5—25keV刻度用X射线发生器

利用轫致辐射激发原子产生X射线荧光,经吸收边过滤,研制成单色低中能X射线发生器。实验给出5—25keV能区的4个单能点的强度、纯度以及相应的剂量率,可供刻度使用。     

keV量级光子的线辐射源

在天体空间或实验室的等离子体中可能存在能量为若干keV量级的光子的线辐射,它们源于一种新的原子核物质结构形态(核核两体的松聚合)形成之时.对两个原子核组成的体系,采用库仑势垒与核力方势阱相组合的作用势,求解核核两体的定态薛定谔方程,得到了两体松束缚态的波函数和可能的能量本征量(核的长程库仑能的数量级)并说明了这种松束缚态的存在条件.对某些轻核,基态的结合能为若干keV.     

Total electron yield mode for XANES measurements in the energy region of 2.1——6.0 keV

The total electron yield (TEY) mode has been developed successfully for XANES measurements at Beamline 4B7A of BSRF (Beijing Synchrotron Radiation Facility). Its performance was studied by measuring sulphur K-edge XANES of three CdS samples (mixed with graphite powder as an electric conductor) with different concentration: 75%, 50% and 25%. The data are collected in TEY mode and fluorescence yield (FY) mode respectively for comparison. The results demonstrate that the TEY spectra of three samples agree well with each other after the background is subtracted and normalized. The measured XANES spectra by TEY mode without bias and with 100V bias are almost identical to one another, but the signal-to-noise ratio of spectra measured without bias is better than that with 100V bias. The consistency of the self-absorption corrected FY spectra and TEY spectra are within 10% for the three samples.     

100 keV回旋电子束参数测量

 利用电子束轰击快响应荧光屏获得电子束横截面图像的方法，对100 keV大回旋轨道空心电子束(Cusp电子束)在横截面上的束轮廓及电荷密度分布进行了测量，计算出回旋电子束半径、螺旋角等参数，并与相同条件下的计算机数值模拟结果进行了对比和分析。测量结果表明初始磁场强度从0.003 5 T增加到0008 2 T时，电子束的拉莫半径从3.2 mm增加到3.9 mm，螺旋角从0.7增加到1.0，满足使用此电子束的回旋行波放大器的调试需求。     

9—46keV电子引起的Ni的K壳层电离截面

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量薄Ｎｉ靶在９—４６ＫｃＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。测量结果与前人的实验和理论计算以及经验公式的计算结果作了比较。     

能量范围从20keV到34keV的锆元素K壳层电离截面

 用20~34keV能量的电子束轰击锆靶,从而测得锆元素的K壳层电离截面。这些数据是国际上首次报道。在实验中采用电子输运双群模型修正了由厚衬底产生的反射电子对计数的影响。同时用蒙特卡罗EGS4程序计算了电子在质量厚度为24.3mg/cm²的锆靶中的平均路径长度。     

9—28keV电子引起的Cu的K壳层电子电离截面

用高分辨的Ｓｔ（Ｌｉ）探测器测量Ｃｕ靶在９—２８ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。运用用电子输运双群模型对衬底的反射对电离的贡献进行了修正。测量结果与前人的实验和经验公式计算结果作了比较。     

用20—1020 keV单能质子刻度CR-39固体核径迹探测器

用北京师范大学2×1.7MV串列加速器和400 kV高压倍加器产生的20—1020 keV单能质子束对CR-39固体核径迹探测器进行了刻度.为了保证质子的单能性和固体核径迹探测器上径迹密度不能超过10⁶/cm²的要求,对两台加速器分别采用了不同方法控制质子辐照数量.在串列加速器上采用了狭缝加转盘的方法,在高压倍加器上采用了100 ns单次高压脉冲扫描束流的方法,既保持了质子的单色性,又达到了质子注量小于10⁶/cm²的 关键词： 单能质子 固体核径迹探测器 CR-39     

钨和钆在560—1610keV能区的中子俘获截面测量

本工作是在2.5MeV脉冲化质子静电加速器上,使用大液体闪烁探测器和飞行时间法,相对于金的俘获截面测量了钨和钆六个能量点的中子俘获截面.结果与他人近期的测量符合较好.     

