ZrO/W肖特基发射阴极的研制

研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极—锆 /钨 (ZrO/W )阴极。这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面 ,采用特别的涂覆法或蒸镀法 ,形成含ZrO膜层 ,并经特殊处理后得到的。实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为 2 .86电子伏特左右 ,低于钨阴极的功函数值。     

ZrO／W肖特发射阴极的研制

研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极一锆/钨（ZrO/W）阴极。这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面，采用特别的涂覆法或蒸镀法，形成含zrO膜层，并经特殊处理后得到的。实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为2.86电子伏特左右，低于钨阴极的功函数值。     

有害气体对氧化物阴极发射的影响

介绍了各种气体对氧化物阴极发射的影响。特别是与空气污染有紧密关系的SO_2、NO_2、和Cl_2。为了比较,也试验了Na、CO_2、H_2O、O_2、CO、H_2和Ar等大气的主要成分的毒害效应。详细的研究各种气体对氧化物阴极和氧化物材料发射的影响。沾污了的阴极的中毒状态用二次电子显微镜和俄歇谱仪进行了分析。还研究了阴极激活之前,有害气体对碳酸盐发射的影响。     

覆膜浸渍扩散阴极表面微区电子发射像研究

覆膜对浸渍扩散热阴极表面电子发射的影响一直是热阴极研究领域的重点课题。该文采用最新研制的深紫外激光光发射电子显微镜/热发射电子显微镜(DUV-PEEM/TEEM),对一半覆膜、另一半未覆膜的浸渍扩散阴极试样作了1150 ℃×2 h激活,并对其表面微区的热电子发射像及其随温度的变化作了比较。结果发现,两种阴极的热电子发射均主要位于孔隙及其邻近颗粒边缘;随温度升高,未覆膜阴极发射主要集中于孔隙内及周边有限区域内,发射面积增量较小,覆膜则使阴极有效发射区域得以由孔隙及其边缘向距孔隙更远的区域延伸,发射面积大幅增加。上述结果首次给出了覆膜浸渍扩散阴极微区的电子发射特征,对于理解该类型阴极发射机理有一定参考价值。     

俄罗斯阴极的发展

从氧化物阴极、金属多孔阴极、合金阴极和场致发射阴极的发展状况，介绍了俄罗斯阴极的发展。从而指出我国阴极研究的发展方向。     

钪型阴极表面微观发射结构的模拟计算

在阴极研究领域,钪型阴极因其大发射电流密度受到广泛关注,但其发射机制仍不明确。普遍认为表面发射层为BaxScyOz-W结构,但发射表面是动态变化的,很难确认其最佳表面发射结构。本文对钪型阴极表面BaxScyOz-W的理想发射结构进行了建模,并利用密度泛函方法对其功函数进行了计算。计算得到Ba-O-Sc-O-W表面结构的最小功函数为1.186eV。通过对计算结果的分析,讨论了不同表面原子结构对应的功函数变化。     

陶瓷阴极：一种CRT新技术

本文推出了一种新型陶瓷阴极（添加了氧化物），用于包括32及34英寸宽屏管、19英寸宽计算机监视管在内的CRT管，在所有管子中，陶瓷阴极均显示了良好的性能，而先前的氧化物阴极仅钡添加阴极（浸渍式）堪用。本文推出之悬吊式阴极结构可与RCA型阴极相当，后者能够广泛采用本技术。     

铁电阴极电子发射实验研究

为提高铁电阴极材料的电子发射电流密度及电子束品质,采用等静压成型工艺制备PZT铁电阴极样品,研究了真空度、温度、极间距、收集极和极间铜网等测试条件对其电子发射性能的影响。结果表明:利用等静压成型工艺制备样品,并进行硅橡胶绝缘层保护,在真空度高于10–3Pa,极间距为2.5mm,并在极间添加铜网,采用石墨收集极情况下进行电子发射实验,可获得铁电阴极样品测试最佳效果。     

阴极光电发射受电场影响的研究

本文叙述了电场对光电发射的影响.许多阴极在外电场的作用下会降低表面功函数,光电发射的阈值波长会延伸,长波响应也会增大.高阻值碱金属化合物阴极在光电发射过程中由于内电场的形成,有可能对发射层进行"侵蚀"从而导致损坏.     

