出一种无定形硅的太阳能电池,其转换效率达至6.2％。今年年初,美国的Arco太阳能公司与ECD公司共同拟订了一项价值为二千五百万美元的合同,决定由ECD公司首次提供这种无定形硅电池。     

光使无定形硅达到了一个新水平

在硅烷气中进行辉光放电所生产的无定形硅,看来是生产便宜而有效的太阳能电池的最有前途的材料之一。与预料相反,发现用硼或磷等杂质进行硅的掺杂可以产生可控的半导性能,正如结晶硅在材料中引起的广泛兴趣一样。最近,美国新泽西州     

硅/硅键合新方法的研究

研究成功用Ⅳ族元素锗进行硅／硅键合的一整套新技术（代替通用的亲水法）;实现了键合层无孔洞,边沿键全率达９８％以上,键合强度达２１５６Ｐａ以上,并通过在锗中掺入与低阻同型号的杂质,实现了应力补偿。     

高纯纳米无定形硼粉的制备研究

本文采用等离子体技术制备了高纯纳米无定形硼粉, 对不同氢气与 BCl3 气体流量比例、 反应气体总流量 及冷却气流量等工艺参数对纯度、 粒度及晶型的影响进行了探究。 结果表明, 在一定范围内, 硼粉纯度随着 H2 通入量在 BCl3、 H2 通入量比例中的上升而增加, 硼粉粒度随着反应气体（BCl3 和 H2） 总通入量和冷却气流量的 上升而下降, 硼粉晶型随着冷却气流量的上升从晶体硼逐渐转变为无定形硼。 通过上述影响规律, 确定 BCl3、 H2 通入量比例 1:4、 反应气体总通入量 2.25 m3/h、 冷却气流量 0.9 m3/h 为较优工艺参数, 通过确定的较优工艺参数制 备高纯纳米无定形硼粉, 获得了纯度高达 99.97 wt.%、 主粒径 30~100 nm、 平均粒径 51.06 nm 的硼粉。     

铝硅合金低温加硅研究

扼要介绍了铝硅合金生产中的五种熔配工艺,以共晶型与过共晶型两种不同牌号的铝硅合金为例阐述了低温加硅熔炼技术,获得了最佳工艺,该方法质量稳定、节约能源、环境友好。     

高硅锰硅合金冶炼新方法研究

通过对现行高硅锰硅合金在冶炼原理和工艺制度上的剖析,找到了冶炼困难的主要原因——电制度欠合理及混合料入炉而形成的以硅酸锰为主导的各种反应、因炉温低而生成的"MnO+C+SiO₂+C+MnSiO₃+C+熔渣"共熔体,阻碍和限制了Si、Mn的直接还原,造成了其熔体处于难控制、难调整状态,而要从其中还原Si、Mn较为困难。新的高硅锰硅冶炼方法,从原工艺理论上进行了阐述,采取了相应的措施,达到了"提Si保Mn降C"的目的。     

砷化镓外延片、无定形硼粉、硅太阳电池技术鉴定会

在上海市经委、科委和上海市冶金局的关怀和直接参加下,上海第二冶炼厂于1980年12月23日～24日召开了砷化镓外延片、无定形硼粉,硅太阳电池三个新试、科研项目技术鉴定会。49个单位共101名代表参加了会议。     

低温电沉积硅工艺研究进展

半导体硅的传统制备工艺主要有直拉法、区熔法及气相沉积法等,这些制备工艺都需要在高温下进行,且涉及到大型设备,制备成本较高,操作较为复杂。采用低温电沉积法制备硅具有简单可控、低成本的特点,因而受到了研究者青睐。主要从电极、溶剂的选取及电沉积方法等方面阐述了低温电沉积硅工艺研究现状,同时对低温电沉积硅存在的问题和发展趋势进行了讨论。     

制备细铜粉的新方法

以铜精矿为原料,通过活化预处理,采用超声场辅助矿浆电解的方法直接将铜精矿制备成平均粒度小于10μm的细铜粉。采用高能球磨方法对铜精矿进行预处理,分析了预处理后铜精矿粒度和结构的变化;讨论了电解温度对铜浸出率和铜粉粒度的影响规律;研究了电流密度和超声波对铜粉粒度和比表面积的影响;研究了抗氧化处理后铜粉纯度及形貌的变化。结果表明:铜浸出率和铜粉粒度随着电解温度的升高而增加;电流密度的增加有利于细铜粉的形成;超声波可以明显地改善细铜粉的分散性能;铜粉经油酸和丙酮的表面改性处理后,纯度和抗氧化性能得到提高。     

包硅和铝膜的钛白粉

将二氧化钛颜料用下述工艺进行湿法处理，可以改进制备二氧化钛的性能，使其有高的不透光性和在液本涂料溶剂中具有良好的分散性，该工艺中，０．５～２５（ｗｔ）％（以下ＴｉＯ２重量为基准）的致密二氧化硅沉积在ＴｉＯ２上形成致密而粘着的膜，随后０．１～１０（ｗｔ）％的Ａｌ２Ｏ３再在已包硅膜的颜料的水浆料中沉积，处理过的颜料予以回收，干燥，最好再干磨一下，用这样成品颜料做成的油漆有突出的光洁度，在室外暴露下有食     

