共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
2.
3.
4.
PTCR过流保护器的电流冲击失效特性 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了PTCR过流保护器在电流作用下的失效模式、失效规律和失效机理,指出PTCR过流保护器的主要失效模式为热冲击作用下的热碎裂,元件的冲击特性与常温电阻值、样品尺寸以及电流冲击次数有很大关系。通过运行和推理,推荐最佳的TC=90℃,R25=18Ω±20%,芯片尺寸为6.8mm×1.6mm,烧成条件为1320~1340℃,保温1~2h。对产品设计和元件的筛选有指导意义。 相似文献
5.
介绍一种用MCS-51单片机控制的PTCR热敏电阻器阻-温特性测试系统,其中分压取样电阻器采用模拟开关进行切换。测试系统由样品室、模拟开关、R-V变换器、信号放大器、A/D转换器、D/A转换器、记录仪、单片机和打印机等部分组成,样品室内设有加热电炉和热电偶等部件。 相似文献
6.
一种基于PCI总线的多路数据采集系统 总被引:1,自引:0,他引:1
结合对PCI总线接口控制芯片S5933的开发,详细介绍了基于PCI总线的一个多路数据采集系统,包括硬件时序和软件驱动程序的开发。最后给出一个用MatLab分析的实验结果,证明该系统性能良好。目前该系统已投入使用,工作稳定可靠。 相似文献
7.
8.
为改善PTCR陶瓷材料的电学性能,采用AgNO3作为Ag掺杂原料,用溶胶–凝胶一步法合成了含Ag元素的BaTiO3基PTCR陶瓷,着重讨论了银含量对半导体陶瓷电学性能的影响规律.结果表明,适量的Ag掺杂对材料的室温电阻率(β)影响不大,并且还可以有效提高PTCR陶瓷的温度系数(αR)和耐电压(Vb).本实验中掺杂0.05%Ag(摩尔分数)时,获得的PTCR陶瓷性能较好:ρ≈28Ω@cm,α25>16%℃-1,Vb>180 V@mm-1. 相似文献
9.
10.
11.
辐射交联对用于过流保护的高分子聚合物PTCR热敏电阻器之电性能有较大的影响。实验证明:辐照强度有一个最佳范围,正确选择辐照强度可提高高分子聚合物PTCR热敏电阻器的升阻比,改善动作特性及耐压、耐电流等电性能。 相似文献
12.
辐射交联对用于过流保护的高分子聚合物PTCR热敏电阻器之电性能有较大的影响.实验证明:辐照强度有一个最佳范围,正确选择辐照强度可提高高分子聚合物PTCR热敏电阻器的升阻比,改善动作特性及耐压、耐电流等电性能. 相似文献
13.
14.
通过陶瓷与酸的相互作用,使钛酸钡基PTCR陶瓷材料烧成样品的阻值上升。酸处理工艺条件对阻值上升幅度有一定影响。酸处理后的样品的综合电性能的变化,确定了用酸处理升高阻值的可行性。运用复阻抗分析法对样品阻值上升前后晶粒、晶界电阻的变化进行了研究。分析了酸处理过程中阻值变化的规律。运用叠加势垒模型分析了酸处理使阻值升高的机理。 相似文献
15.
PTC陶瓷生产中影响稳定及重复性的因素 总被引:5,自引:0,他引:5
评论了组成、烧结等因素对PTC陶瓷生产中稳定及重复性的影响。归纳了一些获得稳定及高电阻温度系数α材料的原则。通过生产实例说明应用这些原则可获得高α的PTC材料(Tc≈230℃)。 相似文献
16.
17.
过流保护器要求芯片尺寸为φ5mm×2.2mm,电阻值为15?,耐电压AC330V。采用液相施主掺杂和添加钙等方法优化配方制成PTCR材料。经复阻抗谱、SEM及XRD等测试分析表明,材料的微观结构得到了明显改善,PTC性能得以提高。当x(Mn(NO3)2)为0.47%时,材料的居里点为70℃、室温电阻率为14?·cm、温度系数为11.5%℃–1、耐压强度大于165V/mm。 相似文献
18.
19.
红外焦平面阵列性能参数测试系统 总被引:1,自引:0,他引:1
基于虚拟仪器技术开发了红外焦平面阵列( IRFPA)性能参数测试系统。该系统可采
集IRFPA动态数据,得到IRFPA在不同情况下的各像元响应情况,从而测试计算出IRFPA主要性能参数,进行器件的评估;对采集数据的统计分析,能准确判断盲元位置和数量,定量地测量非均匀性,以测试分析结果为依据进行红外成像图像的补偿和校准,得到了清晰的成像效果。 相似文献
20.
随着惯性约束核聚变研究的发展.强激光驱动器能源系统的研究备受关注。为了向激光驱动能源系统传输效率的研究提供可靠的实验数据.研究了强激光驱动器能源系统中氙灯瞬态放电特征数据进行实时检测的方法和测控系统结构。采用量化传输模式进行特征量的检测与传输,既实现了高压隔离,又避免了在远距离传输过程中受到干扰,确保测量精度。配合系统的模块化设计,采用多线程工作模式,对计算机系统的控制功能进行工作线程划分,提高了系统的实时性和协调性。实验表明,系统有效地实现了弱电系统对强电系统的远程控制.测量精度满足测量要求,已成功应用于能源系统的实验研究。 相似文献