ErYb：氟氧化物玻璃在966nm激光激发下的能量“扩散—传递”上转 …

频率上转换的研究是光物理学科的热点前沿课题．本文研究的是 Ｅｒ（１ｍｏｌ％） Ｙｂ（１０ ｍｏｌ％）共掺的 ＳｉＯ２－ＡｌＯ１．５－ＰｂＦ２－ＣｄＦ２氟氧化物玻璃（ＥｒＹｂ：ＹＯＧ）样品的直接上转换敏化发光机制． 首先测量了在激光焦点ａ处和较大光斑位置ｂ处的上转换发光,发现有丰富的上转换荧光．其中较强的有（６６５．５ ｎｍ, ６５３．５ｎｍ）,（５４９．０ ｎｍ, ５４２．５ ｎｍ）和（５２１．５ ｎｍ, ５２７．０ ｎｍ）三条荧光线,容易指认出它们依次分别是４Ｆ９／２－４Ｉ１５／２,４Ｓ３／２－４Ｉ１５／…     

复合物p-C_6H_4F_2…NH_3(ND_3)外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物 ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２…ＮＨ_３（ＮＤ_３） 的共振双光子电离光谱．光谱分析表明。复合物分子间的伸缩振动频率为 ８６．４ ｃｍ~（－１）;由复合物的 光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键能的关系,获得了复合物电子激发态 Ｓ_１和基态 Ｓ_０的键能 信息．Ａｂ ｉｎｉｔｉｏ　计算表明,ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_５…ＮＨ_３（ＮＤ_３）复合物的几何结构是：ＮＨ_３分子中的 Ｎ 原子位于垂直于ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子环面的对称轴（Ｚ轴）上,距环面的高度为 ０．３５２ｎｍ; ＮＨ_３的 Ｃ_３轴与ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２的对称轴夹角是 ５２．５°;且一个氢原子朝向环面; ＮＨ_３可绕 Ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子 的Ｚ轴近似的自由转动．键能计算值和预计存在的内转动与实验吻合．     

微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的研究

本文采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ－射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱说明薄膜主要由β和α－Ｃ３Ｎ４组成;ＦＴ－ＩＲ谱和Ｒａｍａｎ谱支持Ｃ－Ｎ键的存在。     

L波段砷化镓单片低噪声放大器

设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。     

新品展馆

蓝牙功率放大器 Ｍａｘｉｍ集成产品公司推出２．４ＧＨｚ １００ｍＷ功率放大器ＭＡＸ２２４０,用于蓝牙一级功率无线电设备。它在０．５ｍｍ孔径、有９个插头（３×３阵列）的 ＵＣＳＰ中有效,占用空间２．４３ｍｍ２。引人注意的是其ａ＋２０－ｄＢｍ的输出功率,可为笔记本电脑、蜂窝电话和接入点设备提供较好的解决方案。它还适用于 ＨｏｍｅＲＦ、８０２．１１ＦＨＳＳ和其它 ２．４ＧＨｚ ＩＳＭ专用波段无线应用。工作电源仅为 ２．７—５．０Ｖ,当穿过这一范围时,会产生１０５ｍＡ的电流。 降升压型控制器 Ｖｉｓｈａｙ Ｉｎｔ…     

发光晶体Na_5Er（WO_4）_4的光谱性质和Er~（3＋）的光谱参数计算

制备了Ｎａ５Ｅｒ（ＷＯ４）４的粉末和单晶，测定了晶格参数、单晶吸收光谱，激发和发光光谱。计算了吸收谱线振子强度，根据Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论拟合出Ｅｒ３＋发光光谱的三个强度参数Ω２，４，６＝１．７４，１．４６，０．５１×１０－２ｃｍ２，计算了自发辐射电偶和磁偶跃迁振子强度和跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参数，讨论了Ｅｒ３＋发光谱线出激光的可能性。     

