磁控反应溅射氮化钛薄膜特性研究

氮化钛薄膜由于具有许多有用的特性而受到人们日益广泛的注意。许多不同方法都曾用来生长氮化钛薄膜,其中包括化学气相淀积、活化反应蒸发、反应磁控溅射、空心阴极放电、离子镀等。溅射淀积得到的氮化钛薄膜具有较低的电阻、较细的晶粒微结     

磁整反应溅射氮化钛薄膜特性研究

作者用圆形磁控溅射装置,在氩和氮的混合气氛下淀积氮化钛薄膜。卢瑟福背散射谱和俄歇电子谱分析表明薄膜的化学配比为TiN。X射线衍射仪和透射式电子显微镜分析显示此种薄膜为多晶结构,晶粒大小为50～200埃。分光光度计测量结果表明在0.5～16微米波长范围内,它的光学反射率与纯金薄膜相似。氮化钛薄膜的电阻率为40～100微欧·厘米,它和N~+硅(电阻率为0.001欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(16)欧姆·厘米~2,和p型硅(电阻率为0.05欧姆·厘米)的接触电阻为6×10~(-3)欧姆·厘米~2。     

反应溅射选择性吸收膜的研究

叙述真空管集热器用的太阳能高温选择性吸收膜氮氧化铝(AlN_xO_y)的制备及性能。采用金属铝单靶反应溅射,在铝基体上沉积吸收膜,其吸收率α_(HT)=0.94,热发射率ε_(310℃)=0.136。     

一种新的可替换氮化钛的涂层——氮化钛铝膜

采用溅射离子镀工艺,按照不同成份已生产出了氟化钛铝膜。在 TiAl 比为50:50%的靶上,通过反应溅射,所沉积的膜成份为:Ti27.5%、A128.9%、N_243.6%。发现晶体结构只有4.2×10~(-7)毫米的晶格参数是氯化钠,这种膜的显微硬度是 HV2100—2300。将 Al 掺入氮化膜中改进了抗氧化性能,也改进了涂 TiAlN 钻头的性能。TiN 膜开始氧化的温度是550℃,然而 TiAlN 涂层与热空气激烈反应的温度为800℃。镀 TiAlN 的钻头,用两种不同的钢作了试     

氮化钛膜层刀具的经济效益分析

由于氮化钛膜层刀具具有硬度高、耐磨性好、加工不易产生粘着现象、寿命长、重复性好、提高加工精度等一系列优点,自问世以来就非常受人们的欢迎和重视。 为了将八十年代国际上盛行的这项新技术用于我国四化建设,我所设计和制造了空心热阴极离子镀膜机,并用此设备镀制了氮化钛膜层钻头、插齿刀、滚刀、丝锥、铣刀等刃具,在沈阳量具刃具厂、沈阳第一机床厂、中捷人民友谊厂、哈尔滨量具刃具厂、沈阳鼓风机厂、沈阳电工机械厂等单位进行切削试验,用户一致反映该刀具切削性能优异,经济效益显著。 一、氮化钛膜层刀具寿命显著提高 用空心热阴极…     

磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究

介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时，反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同，放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别，相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。     

磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究

介绍了磁控反应溅射制备氧化锡膜时，反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积率及沉积膜性能的影响，指出随氧流量的不同，放电分别处于金属溅射，过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三咱模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别，相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。     

直流三极偏压溅射沉积碳化钛膜

本文利用直流三极偏压溅射法在刀具上沉积了碳化钛膜，用球坑仪测量了膜厚，并用ＨＸ－１０００显微硬度计测量了膜的维氏硬度：实际试验表明，刀具的使用寿命提高了３～５倍。     

反应溅射制备SiO2膜的问题及进展

磁控射法制备ＳｉＯ２膜传统上采用射频溅射工艺,但它成本较高,效率较低,无法充分满足大面积镀膜工业生产的需求。近年来,反应磁控溅射在解决异常弧光放电和阳极消失等问题方面取得了很大的进展,已成功地应用于包括ＳｉＯ２在内的绝缘膜沉积,成为镀制介质膜的一个新方向。本文介绍和评述了反应溅射所遇到的几个关键问题,结合机理讨论了相应的解决办法,并认为反应溅射有重要实用价值和发展前景。     

