CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备 Cu Pc/ Zn S交替多层复合薄膜 ,研究 Cu Pc和Zn S的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外 -可见光谱仪和 X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能 ,探讨了有机 /无机复合薄膜的光电导机理 ,提出了理论模型。     

膜层厚度对CuPc／ZnS多层复合薄膜光电性能的影响

为了找到制备CuPc/ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数,本文研究了CuPc/ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列的光电导性能和结构,利用表面电位衰减仪、紫外－可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系,探讨了改变CuPc、ZnS膜层的厚度对CuPc/ZnS多层复合膜薄膜的光电导性能和结构的影响。     

CuPc/ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究

为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变复合膜层数、CuPc膜层和ZnS膜层的厚度以及基板温度对CuPc/ZnS多层复合薄膜的光电导性能和结构的影响     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究

为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数，研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外－可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系，探讨了改变复合膜层数、CuPc膜层和ZnS膜层的厚度以及基板温度对CuPc/ZnS多层复合薄膜的光电导性能和结构的影响。     

CuPc／ZnS多层复合薄膜的光电性能研究

本文首次报道了用真空热蒸发法制备ＣｕＰｃ／ＺｎＳ交替多层复合薄膜,研究ＣｕＰｃ和ＺｎＳ的层数以及制备工艺对薄膜光电性能和结构的影响。利用光电导特性测量仪、紫外可见光谱仪和Ｘ射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的结构和光电性能,探讨了有机／无机复合薄膜的光电导机理,提出了理论模型。     

n-ZnO/p-PbPc复合多层膜光吸收性能研究

用溶胶-凝胶(sol-gel)法和真空热蒸发沉积制备了氧化锌/酞菁铅交替生长复合多层膜,并对复合膜的光吸收性能进行了研究.实验发现,复合膜的紫外-可见吸收谱中,酞菁铅的Q带吸收峰同时具有明显的蓝移和红移引起的新峰出现,说明氧化锌和金属酞菁之间存在很强的相互作用.氧化锌和酞菁铅分子间存在两种效应:PbPc分子被ZnO包裹产生的量子约束效应导致的吸收峰蓝移,以及和n型导电的ZnO向p型导电的PbPc:分子的电荷转移产生的红移.     

InClPc/TiOPc复合单层光电导体中的电荷转移现象

以氯化酞菁铟（InClPc)／酞菁氧钛（TiOPc)复合物为载流子发生材料，萘苯腙或三硝基芴酮为载流子传输材料以及聚碳酸酯（PC）3组份制备单层有机光电导体，性能测试发现光敏性出现了正或负效应。通过X射线光电子能谱（XPS）进一步研究表明，这效应与复合物分子内的M→N部分电荷转移有着密切的关系。     

电子束蒸发制备PbI_2薄膜的光电性质研究

采用电子束蒸发法制备了PbI2多晶薄膜,研究制备条件对薄膜光电性质的影响。结果表明,不同条件下制备的样品呈现不同的择优取向生长特征,但均属于六方相多晶结构。随着衬底温度的升高,PbI2薄膜的紫外-可见透过谱透过性能提高,光学带隙由室温时的2.33 eV增大到200℃时的2.44 eV。同时发现,不同源-衬间距制备样品的光谱透过性能和光学带隙基本相同。光致发光谱(PL)测试表明,薄膜的发光可能源自禁带中的缺陷能级跃迁,其PL发光峰的强度和展宽随源-衬间距的增大有明显变化。论文最后测试了PbI2薄膜在绿光LED照射下的光电导响应,发现制备样品的光电导响应性能与薄膜的沉积温度和源-衬间距有密切关系,光电导率的数量级约在10-8~10-9Ω-1.cm-1之间。     

涂层工艺对KH570-SiO_2复合薄膜耐腐蚀性能的影响

采用溶胶-凝胶法,以正硅酸乙酯(TEOS)和γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷(KH570)为前驱体,在碳素钢片上和铝片上制备有机-无机复合防腐薄膜。本实验采用盐雾腐蚀实验对复合薄膜的防腐蚀性能进行了表征,探讨了两种前驱体比例、pH值、回流温度等溶胶凝胶过程工艺条件对防腐涂层结构及防腐性能的影响,并初步比较了不同基板上薄膜的耐腐蚀性能。结果表明,当TEOS/KH570=1∶1,pH值为4.5时达到最佳防腐性能:在铝板上能够耐盐雾腐蚀240小时以上和钢板上耐盐雾腐蚀8小时以上。     

聚苯胺/TiO2复合纳米膜电极的制备及其光电性能

采用原位化学氧化法,在酸性TiO2溶胶中未加分散剂制备了聚苯胺修饰的TiO2稳定溶胶,并以涂刮法在柔性导电塑料薄膜上成膜。利用FT-IR、XRD、TEM、选区电子衍射、紫外-可见光谱、光电流-电压曲线对所制备的复合溶胶及复合膜进行了表征。结果表明TiO2与聚苯胺之间实现了结构上的复合,聚苯胺的引入改善了TiO2膜对太阳光的利用率,提高了TiO2膜的光电响应性能。这种用复合溶胶制备聚苯胺/TiO2复合膜的方式扩大了成膜基底的范围。     

氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究

本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法 (HF PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料。用X射线衍射 (XRD和傅立叶变换红外光谱 (FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成 ,用扫描电镜 (SEM)观察了薄膜样品的表面形态 ,用紫外—可见光分光光度计 (UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征 ,并确认薄膜样品的光学能隙。此外 ,本文还探讨了衬底的超声预处理在薄膜材料生长中所起的作用     

真空退火Co/Pt多层膜的结构、磁及磁光特性分析

本文用直流磁控溅射方法制备了Co／Pt多层膜,并对其进行了较为细致的真空退火处理,结果表明,适度的低温退火可增加Co／Pt多层膜的矫顽力,而并不削弱其磁滞克尔回线的矩形特征．当退火温度达到300℃以后,Co／Pt多层膜的矫顽力、垂直各向异性和克尔角将强烈下降,晶体结构的改善及应力的释放、晶粒的增长、层间原子扩散引起的Co层有效厚度减薄,进而居里温度的下降,分别是Co／Pt多层膜在低温、中温、高温退火过程中,磁及磁光性能变化的主要机制．     

介质/金属/介质多层透明导电薄膜研究进展

综述了介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层透明导电膜材料的特点、制备方法、研究进展与应用现状,重点比较讨论了ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS的膜系结构、光电性能、化学稳定性、热稳定性等特点,以及与国内外的研究差距.ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS是目前光电性能最好,且无需引入过渡层的两种D/M/D膜系,但有关其热稳定性的评价和研究存在不同的观点.用资源丰富、价格便宜、无毒的掺铝氧化锌(ZAO)薄膜取代含有价格昂贵的贵金属铟的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,ZAO/Ag/ZAO膜系结构的设计、薄膜制备、光电性能与IMI的对比研究是目前国内外D/M/D研究中的热点课题和D/M/D发展的主要方向.     

铀表面等离子体浸没离子注入沉积制备氮化层+Ti/TiN多层膜的结构与性能

为了改善金属铀的摩擦磨损和抗腐蚀性能,采用等离子体浸没离子注入沉积(PIII&D)技术在铀表面氮化,再沉积Ti/TiN多层膜.利用扫描电镜和X射线衍射分析了薄膜的形貌和组织结构;对薄膜的摩擦磨损和抗湿热腐蚀性能进行了测试.结果表明:薄膜表面致密,界面晶粒柱状生长方式被阻断,晶粒细化;薄膜为Ti和TiN的双相结构,衍射谱中出现了UO_2和U_2N_3的衍射峰;薄膜大大提高了铀基体的摩擦磨损和抗湿热腐蚀性能,调制周期对薄膜性能的影响较大.     

A Method for Calculating Thermal Radiation Properties of Multilayer Films from Optical Constants

A calculation method for the incident angle dependence of the solar absorptance _S and the temperature dependence of the total hemispherical emittance _H of multilayer films is proposed. The method is based on calculation of _S and _H from optical constants in the wavelength region from 0.25 to 100 m for thin polymer films and deposited metal. In this paper we provide values of _S in the incident angle region from 0 to 90° and _H in the temperature range from 173.15 to 373.15 K for two-layer samples of aluminum-deposited polyimide film. The results obtained for _S and _H by the present method are compared with experimental results measured by both spectroscopic and calorimetric methods. The calculated results of _S and _H agree well with the experimental results.     

金属Ti/Cu多层膜紫外光反射性能研究

采用直流磁控溅射方法制备Ti/Cu和Cu/Nb多层金属反射膜,并对膜的紫外反射性能进行研究,发现该膜的反射性能与基片的结构和温度、多层膜的周期和结构有关。选用取向为（100）的单晶Si为基片,在基片温度为470℃左右、多层膜的周期为30时,膜的结晶性较好,且多层膜的反射率随波长的减小而增加,在波长为250nm时,反射率可达到65％。     

基于Al／MoOx纳米复合薄膜的含能半导体桥研究

使用微细加工和磁控溅射技术将Al/MoO x纳米复合薄膜集成于半导体桥(SCB),制成含能半导体桥SCB-Al/MoO x以提高SCB的点火能力。薄膜的SEM、DCS和XPS结果表明,复合薄膜成膜质量好,层状结构清晰,放热量可达3200 J/g,达到理论值的68%(理论放热量为4703 J/g),MoO x薄膜含有32%的MoO3、37%的Mo2O5以及31%的MoO2。电容激励发火实验表明:相同激发条件下,SCB-Al/MoO x反应终止时间较SCB显著缩短,能量输出效率高于SCB,发火时溅射出的火花量明显增多,持续时间显著延长,使用原子发射双谱线测温法得到的等离子体温度亦高于SCB。