光泵浦的InGaN垂直腔面发射激光器产生蓝色光

日本东京大学及德国维尔茨堡大学的研究人员报道了在室温下一个二维的光泵浦的垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）获得了蓝色激光（３９０ｕｒｎ）。这种器件的阵列可以显著缩短在高密度光学存储器中的读取时间。阵列中的每一个ＩｎＧａＮＶＣＳＥＬ直径为１８Ｐｍ,器件以２２Ｐｍ的间隔划分。在３６７ｕｒｎ处由一个重复频率３Ｈ。的ＮＺ激光泵浦的染料激光器来对ＶＣＳＥＬ进行泵浦。ＶＣＳＥＬ的发射门值是在１０ｍＪ／Ｃｍ’的泵浦能量或２～４ｘ１０‘’ｃｍ’载流子密度下产生。该器件是在以蓝宝石衬底的多层结构上做出的。在分布着反…     

利用飞秒荧光上转换方法研究芪唑盐的激发态转动异构动力学

飞秒荧光上转换是一种探测分子超快荧光动力学的新方法．其原理是利用具有大的二阶非线性系数的晶体（如ＫＤＰ和ＢＢＯ）的和频作用,将飞秒光激发产生的荧光与飞秒基频激光进行和频．通过改变基频光与荧光的相对光程差,可以获得飞秒分辨的荧光衰减动力学图像．本试验的基频激光为从钛蓝宝石激光器（Ｍｉｒａ９００Ｆ,ＣＯＨＥＲＥＮＴ,ＵＳＡ）输出的中心波长为８３０ｕｒｎ飞秒脉冲激光．脉冲宽度为１２０ｆｓ,重复频率为７６ＭＨｚ．激光脉冲首先会聚到一块ＢＢＯ晶体上,产生约８０ｍＪ的倍颗光（４１５。ｕｒｎ）．透过分束镜后,…     

一种简便有效的多孔硅后处理新方法

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜     

Al0.85Ga0.15As/GaAs太阳能电池器件工艺优化研究

报道了优化的ｐ－ｎ型Ａｌ０．８５Ｇａ０．１５Ａｓ／ＧａＡｓ太阳能电池器件工艺。分别采用真空蒸发Ｃｒ／Ａｕ和ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ制作下面栅线和背面电极,并分别在４５０℃和３５０℃下快速合金化形成欧姆接触。采用ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ３ＰＯ４：Ｈ２Ｏ体系的选择性腐蚀液去除高掺杂的ＧａＡｓ接触层。采用真空蒸发技术制备ＺｎＳ／ＭｇＦ２双层复合减反射层。测试结果表明,采用优化工艺制备的器件的光电转换效率得到了     

钼酸盐Na5TbxEu1—x（MoO4）4的发射光谱研究

测定了室温下Ｎａ５ＴｂｘＥｕ１－ｘ（ＭｏＯ４）４的发射光谱。发现随ｘ的增加，Ｔｂ＾３＋离子５４６ｎｍ（＾５Ｄ４→＾７Ｆ５）的荧光发射亦随这增加。同时观察到，当ｘ＞０．７时，发光相对强度变化会出现突变。     

硅表面清洗对热氧化13nm SiO_2可靠性的影响

实验研究表明热生长１３ｎｍ薄ＳｉＯ２的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系．氧化前稀ＨＦ酸及ＨＦ／乙醇漂洗不会提高热氧化薄ＳｉＯ２的可靠性;氧化前用ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（０．０５∶２∶５）溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄ＳｉＯ２可靠性很有效;用Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２（３∶１）溶液清洗形成预氧化层的改善作用也较明显,在之前增加比例为０．０５∶２∶５或１∶２∶５的ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ溶液清洗和稀ＨＦ酸漂洗效果更好．另外,薄栅介质抗电离辐射性能和抗热电子损伤能力同氧化前形成化学预氧化层的清洗     

