现实的一代ETC模型对Zb_b~－、Zτ~＋τ~－顶角的辐射修正

在一个现实的一代扩展人工色（ＥＴＣ）模型中，计算了旁路（Ｓｉｄｅｗａｙｓ）及对角（ｄｉａｇｏｎａｌ）ＥＴＣ规范玻色子交换对Ｚｂ、Ｚτ＋τ－顶角的单圈辐射修正．结果表明Ｚ→ｂ过程的衰变宽度Ｔｂ、分支比Ｒｂ以及τ的极化不对称参数Ａτ都较标准模型的要大，与最近的实验数据相符．     

τ±→π±+nπ0+ντ(n=0,1,2)衰变分支比测量

基于北京谱仪收集的4.03GeV质心系能量下e⁺e^－对撞数据,分析τ^±τ^±→e^±+π^±+nπ⁰+ν's(n=0,1,2)事例,给出分支比值Br(τ^±→π^±ν_τ)=(11.64±0.49^+0.76_－0.73%,Br(τ^±→π^±π⁰ν_τ)=(24.00±1.34^+1.36_－1.30%,Br(τ^±→π^±2π⁰ν_τ)=(9.39±1.68^+1.69_－1.66%.     

ψ′→J/ψ π+π－衰变振幅的分波分析

从ψ′→J/ψ π⁺π^－衰变振幅的普遍表达式和过程的运动学出发,给出了ππ不变质量谱,角关联谱和不变质量–角关联双变量谱;进行了分波分析,使得从实验上检测D波跃迁成为可能.文中还对来自J/ψ反冲的D波跃迁作了讨论.     

J/ψ→π03(π+π－)分支比的测定

用BESⅠ的7.8×10⁶J/ψ数据更为精确地测定了J/ψ→π⁰3(π⁺π^－)和J/ψ→ω²(π⁺π^－)的分支比(Br(J/ψ→π⁰3(π⁺π^－))=(2.52±0.06±0.43)%,Br(J/ψ→π⁰3(π⁺π^－))=(1.31±0.09±0.21)%.同时对4π不变质量谱和ωππ不变质量谱进行研究分析,试图观察是否存在有兴趣的信号.     

PGBs对高能e+e－湮没产生顶夸克对的单圈量子效应

在一代Technicolor(TC)模型中计算了PGBs(PseudoGoldenstoneBosons)对高能e⁺e^－→tt过程的单圈量子效应.给出了重整化的形状因子和矩阵元.计算了PGBs对总截面前后不对称参数A_FB和左右不对称参数A_LR的虚贡献,结果表明选取适当的参数值,新物理对以上可测量的贡献最大分别可达:－12.3%、－3.3%和－11.7%.在下一代对撞机上这一理论结果能为TC理论打开实验的窗口.同样的计算表明PGBs对e⁺e^－→bb过程的单圈贡献小于－1.0%.     

在手征么正模型中0+重介子是否存在分子态结构

在分子态结构的假设下, 利用手征么正模型研究了D₀(2308)和B₀的可能结构. 通过研究重子-赝标介子相互作用, 找到了一些可能的分子态. 结果表明: 在带奇异数的系统中, 存在一个质量为2.312±0.041GeV的DK束缚态, 它可以被解释为实验上发现的D_s0(2317). 与此同时, 在非奇异系统中, 存在一个与之对应的、质量为2.1GeV的宽度较大的态和一个对应的、质量为2.44GeV的宽度较小的态. 这两个态应对应于D₀. 因此, 分子态结构只能是D₀(2308)一个分量. 计算结果还预言了一些B_s0和B₀态. 其中质量为5.725±0.039GeV的BK束缚态可以被解释为B_s0(5725), 而预言的B₀(5536)和B₀(5819)应为与B_s0(5725)相对应的非奇异态.     

