电子束与等离子体互作用产生的宽带微波辐射

近年来，电子束与等离子体互作用产生高功率宽带微波辐射，由于其具有可调谐等优点而受到国际上普遍关注，这一互作用过程的辐射机制目前大致分为等离子体辐射和电子束辐射两大类，本文在简介了有关实验情况后，对几种辐射机制，包括逆Ｃｏｍｐｔｏｎ散射，孤立子场中群聚电子的辐射，非线性等离子体电流引起的辐射等作了评述。     

电子束-等离子体系统激发太赫兹辐射的研究

电子束-等离子体系统是一种新型的高功率太赫兹源。本文综合评论了国内外对于该系统的一系列理论、仿真以及实验研究成果,全面地展示了该领域的研究状况。总结了该系统工作在太赫兹波段时的主要特征和优势,并根据不同的工作机理,对基于该系统的多种太赫兹源方案进行了分类介绍。最后对未来的发展方向以及关键问题进行了展望,为此类新型高功率太赫兹源的开发提出了建议。     

等离子体波导中电磁波的色散特性

本文对全部充满等离了体且有外加恒定磁场手圆柱波导的电磁波色散特性进行了分析，对原有的色散方程进行了修正，在色散图上提出了一种新的电磁波分类方法，南原有的波分类相比，这种分类更为合理，同时，通过对新的色散方程进行数值求解，发现了原有计算结果的一些错误。     

非均匀磁化等离子体中电磁波的反射

主要研究磁化、稳定、二维、非均匀等离子体中的电磁波反射,讨论各种等离子体参数对反射功率的影响,计算每一分层边界的反射系数,推导总反射功率,并得出反射功率取决于电子密度、碰撞频率以及入射波的传播角.其中非均匀等离子体用分层来模拟.假定每一分层的电子密度为常数,但总的电子密度服从抛物线分布.     

电磁波在气体放电快速产生的等离子体中传播

本文根据气体放电的平均电流密度表达式，通过解麦克斯韦和波关方程，求得了电磁波与气体放电快速产生的等离子体工作用时场的表达式。并对圆极化平面电磁波进行了讨论，得到场的表达式、反射和传输系数。     

运动等离子体中电磁波的相对论效应

本文给出了组成关系的Ｅ、Ｂ表示，导出运动介质中的波动方程及场量Ｅ、Ｈ纵分量满足的方程。对于电磁波垂直入射于向运动的等离子体介质表面，求得了反射波，透射波以及透射波的色散关系和频率关系，讨论了透射波的截止和反向及频率移动。对于脉冲波，演算得到了反射脉冲脉宽压缩和脉冲放大。     

电磁波在磁化等离子体上的反射特性研究

研究了垂直入射的平面电磁波在分层均匀磁化等离子体中的传播规律,对包覆在金属平板表面的一维线性非均匀磁化等离子体层的反射系数进行了数值计算,并对计算结果进行了讨论。     

Ka波段电磁波在大气等离子体中的透射特性

在大气环境模拟实验平台上,利用S波段高功率微波(HPM)击穿大气产生等离子体,开展Ka波段电磁波在等离子体中的传输特性实验研究,得到不同频率电磁波下等离子体传输衰减规律,并发现电磁波与大气等离子互作用呈现透射新颖现象：Ka频段透射增强或减弱呈振荡形式,透射增强最大增幅接近2倍,最大增强频点附近透射增强以周期性规律出现,间隔周期约为80 MHz。随着气压升高,透射增强现象仍然存在,但增强幅度随之减小。理论分析了可能引起透射增强的原因,该试验研究成果为HPM大气等离子体在隐身、黑障通信等方面的应用提供了可能。     

电磁波在等离子体中的传播衰减

针对通信黑障的问题,文中从电磁波在等离子体中的传播特性出发,利用Matlab数值仿真,研究不同电磁波频段,不同等离子体参数,包括等离子频率、碰撞频率、等离子温度、压强等对电磁波传播衰减的影响,以及外加磁场作用下,不同极化的电磁波在等离子体层的传播衰减特性。研究结果表明:外加磁场可明显降低圆极化电磁波衰减,并且当外加磁场满足一定条件,大于最小磁场强度时,电磁波衰减小于10 dB;且同等条件下右旋极化比左旋极化电磁波的衰减更小,为了获得较小的电磁波衰减,右旋极化电磁波所需的磁场强度也小于左旋极化。     

电磁波辐射问题的评价与探讨

电磁波辐射对环境的影响，日益成为人们所关心的话题，并越来越受到研究者的关注。怎样评价电磁波是不危害人体健康，如何避免和防护超标准有害的电磁辐射，是我们需要研究的新课题。     

电子束辐照制备钼酸锰纳米材料

在透射电子显微镜中,利用电子束辐照诱导的方法合成了钼酸锰片状纳米材料.研究发现在电子束辐照前,由于Mn、O等的相对含量不同样品可以分为两类.其中Mn和O含量较低的样品经电子束辐照后的产物为Mn2 Mo3 O8纳米片和MoO2纳米颗粒.而Mn和O含量较高的则主要生成六角结构的新相Mnx Mo3 O8.进一步分析发现,Mnx Mo3 O8的生成可能是因为样品中Mn相对含量较高,导致Mn、Mo和O原子层堆垛方式发生了改变.同时也初步确定了MnxMo3O8的晶胞参数为aH2=0.59 nm,cH2=6.24 nm.研究结果不仅提供了利用电子束辐照制备钼酸盐纳米材料的新方法,同时也促进了对钼酸锰材料的认识.     

