硫化时间对电沉积制备FeS2薄膜组织与结构的影响

利用电沉积及热硫化法制备了FeS2 多晶薄膜,研究了不同硫化时间对FeS2 薄膜形成过程的影响。结果表明采用Na2S2O3 和FeSO4 水溶液电沉积和150~ 200℃处理可以制备多孔Fe3O4 薄膜,再经400℃、80kPa硫化处理,Fe3O4 可转变成FeS2 多晶薄膜。随硫化时间延长到10h,FeS2 的晶格常数减小而晶粒粗化,再继续延长硫化时间,FeS2 的晶格常数增大而晶粒尺寸下降。可以用点缺陷浓度、相变应力及亚晶界运动等因素分析Fe3O4 向FeS2 转变过程中的微观组织参数变化规律。     

PVP对溶剂热合成FeS2(Pyrite)的形貌控制研究

采用溶剂热合成技术,以FeSO4和(NH2)2CS为反应前驱物,在聚乙烯吡略烷酮(PVP)作表面活性剂的醇-水体系中获得了晶粒完整的FeS2(Pyrite)粉体.借助X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)对合成样品的晶相组成、分散性、形貌进行了分析与表征,结果表明,以PVP为表面活性剂可以显著提高产物的分散性,适当调节PVP的用量可以有效调控FeS2晶体的大小与形貌.     

电沉积铜薄膜中的内应力与织构特征

利用X射线衍射方法分析了电沉积铜薄膜的内应力及其织构特征.结果表明,随薄膜厚度的增加,薄膜内应力增大.电沉积铜薄膜具有较强的(220)丝织构,随着铜薄膜内应力的增加,(220)丝织构增强,同时叠加有板织构的特征.     

多晶FeS2薄膜电学性能的研究与进展

FeS2薄膜是极具研究价值的光电转换材料，改善光电转换效率是主要研究方向，而进一步阐明电传导规律和机制是探索改善FeS2薄膜光电转换效率有效途径的前提之一。本文概述了FeS2薄膜电学性能的研究进展，分析了硫化制备工艺及掺杂效应对FeS2薄膜电学性能的影响，介绍了晶界势垒模型、跳跃传导模型及晶体点缺陷理论等FeS2薄膜电传导相关机制，讨论了FeS2薄膜存在的问题及发展方向。     

离子束辅助沉积制备TaN薄膜的X射线衍射分析

利用离子束辅助沉积技术制备ＴａＮ薄膜，并对其进行Ｘ射线衍射分析，掠入射的Ｘ射线衍射分析得出：离子束辅助沉积制备的ＴａＮ薄膜胆面心立方结构，晶格常数α为０．４４０５ｎｍ。根据Ｘ射线衍射分析，用屈服强度表征有ＴａＮ薄膜的显微硬度为１６－２０ＧＰａ，与文献上报道的显微硬度值接近。     

电沉积法制备ZrO_2薄膜的工艺研究

研究了水溶液中电沉积ZrO2薄膜的工艺,系统分析了镀液成分、pH值、电流密度及沉积时间对电沉积ZrO2薄膜的影响规律,并分析了薄膜的厚度、成分和形貌等。研究结果表明,在硝酸锆水溶液中加入一定量的络合剂和添加剂,可以得到与基体结合好、分布均匀的ZrO2薄膜。     

柠檬酸浓度对电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

采用Mo/钠钙玻璃衬底作研究电极,饱和甘汞电极(SCE)作参比电极,铂网电极作辅助电极的三电极体系,利用电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备CuInSe2薄膜,研究络合剂柠檬酸浓度对CuInSe2薄膜制备的影响.利用EDS、xRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行表征,结果表明:当柠檬酸的浓度为0.5mol/I时,可以制备致密性好、晶粒分布均匀、组分接近化学计量比的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜.     

硫化压力对电沉积并硫化合成的FeS2薄膜组织结构的影响

采用电沉积及400℃不同压力硫化热处理制备了多晶FeS2薄膜,研究了硫化压力对薄膜晶体结构及微观组织的影响。在较低的硫化压力条件下,电沉积得到的Fe3O4先驱体硫化反应不充分,薄膜组织中FeS2与Fe3O4共存。当硫化压力高于20kPa时,Fe3O4先驱体可充分地转变成具有细小晶粒形态的FeS2,薄膜形貌也由多孔疏松演变为均匀平整。硫化压力在5～40kPa范围内变化对FeS2晶粒尺寸影响不明显,但使FeS2晶格常数略有下降。     

仿生FeS复合材料的制备及其对Cr(Ⅵ)的吸附性能

纳米FeS比表面积大且还原性强,对Cr(Ⅵ)吸附性能优异,但不稳定、易团聚,为解决这一问题,本文以油菜花粉为生物模板,通过共沉淀-焙烧法制得仿生FeS复合材料(bioFeS)。通过SEM、XRD及XPS等方法对bioFeS复合材料的表面微观形态和结构进行了表征。以Cr(Ⅵ)为目标污染物,分别考察了吸附剂用量、反应时间、反应温度、初始Cr(Ⅵ)浓度和pH对bioFeS复合材料吸附Cr(Ⅵ)性能的影响,探究了反应机制。结果表明：油菜花粉生物模板成功分散了FeS,制得的bioFeS复合材料比表面积大,在反应时间为120 min、pH值为1、吸附剂投加量为0.2 g·L^-1、反应温度为25℃的条件下,bioFeS复合材料对Cr(Ⅵ)的吸附量可达88.95 mg·g^-1;该吸附过程符合准二级动力学和Langmuir等温吸附模型;共存离子NO₃^-和SO₄^2-会抑制Cr(Ⅵ)的去除。结合吸附动力学、热力学及XPS表面元素分析可知bioFeS复合材料除铬机制主要是吸附及化...     

