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采用脉冲激光沉积法制备了La0.88Te0.12MnO3(LTMO)/Si异质结,该异质结具有光生伏特效应和良好的整流特性.光生电压在394 μs的时间内很快增加到最大值然后逐渐减小.在T=80 K时,光生电压的最大值大约是13.7 mV.随着温度的升高,热涨落致使光生电压最大值总体呈现减小趋势,而且是非线性减小,这主要是由LTMO层发生金属绝缘体转变而导致的LTMO层能带结构的变化引起的.
关键词:
异质结
光生伏特效应
电子掺杂 相似文献
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用脉冲激光沉积法制备了非金属Te掺杂的钙钛矿锰氧化物La0.82Te0.18MnO3单晶薄膜.该薄膜从83 K升温至373 K过程中发生金属-绝缘体相变,转变点温度为283 K.其电阻率在T<TMI时符合电子-电子、电子-磁振子散射公式;在T>TMI时为小极化子输运.薄膜在低温段连续激光(波长为532 nm,40 mW)作用下电阻率显著增大,电阻变化率在253 K达到最大值51.1%,该变化率远大于相同条件下的空穴掺杂材料;在高温段产生了较小的光电导,电阻变化率小于10%.这些现象主要与激光激励下自旋系统和小极化子的变化有关.La0.82Te0.18MnO3薄膜在激光诱导下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.激光开始作用时薄膜电阻率随时间的变化符合指数关系.
关键词:
0.82Te0.18MnO3薄膜')" href="#">La0.82Te0.18MnO3薄膜
光诱导
输运特性
电子掺杂 相似文献
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采用脉冲激光沉积法在SrTiO3:0.7%Nb(100)单晶衬底上生长了La1.3Sr1.7Mn2O7(LSMO)薄膜, 并 研究了LSMO/SrTiO3-Nb异质结的输运性质和光伏效应. 研究发现, 异质结具有良好的整流特征和明显的光生伏特效应. 在532 nm激光辐照下, 光生电压随温度升高先增大后减小, 并且在150 K达到最大值400 mV, 此温度点与LSMO薄膜发生金属-绝缘体转变的温度一致, 这表明异质结的光生伏特效应受LSMO薄膜内部的输运特征调控. 进一步, 从光生电压随时间的变化曲线中分析发现, 上升沿符合一阶指数函数, 这与载流子的迁移过程相关; 而下降沿符合二阶指数函数, 这与结两侧载流子的外部回路中和以及材料内部的电子-空穴湮灭有关. 值得注意的是, 上升沿和下降沿的时间常数均随着温度先增大后减小, 且最大值均出现在LSMO薄膜的金属-绝缘转变温度. 相似文献
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运用基于壳模型的分子动力学方法研究了BaTiO3铁电体中的辐射位移效应.采用O原子作为初级击出原子,模拟了当初级击出原子能量为1 keV时体系内缺陷的产生和演化.模拟结果表明,当入射方向为[001]时,体系内产生的缺陷最多.在所有缺陷中,以O缺陷的含量为最高,达80%以上.同时,这些缺陷的产生并不显著改变体系的自发极化强度,对体系的极化翻转过程也基本没有影响.在外电场作用下,观察到了显著的缺陷迁移.
关键词:
分子动力学
3铁电体')" href="#">BaTiO3铁电体
辐射位移效应 相似文献
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随着能源危机的加剧,太阳能电池作为开发和利用太阳能的一种普遍形式, 日益受到世界各国的重视.随着太阳能电池向着高效率、薄膜化、无毒性和原材料丰富的方向发展, 单纯的硅系太阳能电池已经无法达到这样的要求,因此新的材料和工艺的开发利用迫在眉睫. 本文研究了碳材料在硅异质节上实现光伏效应的改善及其可能在太阳能电池上的应用. 采用脉冲激光沉积方法制备的Co2-C98/Al2O3/Si异质结构在标准日光照射 (AM1.5, 100 mW/cm2)条件下,可获得0.447 V的开路电压和18.75 mA/cm2的电流密度, 转换效率可达3.27%.通过电容电压特性和暗条件下的电输运性能测量, 证明了氧化铝层的引入不但对单晶硅的表面起到了物理钝化作用,减小了反向漏电流, 使异质结界面缺陷、界面能级和复合中心减少,还起到了场效应钝化作用, 增加了异质结界面的势垒高度,增加了开路电压,使异质结的光伏效应显著增强. 相似文献
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自铁磁金属在飞秒激光泵浦下的超快退磁效应发现以来,电子的自旋属性逐渐被应用于太赫兹电磁波的产生.利用逆Rashba-Edelstein效应产生太赫兹辐射首先在Ag/Bi界面得到证实,而LaAlO3/SrTiO3界面通过该效应产生直流的自旋-电荷转换效率要高于Ag/Bi界面约一个数量级,但利用该结构转化自旋流来产生太赫兹的有效性尚待系统的研究.本文制备了NiFe/LaAlO3//SrTiO3(001)系列样品,在飞秒激光泵浦下观察到了太赫兹辐射的产生及其对磁场方向的依赖效应,并通过改变LaAlO3层的厚度验证了超扩散模型与光学传输模型的有效性,观察到了在LaAlO3/SrTiO3界面由于多次反射导致太赫兹波的减弱,为进一步优化太赫兹波的产生提供了实验和理论支持. 相似文献
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钙钛矿半导体具有光吸收系数高、载流子扩散长度大和荧光量子效率高等优异物理特性,已在光电探测器、太阳能电池等领域展现出重要的应用潜力.但卤化铅钙钛矿的环境毒性和稳定性大大限制了该类器件的应用范围.因此,寻找低毒、稳定的非铅钙钛矿半导体尤为重要.利用锡元素替代铅元素并生长高质量的锡基钙钛矿薄膜是实现其光电器件应用的可行方案.本文采用脉冲激光沉积方法,在N型单晶硅(100)衬底上外延生长了一层(100)取向的CsSnBr3钙钛矿薄膜.霍尔效应及电学测试结果表明,基于CsSnBr3/Si半导体异质结在暗态下具有明显的异质PN结电流整流特征,在光照下具有显著的光响应行为,并具有可自驱动、高开关比(104)以及毫秒量级响应/恢复时间等优良光电探测器件性能.本文研究结果表明利用脉冲激光沉积方法在制备新型钙钛矿薄膜异质结、实现快速灵敏的光电探测方面具有重要应用前景. 相似文献
11.