反应溅射TiO2-xNx膜的可见光吸收性能

用中频交流反应磁控溅射方法制备了N掺杂的TiO2薄膜.利用光电子能谱(XPS)对薄膜的成分进行了分析,并研究了薄膜的可见光吸收性能.结果表明:反应气体中N2的质量分数是影响薄膜中Ti-N键的主要因素;在N2气氛中380℃退火有利于提高N掺杂的含量;厚度的增加使薄膜的吸收性能在紫外到可见光区都有提高;含N量为1.5%的TiO2-xNx薄膜吸收限由TiO2薄膜的387nm红移至441nm.     

氮化钛膜AES叠峰的因子分析法分析

因子分析法是利用各种谱峰的峰形进行成分定量分析的方法,广泛应用于多种成分的混合物、化合物的谱峰分析。通过对因子分析法(FA)的数学过程及其物理意义的进一步分析,对应用 FA 对氮化钛的俄歇电子谱(AES)叠峰进行谱蜂分解和定量计算进行了研究。由于缺乏纯 N 谱峰,采用化合物(Si_3N_4、BN)中的 N 谱和纯 Ti 谱作为 TiN_x 谱中 N 和 Ti 的标准谱峰。为解决化学效应影响定量计算的问题,提出了两次迭代的分析方法。这种分析是以线性分析为基础的非线性的处理过程。应用 FA 法的两次迭代分析获得了较好的 N/Ti 原子比,分解了Ti 和 N 的叠峰,分解的峰形叠加得到的峰形与原峰形拟合的很好。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

反应溅射AlN的模拟

研究了用反应磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜。由于铝和氮化铝二次电子发射系数有很大的不同,导致制备时会在金属模式和化合物模式间出现一个很大的跃迁。为了准确描绘实验结果,建立了一个反应溅射模型。该模型以Berg在1988年提出的模型为基础,包括了靶上二次电子发射系数的变化。利用该模型能够预测溅射行为,计算结果与实测值相符。     

射频磁控反应溅射制备ZnO/AlN双层膜的结构和性能

采用射频磁控反应溅射在Si（100）衬底上制备了ZnO/AlN双层膜。使用X射线衍射仪、原子力显微镜（AFM）、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器对样品进行了结构、表面形貌、导电性及荧光光谱的测试,并与相同工艺下制备的ZnO单层薄膜进行了对比研究。结果表明,ZnO/AlN双层膜的c轴择优取向性优于单层ZnO薄膜,薄膜应力更小,且为压应力,晶粒尺寸大于单层膜,表面粗糙度较小,并且其电阻率更低。荧光光谱显示,ZnO/AlN双层膜的结晶质量更好。     

手表表盘真空蒸镀“彩色”铬膜

一、基本原理由于薄膜和基底金属对入射光的依次反射,将入射光的振幅分解为若干部分,这些部分光波相遇时将发生干涉,使反射光减弱。若基底的折射率为η_2,膜层的折射率和几何厚度分别为η_1和d_1光波自折射率为η_0的介质入射到膜层上,则在η_0至η_1界面上的菲涅耳反射比为r_(01)=(η_1-η_0)/(η_1+η_0)(1)光波自η_1至η_0界面上的菲涅耳反射比为     

真空自耗电极电弧凝壳炉

本文着重介绍了我所与沈阳市冶金所、东北工学院、沈阳铸造所在六十年代中期自行设计，自行制造的２０公斤、 １００公斤真空自耗电极电弧凝壳炉的结构设计和该炉十多年来的生产运行情况，并结合２５０公斤凝壳炉设计，分析和讨论了电弧式凝壳炉设计中普遍遇到的问题，以及从满足熔炼工艺性角度给出了必要的推导和计算，同时对我国电弧式凝壳炉的发展也提出了某些设想，以适应我国铁铸事业的发展需要。