环形火山口式硅边缘阴极发射体特性研究

本文首次提出了新型环形火山口式边缘阴极发射体结构．采用国内现有的半导体工艺制备了这种结构的阴极发射体和二极管阵列．在高超净室的大气和10－4Pa真空下测量了这种二极管阵列的I－V特性．大气下发射的开启电压大约为150伏，真空下的发射开启电压大约为70伏．最后还讨论了制备工艺中光刻套准偏差对发射的影响．分析结果表明偏心对发射的影响并不很明显．     

一种用于重离子加速器电子冷却装置阴极的研制

该文主要研制一种用于HIRFL-CSR电子冷却装置的氧化物阴极,测试了该阴极在普通试验二极管中的发射性能及寿命,研究了成型阴极表面温度均匀性及其分解激活过程。结果表明,阴极支取直流发射电流密度0.5 A/cm2,工作温度750℃～800℃时具有很好的发射均匀性,电流加速寿命结果表明,该阴极在800℃,寿命超过18000 h。     

一种贮存式氧化物阴极

该文论述了一种新的贮存式氧化物阴极。这种阴极的直流发射、脉冲发射和阴极寿命性能都比普通氧化物阴极好。文中对阴极发射材料的形貌、贮存活性物质的结构进行了分析,观察了阴极镍网表面电子发射图像,讨论了阴极发射机理。     

彩色显像三枪“目玉”不良的调查和对策

本文叙述了彩色显像管三枪“目玉”缺陷的主要成因，找出消除办法，取得显著成效。     

低气压放电灯阴极发射特性的测试与研究

用射频噪声法测出了低气压放电灯(荧光灯、紧凑型节能灯、紫外杀菌灯等)阴极的零场发射电流,进而研究了阴极温度和阴极零场发射之间的变化规律,最后,得到了一种比较简单、方便、实用的测试阴极发射特性的方法。     

冷冻干燥法制取扩散阴极含钪活性物质

借助液相合成法中的冷冻干燥法,制备出了高发射扩散阴极所需的含钪多元金属氧化物活性物质,其中Ba与Sc的原子比接近2∶1。应用该活性物质的浸渍阴极,取得了超过500 A/cm;的二极管脉冲发射电流密度和218.5 A/cm;的电子枪脉冲发射电流密度。在二极管直流测试条件(950°C,10 A/cm;)下,阴极的寿命测试进行了10500 h后仍未出现发射电流下降的现象;而在电子枪中的大工作比(5%)脉冲测试条件下,阴极在工作了2010 h后仍维持了超过50 A/cm;的较大发射电流密度。冷冻干燥法有效解决了传统固相合成方法在机械式破碎、研磨和混合等工序中存在的原料混合不可控、成分分布不均匀等问题,能够缩短工艺流程、节约工艺设备,有着良好的生产推广价值。     

直丝氧化物阴极零场发射电流的求定

阴极的零场发射电流反映阴极的发射本领，是设计阴极的首要指标。求定荧光显示基本单元直丝氧化物阴极零场发射电流的粗略近似方法是从其伏安特性测试数据和曲线找出饱和过渡区起点和终点电流取平均值，较严格的方法是肖特基直线外延法，使用此法时，需根据显示管的结构特殊性注意处理若干相关的问题。     

硅基场致发射光电探测器及硅锥阴极工艺研究

半导体硅锥的场致发射所具有的饱和特性可以用于制造一种新型的光电探测器,本文介绍了这种光电探测器的基本原理和构造,并对其光电阴极的核心部件——硅锥阴极的工艺进行了实验研究。