9—46keV电子引直怕Ni的K壳层电离截面

用Ｓｉ（Ｌｉ）探测器测量薄Ｎｉ靶在９－４６ｋｅＶ的电子轰击下产生的Ｋ壳层特征Ｘ射线，以确定其Ｋ壳层电子的电离截面。测量结果与前人的实验和理论计算以及经验公式的计算结果作了比较。     

8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究

低能正电子碰撞原子内壳层电离截面的实验数据目前还很缺乏,从而影响了对近年来发展的各相关理论模型的检验,限制了慢正电子束流技术在诸多领域中的应用.本文采用慢正电子束流装置产生的8—9.5 keV正电子束碰撞纯厚Ti靶,利用硅漂移探测器(SDD)收集正电子碰撞Ti靶产生的X射线,同时采用高纯锗探测器在线获得与靶碰撞的入射正电子数,从而得到Ti的K壳层实验产额,并基于蒙特卡罗模拟程序PENELOPE获得模拟产额.将实验产额分别与内壳层电离截面数据库采用经典光学数据模型(ODM)和扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟产额进行对比,发现基于ODM理论模型的模拟产额与实验值有较大的偏差,基于DWBA理论模型的模拟产额与实验结果符合较好.根据实验产额和基于DWBA理论模型的模拟产额的比较结果,对蒙特卡罗模拟程序使用的DWBA理论模型数据库进行修正后再进行模拟和比较,从而得到可靠的8—9.5 keV正电子致Ti原子K壳层电离截面数据.     

用于等离子体诊断的30keV锂束源

本文描述用于等离子体诊断的30keV锂束源的结构,调试及实验结果。对锂辉石和β-锂霞石的发射性能进行了对比。在能量为30.5keV时,引出离子流为376μA。     

长脉冲keV X射线源的辐射特征

 利用神光Ⅱ第九路2 ns长脉冲激光束作用厚钛固体靶，研究了产生的keV X射线源的辐射区域和总辐射功率的时间行为。结果表明：在长脉冲激光作用厚固体靶时，硬X射线线辐射功率的时间行为以及辐射体积的时间行为与激光脉冲波形一致；长脉冲时，等离子体2维膨胀效应非常显著，keV X射线线辐射的径向辐射区域在激光焦斑尺寸附近达到饱和，导致X射线线辐射功率出现饱和，且keV X射线线辐射的辐射体积正比于焦斑尺寸的3次方。从理论和实验角度研究了在同样入射激光能量下，辐射功率随激光焦斑尺寸的变化关系，发现keV X射线线辐射的饱和辐射功率正比于焦斑尺寸的5/3次方，理论结果与实验结果一致。并讨论了相同基频输出激光能量下，keV X射线辐射总功率随激光波长的变化关系，发现即使考虑了倍频效率的影响，短波长激光仍然有利于keV X射线的发射。     

Scattering of keV H+ from Au(110)—comparison between experiment and simulation

Abstract

Angle resolved energy spectra for H⁺ ₂ scattering from Au(110) have been compared to simulations using MARLOWE and SABRE binary collision codes. The results of both simulations agree with each other but only qualitatively with the experiment. The simulations indicate that (i) contributions to the surface peak in the energy spectra come from both single and double scattering at the surface (ii) the amount of inelastic loss suffered by the scattered ion is sensitive to the loss model and (iii) azimuthal scans around the double alignment direction can be simulated quite well if an increased experimental background is included.     

750keV RFQ注入器束流动力学设计

RFQ加速结构利用射频四极电场同时实现横向聚焦及纵向聚束与加速，适合于低能范围内（大致0．01-0．1倍光速）对离子进行加速。     

高梯度250keV脉冲质子加速装置

本文报道一台带有高梯度Pierce型加速管的脉冲质子加速装置,能量250keV,脉冲质子流强度最大240mA,脉宽100μs,重复频率10pps,能量稳定度±0.06％。在180keV,120mA质子流下,测得归一化束流发射度0.36π cm-mrad。文中描述了高压发生器、电压稳定系统,高梯度加速管和双等离子体离子源的设计、结构和试验结果。这台装置用于BPS的预注入器的研制工作。     

4.75 keV能点四通道Kirkpatrick-Baez显微镜

基于CH柱形靶压缩实验的时间分幅诊断需求,研制了4.75 keV能点四通道Kirkpatrick-Baez(KB)显微镜。进行了四通道KB系统的光学设计、像质模拟和分析。采用支撑锥芯的方式解决了四通道KB物镜的集成装配问题,并通过4.75 keV+8 keV双能点多层膜完成了实验室内的KB系统装调。该套系统在神光Ⅱ装置成功进行了像质考核实验,获得了高分辨的四象限网格图像,成像间距符合设计要求,具备了开展时间分幅惯性约束聚变物理实验的条件。