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在受控聚变和等离子体物理研究中,激光散射是最常用的诊断方法之一.为了采集和处理托卡马克的激光散射信号,在光电倍增管上加门是非常必要的.此外在原子核物理、固体物理和分子物理中,在光电倍增管上加门的实验方法也被广泛采用.本文要介绍的RCA 7265光电倍增管 100 ns门,是为 6号托卡马克等离子体的激光散射信号的数据采集和处理工作而研制的. 一、线路和工作原理 RCA 7265 光电倍增管 100 ns门的线路如图1所示.将一个幅度为+48V、脉宽为100ns的方波──门脉冲加在3,5,7,9四个打拿极上,以控制各电极的电压分布,进而控制管内电场分布.这… 相似文献
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软X光闪烁体功率计(闪烁体光电管系统)是阳加速器及PTS装置上进行Z箍缩实验获取软X光总辐射功率及能量等参数的主要设备,光谱响应灵敏度是这套设备最关键的物理参数。为获取闪烁体功率计系统的光谱响应灵敏度,在北京同步辐射实验室进行了闪烁体与光电倍增管系统的光谱响应灵敏度标定,而要将闪烁体与光电倍增管系统的光谱响应灵敏度转换成Z箍缩实验需要的闪烁体与光电管系统的光谱响应灵敏度,还需要进行光电管与光电倍增管相对灵敏度标定,为此研制了一套光电管与光电倍增管光谱响应灵敏度相对标定系统。应用此系统进行标定实验,得到了光电管与光电倍增管的相对灵敏度,进而推出了功率计系统的光谱响应灵敏度。 相似文献
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研究了散射测量在激光陀螺用石英基片表面检测中的应用.比较发现,收集物镜比积分球更有利于体散射的消除,更适用于直接检测超光滑石英基片表面的散射测试系统.用ZEMAX设计了散射光收集物镜,使其数值孔径达到了0.4,并完全消除了轴上距离大于1.5 mm的散射点的体散射|为了消除光电倍增管输出本身随时间长漂的问题,设计了特定的散射光收集系统的结构,将散射光和反射光分时打在同一个光电倍增管上.分析发现,这种设置能有效消除光电倍增管输出随时间趋势性漂移的问题,增强了系统长时间的稳定性,有效保障了其工程实用性. 相似文献
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高温光电倍增管是一种在高温下仍能正常工作的光电倍增管.一般光电倍增管的最高工作温度不超过60℃,而高温光电倍增管的最高工作温度可达150℃,甚至175℃. 在某些工作场合,要求光电倍增管能承受高温.例如,在石油勘探方面,钻井深度每增加30m,井底温度就升高1℃,3000m深的井温约有100℃,4500m深的井温就达150℃.一口井钻好后,必须有下井仪器来获取井下的一些参数,因此要求下井仪器能耐高温.过去石油勘探使用的放射性测井仪都是在光电倍增管外套上一只杜瓦瓶来适应井温的升高.但是杜瓦瓶的隔热作用有限,这就要求提高光电倍增管本身的工作温度,… 相似文献
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单晶光纤损耗谱测量装置 总被引:4,自引:1,他引:3
本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300~1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。 相似文献
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本文介绍光电倍增管抗饱和门的工作原理。用它测量了强流电子束在靶上能量沉积产生冲击波的速度,由光电倍增管探测连续波He-Ne激光束照射靶的后表面的反射光束。为避免激光束长时间照射引起光电倍增管饱和,只让电子束到达靶前几十微秒时光电倍增管处于工作状态(开态),其它时间在非工作状态(关态),抗饱和门的作用象一个开关。我们采用低压脉冲控制抗饱和门,在实验中用这种方法探测强激光没有饱和。 相似文献
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本文是以ICP-AES法测定金属铬中微量的铜。描述了以2%HCl介质的铜标准溶液及1克/升铬(Ⅲ)溶液引入ICP焰中,以WPG-100型光栅摄谱仪分光,EMI9789QB型光电倍增管接收,采用TI-59可编程序计算器数一、实验部分1.仪器装置及工作条件实验仪器装置及工作条件见表1。 相似文献
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一、测量的目的及意义 光电倍增管在高能物理和石油勘探等领域中被广泛地应用,脉冲幅度分辨率这一参数的优劣对测量至关重要.为了鉴别光电倍增管的分辨能力,我们开展了光电倍增管固有脉冲幅度分辨率的测量. 光电倍增管在入射脉冲光的光谱成分不变的情况下,将产生一个与入射于光 相似文献