离子束辅助沉积制备TaN薄膜的X射线衍射分析

利用离子束辅助沉积技术制备TaN薄膜，并对其进行X射线衍射分析。掠入射的X射线衍射分析得出：离子束辅助沉积制备的TaN薄膜是面心立方结构，晶格常数a为0．4405nm。根据X射线衍射分析，用屈服强度表征的TaN薄膜的显微硬度为16～20GPa，与文献上报道的显微硬度值接近。离子束辅助沉积制备的TaN薄膜宏观内应力较小，且都为压应力。晶粒尺寸大约在10nm左右，随着注入离子能量的增加，薄膜晶粒尺寸有长大的趋势。     

Formation of pyrite (FeS2) thin nano-films by thermal-sulfurating electrodeposition films at different temperature

The electrodeposition of iron disulfide pyrite (FeS₂) thin films on indium–tin oxide (ITO) substrate in aqueous solution containing Na₂S₂O₃·5H₂O, FeCl₂·4H₂O reagents was investigated. The deposited material is successively annealed in sulfur atmosphere. In this way, we successfully obtained pyrite thin films with good quality. The structure, optical and electrical property analysis for the resulted films was carried out and some special results have been concluded.     

CuInS2薄膜的制备及光学特性

真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜.研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、化学计量比及光学性能的影响.实验结果给出:在元素配比中S的原子比x选择极为重要(实验选0.2≤x≤2),本实验Cu、In、S最佳原子比为1:0.1:1.2.用x(Cu).x(In):x(S)=1:0.1:1.2原子比...     

HfO2薄膜的制备与光学性能

采用射频磁控反应溅射法，以高纯热压HfO2陶瓷为靶材，在Si衬底上成功制备出HfO2薄膜。系统研究了工艺参数对薄膜沉积速率的影响规律，并对薄膜的光学性能进行了研究。结果表明，射频功率对薄膜沉积速率的影响最为明显，O2／Ar流量比和衬底温度对沉积速率的作用不明显，所制备薄膜的折射率较高在近红外波段趋于1．95，在500-1650nm波段范围内薄膜几乎无吸收，透过率较高。     

The optical properties of AgInTe2 thin films

The optical absorption in electron-beam-evaporated AgInTe₂ thin films was studied in the energy range 0.5–2 eV. AgInTe₂ was found to be a direct gap semiconductor with a room temperature gap of 1.03±0.01 eV. Another direct transition observed at 1.04±0.01 eV was ascribed to an optical transition from the crystal-field-split valence band to the conduction band minimum. A third direct allowed transition from the spin-orbit-split valence band to the conduction band was identified at 1.77±0.03 eV. An estimate of the p-d hybridization of the uppermost valence bands yields a value of about 15%.     

The optical properties of CuInS2 thin films

The optical absorption in flash-evaporated CuInS₂ thin films was studied in the photon energy range from 0.5 to about 4.2 eV. CuInS₂ was found to be a direct gap semiconductor with a gap energy of 1.524±0.005 eV at room temperature. The ground state energy of the free exciton was found to be about 8 meV. An indirect allowed transition was observed at 1.565±0.005 eV and was ascribed to an optical transition from the valence band maxima at the boundary of the Brillouin zone to the lowest conduction band minimum at the zone centre. Three further optical transitions which were probably due to the copper d states in the valence band were found at energies well above the fundamental edge.     

One-step electrodeposition of CuGaSe2 thin films

CuGaSe₂ thin films have been prepared by one-step electrodeposition and rapid thermal annealing process. According to composition and morphology analysis, deposition potential of − 0.6 V vs. SCE is considered to be optimum for electrodeposition. From the X-ray diffraction and Raman studies, the as-deposited film exhibits poor crystallinity without the evidence of CuGaSe₂ or other Ga-containing phases, while the rapid thermal annealing-treated film shows chalcopyrite structure CuGaSe₂ phase containing MoSe₂ phase between the Mo substrate and the absorber and minor second phase Cu_2 − xSe. The obtained CuGaSe₂ thin film has a band gap of about 1.68 eV and p-type conductivity.     

CoSnS2薄膜的制备及性能研究

采用两种方法制备了CoSnS2薄膜。在两步电沉积法中，先沉积SnS薄膜，再在其上制备CoS沉积薄膜，最后进行退火处理形成厚度约为1250nm的CoSnS2薄膜。在三元共沉积法中，加入EDTA(乙二胺四乙酸二钠)配合剂来调整Sn、Co、S的沉积电势以实现这三种元素的共沉积，从而一步形成厚约620nm的CoSnS2薄膜。探讨了薄膜的制备机理和制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响。得到的薄膜为多晶γ-Co6S2(立方晶系)和SnS(斜方晶系)结构，其直接光学带隙和间接光学带隙分别在1．05～1．25eV和0．11～0．71eV之间可调。     

热致变色VO2薄膜的制备及光学性能研究

利用等离子体发射光谱监测系统(PEM)控制钒的等离子强度,在石英基底上磁控溅射制备了VO2薄膜。采用XRD、XPS、SEM、紫外-可见-近红外分光光度计及傅立叶红外分光光度计研究薄膜的结构、光学及相变特性。结果表明,所制备的VO2薄膜具有(011)取向,VO2薄膜的热滞回线宽度为25℃,可见光透过率和太阳光调节率分别可达Tlum,l=34.1%、Tlum,h=35.3%和ΔTsol=6.8%,相变前后,红外光区的反射率变化最大值可达44.4%。