湿法化学制备的超薄和极薄二氧化硅/硅膜的光学性能研究

二氧化硅薄膜至今依然属人们广泛研究的材料,这是因为当这种材料制备为高质量的超薄、极薄的氧化物时,可实际应用于不同方面,如超大规模集成电路（VLSI）的栅氧化层以及液晶显示屏（LCD）的生产。本文考察了厚度为3 nm和5 nm的极薄二氧化硅层的结构性质,这些薄层是通过适度掺杂n-型硅（100）晶片而形成。在形成氧化层之前用标准RCA方法清洁,并随后在氮气氛围中退火,部分样品在HCN溶液中钝化。本研究中用傅立叶变换红外光谱（FT-IR）技术获取了复合结构中不同类型的化学键信息。对SiO₂钝化试样和非钝化试样中的Si-O-Si的不对称伸缩振动分别用纵光(LO)和横光(TO)模式进行了鉴别,发现TO模式位置（约1 107 cm^-1）和振幅与试样的厚度无关。另一方面,LO模式的位置从约1 230 cm^-1（厚度约为1.5 nm）改变为1 244 cm^-1 左右（厚度约为4.5 nm）。根据红外光谱峰的偏移,认为超薄和极薄SiO_x复合结构并不均匀。对红外光谱获得的结果进行了反褶积处理并获取相关信息。用次级离子质谱分析法（SIMS,Secondary Ion Mass Spectrometry）考察了试样的原子组成,发现NH键的数量也与技术条件相关。基于记录的试样X-反射率数据的理论处理结果,用原始方法确定了材料的结构性质、层密度、表面粗糙度以及相应界面,并将所得结果与原子力显微镜所获得的结果进行了对比和讨论。借助于深能阶瞬态光谱学中的电荷变形,证实HCN溶液对二氧化硅/硅界面密度的强钝化影响。钝化后,发现新形成的界面深处缺陷阱其密度可以忽略不计,这是因为其形成原因与钝化过程中在界面处引入的NH原子对存在相关。     

氧化铟纳米粉的低温制备

本文探讨了一种ITO纳米粉的低温、易于量产的制备方法。将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜内,在300℃、2MPa的条件下就可制得ITO的纳米颗粒。用XRD、透射电镜分析ITO纳米颗粒的形貌和粒径以及结晶状况。与其他方法进行对比,本方法反应条件更加柔和,且可以达到量产,有利于推广应用。     

硅外延的新工艺——低温液相外延

据报道,最近西德马克斯——布朗克固体研究所,已研究了一种在Ga溶液中液相外延硅的新方法,与汽相外延及一般液相外延法比较,此法具有更低的沉积温度,较高的沉积速率,品格缺陷密度低和少子寿命较高等优点。该工艺简述如下:采用浸溃法,最大的衬底尺寸     

测量氧化膜生长应力的新方法

基于悬链线模型,详细地介绍了一种用于测定氧化膜生长应力的新实验方法。它的优点在于不必给试样单面施加抗氧化涂层,不需要研究材料的蠕变性质,也不必讨论试样的形变属于弹性形变还是属于塑性形变。     

硅纳米线制备方法研究进展

硅纳米线是重要的半导体一维纳米材料,伴随着硅作为下一代锂离子电池理想负极以及作为半导体材料在光电化学领域的研究热潮,实现硅纳米线高效、低成本、可控制备成为研究的重点。本文介绍了现阶段硅纳米线制备的主流技术及相关研究进展。     

致密Mo-Si-B合金制备的新方法

对高温结构材料Mo-Si-B合金的研究越来越热.Mo-Si-B合金优异的抗氧化性,抗蠕变,断裂韧性,组织性能稳定和使用寿命长被认为是未来新一代的航空发动机结构材料和高温抗氧化涂层材料的发展方向.本文在研究当前国内外制备Mo-Si-B合金各种方法的基础上,提出了一种新的方法制备Mo-Si-B合金.结果表明,新方法制备的Mo-Si-B合金的致密性达99％以上.     

制备太阳能级电池的新方法

美国马萨诸塞州塞勒姆的结晶装置公司目前销售一种正方形太阳能级单晶硅片,这些硅片通过该公司的热交换器法(HEM)制得,可制成高效太阳能电池,将太阳光转变成电能。 采用HEM硅制成的太阳能电池的光—电转换效率与半导体晶片相当并且比多晶浇铸工艺所达到的效率高得多。目前的直拉法制得的晶片直径为4—     

硅钛摩尔比对熔盐电化学制备硅钛合金的影响

为研究硅/钛摩尔比对熔盐电解制备硅钛合金组分及形貌的影响,以等摩尔比的CaCl2-NaCl熔盐为电解质,通过改变电解原料中硅/钛摩尔比,在槽电压2.4 V、电解温度700℃下电解5 h获得电解产物。结果表明,当硅/钛摩尔比分别为20、25和50时,电解产物均为单质Si和TiSi2合金,微观形貌分别为50~100 nm纳米线和50~200 nm微粒混合、30~50 nm纳米线和100~250 nm微粒以及粒径0.2~2.5μm的块状颗粒。     

镁热还原法制备无定形硼粉绝热温度的计算与动力学研究

随B2O3过量系数γ的增加,Mg热还原B2O3反应3Mg(l) B2O3(l)=3MgO(s) 2B(s)的绝热温度(Tad)降低.当B2O3的过剩系数γ小于1.102时,反应才能以正常的自蔓延方式进行,此时该反应的绝热温度Tad等于1800K.由DTA曲线分析可知,该反应起始反应温度在750～810℃之间,属于液-液反应机制.通过计算可知:反应3Mg(l) B2O3(l)=3MgO(s) 2B(s)的表观活化能E=18.8kJ*mol-1,反应级数为n=0.7.