激光诱导Al等离子体温度随激光能量变化特性研究

利用ＹＡＧ激光（波长１．０６ μｍ,脉宽为１０ｎｓ）烧蚀Ａｌ靶产生的三条 ＡｌⅢ等离子体谱线 （４５．９２ｎｍ; ４５１．２５ｎｍ; ４１５．０１ｎｍ）;在局部热力学平衡近似下,利用玻尔兹曼图,测定了等离子体电子温度在不 同激光能量下的变化特性．随着激光能量的增加,电子温度从１４８００Ｋ近似单调的上升到２００００Ｋ;随后反而有所 下降．在电子温度达最高时,连续辐射谱强度并未达最大值．同时还观测到,Ａｌ的原子谱线和离子谱线强度随激光 能量有不同的变化特点．利用玻尔兹曼图的最小二乘方拟合,测得Ａｌ Ⅲ谱线４４７．９９ ｎｍ（４ｆ２Ｆ７／２－５ｇ２Ｇ９／２） 跃迁的几率约为（１０．４±０．８）ｘ１０８ ｓ－１     

Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格样品中深能级中心的性质．在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心．在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品中深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为ＥＣ－０．２２ｅＶ．并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失观测到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ．在Ｇｅ／Ｓｉ应变超晶格中,深中心Ｈ１的能级位置为ＥＶ＋０．４４ｅＶ,深中心Ｈ２的能级位置为ＥＶ＋０．２４ｅＶ     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

光孤子源的研制

报道了利用增益开关分布反馈半导体激光器，Ｆ－Ｐ光学滤波器及掺饵光纤放大顺研制成光孤子源的研究工作。光孤子源性能稳定，输出的超短光脉冲重复频率为２．５ＧＨｚ脉宽２４，谱宽０．１４ｎｍ，时间带宽积０．４１９，平均输出光功率２．４ｍＷ。     

复合物p—C6H4F2...NH3（ND3）外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ３）的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸 振动频率为８６．４ｃｍ＾－１;由复合物光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键有的关系。获得了复合物电子激发态Ｓ１和基态Ｓ０的键能信息。Ａｂｉｎｉｔｉｏ计算表明,ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ）复合物的几何结构是：ＮＨ３分子中的Ｎ原子位于垂直ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２     

Ge0.4Si0.6／Si多量子阱与Ｇe／Si周期超晶格样品中的深中心

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了分子束外延生长的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱与Ｇｅ／Ｓｉ为超晶格样品中深能级中心的性质,在种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心,在Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６／Ｓｉ多量子阱样品深中心Ｅ２的能级位置为ＥＣ－０．３０ｅＶ,Ｅ３的能级位置为Ｅｃ－０．２２ｅＶ,并且在正向注入下随着Ｅ２峰的消失到一个少数载流子峰ＳＨ１,其能级位置为ＥＶ＋０．６８ｅＶ,在Ｇｅ／     

评价Tm^3＋掺杂上转换激光玻璃材料的一种方法

为评价Ｔｍ＾３＋掺杂上转换玻璃材料的激光特性,本文测量了Ｔｍ＾３＋掺杂的锗酸 和碲酸盐玻璃上转换发主上转换光学增益系数,在锗酸盐中Ｄ２的益系数ＧＧＤ＝０．３６ｍｍ＾－１,在碲酸盐中Ｄ２和Ｇ４的增益系数ＧＴＤ＝１．７９ｍｍ＾－１和１．６５ｍｍ＾－１。结果表明,在６５０ｎｍ激发下实现上转换激光运转,碲酸盐更具有优势。     

新结构高性能In_（0．3）Ga_（0．7）As／In_（0．29）Al_（0．

新结构高性能Ｉｎ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／Ｉｎ_（０．２９）Ａｌ_（０．７１）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ研究证明，ＩｎＧａＡｓＨＥＭＴ的结构优于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和习用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ。在ＧａＡｓ上制备的赝配结构ＨＥＭＴ（ＰＭ－ＨＥ...