关于B0→π－l+ν l衰变过程分支比的计算

通过构造适当的关联函数,计算B→π跃迁形状因子f⁺_Bπ(q²),f _{Bπ(q²)和标量形状因子f⁰(q²),从而就能研究轻子质量对B⁰→π ^{关键词： B介子半轻衰变 形状因子 分支比}}     

AdS5\otimes S1, AdS5\otimes S5和AdS2\otimes S2超弦模型的一种KRR参数化新方法

给出了3种典型超弦模型AdS₅\otimes S¹, AdS₅\otimes S⁵和AdS₂\otimes S²的一种简单的KRR参数化新方法, 并结合这些超弦模型所具有的κ对称性给出了它们的卡当1-form, Maurer-Cartan方程, 作用量和运动方程.     

退火对He注入及随后208Pb27+辐照的Al2O3单晶PL谱的影响

利用高能离子研究了110 keV 的He⁺注入Al₂O₃单晶及随后230 MeV的²⁰⁸Pb²⁷⁺辐照并在不同温度条件下退火样品的光致发光的特性. 从测试结果可以清楚地看到在375 nm，390 nm，413 nm 和450 nm 出现了强烈的发光峰. 经过600 K退火2 h后测试结果显示，390 nm发光峰增强剧烈，而别的发光峰显示不明显. 在900 K退火条件下，390 nm的发光峰开始减弱相反在510 nm出现了较强的发光峰，到1100 K退火完毕后390 nm的发光峰完全消失，而510 nm的发光峰相对增强. 从辐照样品的FTIR谱中看到，波数在460—510 cm^-1间的吸收是振动模式，经过离子辐照后，吸收带展宽，随着辐照量的增大，Al₂O₃振动吸收峰消失，说明Al₂O₃振动模式被完全破坏. 1000—1300 cm^-1之间为Al-O-Al桥氧的伸缩振动模式，辐照后吸收带向高波数方向移动. 退火后的FTIR谱变化不大.     

最轻的中性TC介子P0和μ+μ－对撞机

在顶色辅助的多标度人工色(TOPCMTC)模型框架下,讨论了最轻的中性TC介子P⁰在μ⁺μ^－对撞机(FMC)上的s道共振产生.计算结果表明:其有效产生截面非常大,至少比标准模型中的Higgs粒子h⁰的产生截面大一个量级.因此,FMC可以用来探测TC介子的存在进而检验人工色理论.     

Pentaquark Θ+对核物质状态方程的影响

假定Θ⁺通过交换有效的同位旋标量介子σ和ω与核子和它本身发生相互作用, 在密度相关的相对论平均场理论基础上研究了{p,n,Θ⁺}系统状态方程和可能形成的亚稳定态. 讨论了在不同的重子密度下质子-中子同位旋比值以及Pentaquark Θ⁺成分对系统单个重子能的影响. 计算结果表明, 在单个重子能取极小时, Θ⁺有可能在核物质中束缚存在.     

KK强相互作用束缚态及K+K－原子态的研究

讨论了KK的强相互作用单介子交换势, 发现当考虑动量平方项时, 仅由单介子(ρ,ω,φ)交换势, 不足以构成束缚态. K⁺K^－在库仑势的作用下可以形成束缚态, 我们进一步计算了单介子交换势对K⁺K^－库仑势束缚态能级的影响以及K⁺K^－束缚态衰变到ππ和ηπ的宽度.     

掺入Ni2+和V3+对α-Al2O3晶体光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量的影响

应用晶体场理论和不可约张量算符方法构造了3d2/3d8态离子在C3v对称晶场中包含自旋-轨道相互作用、自旋-自旋相互作用、自旋-其它轨道相互作用和其它轨道-其它轨道相互作用四种微观磁效应的45阶可完全对角化的能量哈密顿矩阵.利用该矩阵,计算了V³⁺∶α-Al₂O₃和Ni²⁺∶α-Al₂O₃晶体的光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量,研究了掺入两种互补态离子Ni²⁺和V³⁺对同种晶体的光谱精细结构、晶体局域结构和零场分裂参量的影响,理论计算值和实验值相符.研究发现：掺杂没有改变晶体的光谱精细结构和能级分裂条数,但改变了能级间距|掺杂也没有改变晶体的对称性,但使晶体局域结构发生了一定程度的畸变| Ni²⁺∶α-Al₂O₃晶体局域结构的伸长畸变量大于V³⁺∶α-Al₂O₃晶体,键角的变化量小于V³⁺∶α-Al₂O₃晶体.     