钛酸钡(BaTiO_3, BTO)是铁电物理学和材料学领域具有代表性的研究对象.本文基于准粒子相互作用的GW方法研究BTO材料的光学性质,并研究了等应变情况下的体积效应.第一性计算结果表明,考虑了激子效应的GW (格林函数(G)-库仑势(W))方法得到的激发态性质更接近实验结果.引入等应变调控,发现体积膨胀会导致光学吸收峰红移,体积压缩则光学吸收峰蓝移.同时,探究了体积变化对BTO块材的自发极化和电子结构的影响,发现体积膨胀会使钛原子的d轨道和氧原子的p轨道杂化更显著,进一步导致材料自发极化的增大,而体积压缩对自发极化和dp杂化的影响正好相反.通过比较研究,还发现等应变的体积效应对极化的影响不如等应力体积效应明显. 相似文献
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使用脉冲激光沉积技术,在LaAlO3(001)单晶基片上制备了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)/BaTiO3(BTO)双层薄膜.X射线衍射分析显示,LSMO层和BTO层呈现纯(001)取向.原子力显微镜研究表明,薄膜表面晶粒大小均匀,排列致密,表面均方根粗糙度为1.4 nm.复合薄膜的磁学、电学性能研究表明,其具有良好的磁学和介电性能.电输运测试显示,与在BTO层上施加正方向
关键词:
磁电效应
铁电/铁磁异质结构
脉冲激光沉积 相似文献
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The simultaneous presence of beam fanning and anisotropic conical scattering hinders the exact measurements on anisotropic conical diffraction. In this paper, a method is described for the measurement of diffraction efficiency of the gratings responsible for anisotropic conical scattering in a photorefractive BaTiO3 crystal. Dependence of diffraction efficiency on the angle of incidence of the incident beam and the build-up processes of beam fanning and anisotropic scattering have been studied. 相似文献
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以醋酸钡和钛酸四丁酯为原料,采用溶胶-凝胶法合成了纳米BaTiO3粉体;运用差示/热重、X射线衍射及透射电镜对前驱体凝胶和产物进行了表征,并根据XRD结果,研究了纳米BaTiO3的晶格常数、晶格畸变度和晶粒尺寸随焙烧温度及时间的变化。结果表明,焙烧温度与时间对纳米BaTiO3晶格常数的影响不明显;随焙烧温度或时间的延长,纳米BaTiO3的晶格畸变度减小,晶粒尺寸增大,但晶格畸变度和晶粒尺寸更敏感于焙烧温度. 基于扩散控制机理的传统模型探讨了焙烧过程纳米BaTiO3晶粒生长动力学,得出其晶粒生长指数为7,晶粒生长活化能为75.49 kJ/mol. 将基于扩散与反应共同控制机理的新型等温模型应用于本研究中,结果表明,新型等温模型更能真实地反映纳米BaTiO3焙烧过程中的晶粒生长行为,说明纳米BaTiO3晶粒生长过程同时受溶质扩散和表面反应控制,其藕合晶粒生长活化能为27.23 kJ/mol. 相似文献
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Qi Jianquan Zhu Qing Wang Yongli Wu Yajing Li Longtu 《Solid State Communications》2001,120(12):505-508
The positive temperature coefficient resistivity (PTCR) effect of semiconducting BaTiO3 ceramics can be remarkably influenced by both dopants and ceramic processing. The behavior of B2O3 as vapor dopants was studied in this paper. It was found that the PTCR effect was enhanced distinctly, while the room temperature resistance also increased. 相似文献
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研究了钛酸钡单晶沿着解理面的压电响应. 首先发现在钛酸钡单晶中存在着解理面,当垂直 这一解理面方向施加电场时,得到了超过2000pC/N的超高压电常量d33. 而这一d 33值比沿着自发极化方向〈001〉方向施加电场得到的压电常量(d33〈001 〉=87pC/N)高20多倍. 而且,沿此方向在很低电场强度(低于1kV/mm)下得到了高达0 6%的应变值,这一应变值是同等场强下PMN_PT单晶的10倍之多. 这一结果无疑对发展无铅压 电材料驱动器提供了一种新可能.
关键词:
压电响应
解理面
钛酸钡单晶 相似文献