利用增强等离子体谱线反演高精度电子密度

提出了一种基于非相干散射雷达(incoherent scatter radar,ISR)等离子体谱线提取高精度电子密度的方法.以欧洲非相干散射雷达科学联合会(European Incoherent Scatter Scientific Association,EISCAT)在2015年10月31日14:00—14:09...     

大轨道回旋行波放大器非线性理论及电子注偏心的影响

建立了大轨道电子注回旋行波放大器的非线性理论,并考虑了电子注偏心时的情况.利用该理论分别研究了大轨道电子注偏心对工作模式和返波振荡模式的影响.结果表明,对于工作模式,偏心导致放大器的平均单位长度增益下降,而对于返波振荡模式来说,偏心导致了可能存在的振荡模式发生变化,使得大轨道电子注偏心时的模式竞争更加复杂.     

Calibration algorithms for an electron beam metrology system

This paper discusses the general deflection system calibration problem that occurs in electron beam lithography and metrology systems.These systems generally have an X, Y stage whose position can be measured, but not set to a high degree of accuracy.The calibration problem involves aligning the coordinate system associated with electron beam deflection system to that of the X, Y stage, and measuring the deflection system sensitivity.Current commercially available examples of these systems include the Cambridge Instruments EBMF-6 electron beam lithography system and the EBMT-5 electron beam metrology system.     

基于波束空间的方向回溯阵列指向修正方法

针对方向回溯阵列中收发异频带来的波束指向误差, 提出了一种基于波束空间预识别的指向修正方法.从方向回溯阵列的一般模型出发, 推导频偏造成的波束指向误差, 并确定相位补偿量与接收信号角度的函数关系.通过阵元空间到波束空间的转换判断接收信号角度区间, 确定近似相位补偿量, 实现异频收发下方向回溯阵列指向误差的修正.仿真结果表明:修正后指向误差降低了一个量级并且抗噪声能力提升.相比现有方法, 本方法立足方向回溯阵列的基本架构, 实现简单, 补偿效果明显, 抗噪声能力强, 为方向回溯阵列在异频收发领域的应用提供了新思路.     

Joint beam selection and user association strategy for beam space millimetre wave downlink systems

Beam space multiple‐input multiple‐output (B‐MIMO) systems operating at mmWave frequency in downlink uses different beam selection techniques for reducing the required number of radio frequency chains without apparent performance loss. In this paper, a joint beam selection and user association scheme with the objective of sum rate maximization is proposed. The proposed work on beam selection is based on a norm and uncorrrelation based approach, which considers channel correlation among the users so as to avoid inter‐user interference. Two different methods for beam user association with one modelled as a balanced assignment problem based on average sum assignment method and the other method that associates an optimal beam to every user by considering their channel gain values are also proposed along with beam selection. The proposed beam assignment methods are less complex and efficient in finding a suitable beam to every user within the cell. Simulation results show that the proposed method accomplish comparable performance in terms of sum rate and energy efficiency with appreciably low computational complexity relative to the existing methods in a correlated environment.     

电子束光刻中邻近效应校正的几种方法

本文简要介绍了限制电子束光刻分辨率的主要因素之一-邻近效应的产生机制,列举了校正邻近效应的GHOST法、图形区密集度分布法和掩模图形形状改变法,介绍了每种方法的原理、步骤和效果,比较了它们各自的优缺点.     

定量会聚束电子衍射金属间化合物中微量元素硼的偏聚特性的电子结构研究

本文简要介绍了定量会聚束电子衍射方法及其优化算法；采用此方法研究了微量元素硼在金属间化合物NiAl和Co3Ti中导致的电荷密度重新分布及原子键合的变化，据此解释了硼对Ni3Al和Co3Ti的晶界偏聚的特性和力学性能的不同影响。     

Laser mechanism in the excitation of plasma oscillations by an incident electron beam

It has been shown that intense plasma oscillation could be excited through the coupling of two charged fluids with high relative velocities. Both classical and quantum mechanical treatment of the problem lead to the same conclusion, all giving a picture of a laser process in the exponential increment of the amplitudes of oscillations. Direct insight is afforded by the quantum mechanical treatment in that the self-stimulation of the modes of oscillation plays the essential role in the amplification. The appearance of a complex frequency in the solution of the secular equations in the classical treatment implies the existence of laser enhancement     

Irradiation effects on passivated NMOS-transistors caused by electron beam testing

Up to now for electron beam testing of passivated integrated circuits a high energetic electron beam is used, which shorts the passivation layer and enables the measurements of the voltage signals at the covered conductor tracks. Experiments at passivated NMOS-transistors show, however, that though using the lowest primary electron energy possible to build up the necessary conductive channel even low electron irradiation doses give rise to significant changes of the device characteristics. Therefore this way has to be excluded for electron beam testing of passivated integrated MOS-circuits.