用热壁外延技术在CdTe衬底上生长CdTe薄膜

利用热壁外延技术在CdTe衬底的(111)A面和B面生长了CdTe薄膜。源温度和衬底温度分别在670～800℃和600～760℃之间,生长速率为0.8～1.3μm/h。X射线衍射和荧光分析表明,CdTe外延层为[111]方向生长的高纯单晶薄膜,外延层表面组分和纵向组分均勺;回摆曲线峰半高宽的典型值为1.38′,表明外延层为高质量的CdTe单晶膜。     

用CdTe衬底热壁外延生长CdTe

采用热壁外延的方法在CdTe体材料衬底上外延一层CdTe,获得质量优于衬底的外延膜。外延层用X射线衍射定向,方向与衬底同为(111)。比较外延层和体材料电反射谱,表明外延层的质量优于衬底。利用俄歇电子能谱分析了外延层表面到衬底的元素组份及杂质成分。     

CdTe的热壁外延生长

近年来,虽然有越来越多的研究者在努力寻找适合外延Hg_(1-∞)Cd_∞Te(简写MCT)的衬底材料,然而,由于CdTe晶体和MCT都是闪锌矿结构,其晶格常数相当匹配,这样,CdTe块晶仍是外延MCT的主要衬底材料。遗憾的是目前尚无一种成熟的制备优质CdTe单晶体的方法。为了提高CdTe晶体的质量,人们在汽相外延方面做了大量     

热壁外延生长的CdTe外延层的研究

本文论述了用热壁外延的方法在CdTe体材料衬底上生长CdTe,并且用各种方法对CdTe外延层进行的研究。为提高衬底材料的质量。我们采用热壁外延方法在CdTe体材料衬底上再外延生长—层CdTe缓冲层,如果外延条件适当,缓冲层一般可使体材料的一部分缺陷消除或减少,好的外延层同经过仔细表面处理的体材料衬底一样是镜面的,因此可直接用作外延HgCdTe     

热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜的光致发光光谱

研究了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜77～200K的光致发光光谱。在77K首次观察到了CdTe的自由激子第一激发态的发光峰1.588eV。热壁外延CdTe薄膜具有很强的自由激子发光峰和微弱的缺陷发光,以及很好的横向均匀性,边缘发光峰的半宽度8.3meV是迄今报道中最窄的。光致发光光谱研究表明,热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜明显优于CdTe体材料。     

高质量的热壁外延CdTe(111)薄膜

本文测量了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜的荧光光谱,并与CdTe体材料的荧光光谱进行了比较,证实了热壁外延CdTe/(111)CdTe薄膜具有很高的质量。实验所用热壁外延CdTe薄膜的生长条件如下:衬底CdTe用Bridgman方法生长,晶向为(111),经机械抛光、化学机械抛光以及(酒精+Br_2)溶液腐蚀。外延之前,衬底在超高真空中在350℃温度下热处理。外延时,使用单个CdTe源,温度为470～550℃,衬底温度     

热壁外延ZnSe单晶薄膜

介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。     

热壁外延生长GaAs／Si薄膜质量研究

本文研究了用热壁外延（HWE）技术在Si衬底上不同工艺下生长的GaAs薄膜的拉曼（Raman)和荧光（PL）光谱。研究表明：在室温下,GaAs晶膜的Raman光谱的265cm^-1横声子（TO）峰和289cm^-1纵声子（LO）峰的峰值之比随晶膜质量的变化而逐渐变大、半高宽（FWHM）变窄且峰值频移动变小,而LC光谱出现在871nm光谱的FWHM较窄,表明所测得的薄膜为单晶晶膜,对同一晶膜也可判断出均匀程度。因此可以通过拉曼光谱和PLC光谱相结合评定外延膜晶体质量。     

热壁外延ZnSe/GaAs薄膜生长机理的研究

本文用四极质谱(QMS)、X射线光电子谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等手段,对单一源热壁外延(HWB)ZnSe/GaAs 薄膜的生长机理作了一些研究.这些研究主要包括 ZnSe源的蒸发情况以及在不同衬底温度条件下,外延薄膜的化学配比状态.     