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引 言随着科学技术的迅速发展,新的科技领域不断出现,光电倍增管的应用范围在日益扩大.各应用场合对光电倍增管提出了各种各样的要求,促进了光电倍增管研究与生产的发展.目前国际上制造光电倍增管的厂家,生产的品种有的多达一百余种.由于制造时使用的窗材料、阴极材料、倍增极材料和倍增极结构多种多样,加上一系列不同的外形尺寸和倍增极级数的变化,形成了品种繁多的光电倍增管,为各方面的使用者提供了广泛选择管子的可能性. 对一特定光信号的测量,为要获得比较满意的结果,需要正确地选择光电倍增管,恰当地选择它的供电状态;注意光电倍增管… 相似文献
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在飞秒激光激励下用GaAs光电导开关作为太赫兹(THz)辐射天线, 已经广泛用于太赫兹时域光谱系统, 但目前国际上都是使用GaAs光电导开关的线性工作模式, 而GaAs光电导开关的雪崩倍增工作模式所输出的超快电脉冲功率容量远大于其线性工作模式, 迄今为止, 还没有人提出用雪崩倍增机理的GaAs 光电导开关作为辐射源产生THz电磁辐射. 本文探讨了用 雪崩倍增工作模式的GaAs光电导开关作为光电导天线产生THz电磁波的可能性及研究进展. 通过理论分析及实验研究, 在实验上实现了: 1) 利用nJ量级飞秒激光触发GaAs光电导天线, 可以进入雪崩倍增工作模式; 2) 利用光激发电荷畴的猝灭模式, 可以使GaAs光电导天线载流子雪崩倍增模式的延续时间(lock-on 时间)变短. 这为利用具有雪崩倍增机理的GaAs光电导天线产生强THz辐射奠定了基础. 相似文献
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光电倍增管中子直照灵敏度响应 总被引:7,自引:3,他引:4
光电倍增管的中子直照响应对脉冲中子探测器的设计和实际应用具有重要影响。分析了中子束直接照射光电倍增管产生直照响应的过程和机理。中子与光电倍增管入射窗硼硅玻璃中的硼和硅发生(n,α)和(n,p)反应,导致窗玻璃产生荧光,从而使光阴极发射光电子。在5SDH-2小串列加速器上,选用9815B和9850B两种光电倍增管进行实验,得到了光电倍增管的中子直照灵敏度能谱响应曲线。结果表明:中子能量由低到高变化时,光电倍增管的中子直照灵敏度也随之增大;两种光电倍增管的中子直照灵敏度比值为1.9×102~2.74×102,该值与其相应的增益比量级一致。 相似文献
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温度会使硅光电倍增管的增益产生较大的漂移,进而影响硅光电倍增管的增益精度。为了使硅光电倍增管增益不随温度发生较大变化,设计了硅光电倍增管的自动增益校正系统,包括基于单片机的高压电源设计与采集系统设计。高电压模块精确工作的温度范围为?10~60 ℃,电源噪声约为30 mV,满足硅光电倍增管性能测试的需求。采集系统经过扫频测试与激光照射测试,可以较好地通过60 MHz的交流信号,并将光信号转变为较明显的电信号。该系统可以向京邦公司的硅光电倍增管阵列JARY-TP3050-8X8C提供工作电压与采集电路。 相似文献
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为了高精度、非接触动态地检测灌浆工程中水泥浆液的密度,采用CR105型光电倍增管作为感光器件,设计了一种检测装置。该装置选用Cs-137作为光源,光电倍增管作为感光器件,196KB单片机作为微处理器,通过自行设计的模块化软件以及信号处理电路、显示打印输出电路实现对γ射线的检测、数据分析与处理。实验结果表明:该装置能够在恶劣环境下准确、快速地检测水泥浆液的密度;测量值不受浆液的流速、压力、温度、粘度和腐蚀等因素的影响;探测部分安装在高温、潮湿、高灰尘的灌浆工程施工现场仍能正常工作。 相似文献
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现代Photonix公司的新型大面积光电二极管是一种全新的光电探测器,它将固态光电二极管探测的优点与普通光电倍增管的许多特性结合在一起。这种二极管的固有增益可达10~3,其有效工作面积大,固体封装直径达到50mm。据Camrillo公司称,这是第一个能在多种应用中与光电倍增管竞争的商用固体产品。据说,TL15CAI是第一个将高增益、大光电灵敏区、低噪声和可靠性集于一身的雪崩光 相似文献
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本文描述以光电脉冲的原理,构成测量快门开启时间的装置。装置由一个光源、一个光栏、两个聚光镜和一个光电倍增管组成,所有元器件均安装在一个屏蔽的暗箱中。当快门开启时,通过光栏的光通量随快门开启孔径的增大而增大,同时光电倍增管产生的光电流也随着增大。快门全开启时,光通量达最大,光电倍增管产生的光电流脉冲也达最大此。光电流脉冲在检测电阻上形成电压脉冲,用快速脉冲示波器测量此电压脉冲幅度的上升时间,即为被检测快门开启时间的度量。 相似文献