由ψ(2S)→π+π－J/ψ道测量J/ψ轻子道衰变分支比

利用北京谱仪(BES)上取得的ψ(2S)数据,对ψ(2S)→π⁺π^－J/ψ,J/ψ→1⁺1^－和J/ψ→任意末态两个过程进行了细致的研究,得到J/ψ的轻子道衰变分支比为B(J/ψ→e⁺e^－)=(5.90±0.07±0.16)%和B(J/ψ→μ⁺μ^－)=(5.96±0.08±0.16)%,由此给出Be/Bμ的值为0.990±0.018±0.024.假定Be=Bμ,J/ψ的轻子道衰变分支比为B(J/ψ→1⁺1^－)=(5.93±0.05±0.16)%.上述结果可用来估计强相互作用耦合常数αs和QCD减除参数∧.     

高温高压合成的SrSiO3:Eu3+Bi3+的结构及其对发光特性的影响

 本文首次报道在3.15 GPa、1 200 ℃高温高压条件下合成出了SrSiO₃:Eu³⁺Bi³⁺发光材料，并与常压合成产物相比较，研究了高温高压合成产物的结构以及合成压力、温度对发光特性的影响。结果表明，高压合成产物SrSiO₃:Eu³⁺Bi³⁺的结构为膺正交（单斜）结构，而常压合成的为六角结构，高压使发光强度下降，量子发光效率下降了88%，谱线红移达756 cm^-1，半值宽度也显著增加，发光性能的改变是由于压致结构的变化引起的。     

在T2HDM模型中中性希格斯粒子对B→Xsl+l－衰变过程的影响

在T2HDM模型中计算了中性希格斯粒子圈图对稀有衰变过程B→X_sl⁺l^－的贡献. 通过计算发现: (a)中性希格斯粒子对衰变过程B→X_sl⁺l^－的修正能够增强其标准模型的预言, 但增幅很小; (b)在中性希格斯玻色子的质量大于100GeV和tanβ<40的情况下, 中性希格斯粒子对稀有衰变过程B→X_sl⁺l^－的分支比的贡献可忽略.     

掺杂浓度和烧结温度对CaWO4:Eu3+发光性能的影响

采用微乳液法合成掺杂浓度不同和烧结温度不同的CaWO₄:Eu³⁺系列荧光体, 这些荧光体都具有Eu³⁺离子的特征荧光发射. 在不同温度烧结后, 高浓度掺杂的样品(Eu³⁺掺杂30或50 mol%)可获得最大的发光强度, 低浓度掺杂的样品(掺杂0.5—2 mol%)在800 ℃烧结时也可获得优异的发光强度. 实验结果表明, Eu³⁺离子高浓度掺杂的CaWO₄:Eu³⁺在紫外光激发下可成为高效发光的荧光粉.     

关于B0→π－l+ν l衰变过程分支比的计算

通过构造适当的关联函数,计算B→π跃迁形状因子f⁺_Bπ(q²),f _{Bπ(q²)和标量形状因子f⁰(q²),从而就能研究轻子质量对B⁰→π}     

在s=4.03GeV的e+e－湮没中Ds+单标记的研究及Ds+Ds－对产生截面的测定

利用北京正负电子对撞机(BEPC)和北京谱仪(BES),基于在质心系能量s=4.03GeV的e+e–湮没中,D+s单标记的分析结果,测定了D+s→K0K+和D+s→K0K+衰变的分支比.其结果Br(D+s→K0K+)=(3.02±0.94±0.91)%,Br(D+s→K0K+)=(3.28±1.22±0.94)%与世界平均值在误差范围内一致.用π+,K0K+,K0K+作为单标记,共观测到94±13个D+s事例,测得在e+e–湮没中D+sD–s对产生的截面为σprod D+s D–s=451±63±118pb.