用籽晶汽相外延生长CdTe大单晶

本文报导用籽晶汽相外延生长CdTe大单晶(>15cm_3)的研究结果。所用生长方法如下。首先对布里奇曼法生长的{111}CdTe籽晶片进行光学抛光,之后用     

用分子束外延法在CdTe上生长InSb膜

研究了用分子束外延在(001)取向CdTe衬底上异质外延生长InSb。用双晶x-射线衍射法和俄歇电子光谱法证明在225-275℃的生长温度下InSb单晶层几乎可以互相密合地生长在衬底上而没有界面反应。     

玻璃上热壁真空沉积生长CdTe薄膜的结构及光学特性

采用热壁真空沉积的方法,在清洁的玻璃衬底上生长了不同膜厚的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD测试显示薄膜为多晶,具有标准的立方结构,沿(111)方向有明显的择优取向.晶格常数的计算值为0.649nm,与标准值符合得较好.用Cary 5000型双光束分光光度计测试了薄膜的反射谱和透射谱,显示在本征吸收区透过率随着膜厚的增加和波长的减小而减小.对测量的反射谱和透射谱采用较严格的数学处理,计算得到了描述薄膜宏观光学特性的重要物理量,即薄膜的吸收系数、消光系数、折射率等.用(hvα)2对hv作图,得出了薄膜厚度为0.12,0.48和0.81μm的光学能隙分别为1.54,1.48和1.46eV,证实了材料是直接带隙结构,且在本征吸收的可见光区有高的吸收系数.     

玻璃上热壁真空沉积生长CdTe薄膜的结构及光学特性

采用热壁真空沉积的方法,在清洁的玻璃衬底上生长了不同膜厚的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD测试显示薄膜为多晶,具有标准的立方结构,沿(111)方向有明显的择优取向.晶格常数的计算值为0.649nm,与标准值符合得较好.用Cary 5000型双光束分光光度计测试了薄膜的反射谱和透射谱,显示在本征吸收区透过率随着膜厚的增加和波长的减小而减小.对测量的反射谱和透射谱采用较严格的数学处理,计算得到了描述薄膜宏观光学特性的重要物理量,即薄膜的吸收系数、消光系数、折射率等.用(hvα)2对hv作图,得出了薄膜厚度为0.12,0.48和0.81μm的光学能隙分别为1.54,1.48和1.46eV,证实了材料是直接带隙结构,且在本征吸收的可见光区有高的吸收系数.     

在兰宝石衬底上金属有机外延生长CdTe和HgCdTe薄膜

红外探测系统中的光敏元件需要HgCdTe外延膜。通常,HgCdTe生长于CdTe衬底上,这种衬底具有能与HgCdTe晶格紧密匹配且又能不受HgCdTe膜自动掺杂影响的诱人性能。但是,CdTe衬底昂贵、脆、不能得到大的面积且与平常得到的衬底如Si、GaAs、Al_2O_3(兰宝石)或InSb相比结晶质量较差。因此需要另选一种基片材料。兰宝石就是一种诱人的候选者,这是因为它的结晶质量高、成本低、有刚度且能得到大的面积。液相外延技术是外延生长HgCdTe用的最普通的技术。然而,由于生长的熔料不能湿润兰宝石衬底,从而防碍了在兰宝石衬底上液相外延生长。为在兰宝石衬底上生长薄膜,最近     

ZnSe单晶的热壁外延生长(英文)

We have successfully grown a ZnSe single crystal film on GaAs(100) by hoi wall epitaxy. We confirmed that the epilayer is ZnSe single crystal from the analysis of scanning eletron microscopy and X-ray diffraction. The strong near-band-edge emission is found in the PL spectra and the Es-band related to free exiton is also very strong. They are much stronger than the deep center band emission, which shows the perfection of the epilayer. We have also studied the ZnSe/GaAs interface by AES and XPS.